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在电路设计当中假(jia)设我(wo)们想要对(dui)电流中止控(kong)制，那就(jiu)(jiu)少不了三极管(guan)(guan)的(de)(de)(de)帮助。我(wo)们俗称的(de)(de)(de)三极管(guan)(guan)其(qi)全(quan)称为半导(dao)体三极管(guan)(guan)，它(ta)的(de)(de)(de)主要作用就(jiu)(jiu)是(shi)将(jiang)微(wei)小(xiao)的(de)(de)(de)信(xin)号中止放大(da)。MOS管(guan)(guan)与三极管(guan)(guan)有着(zhe)许多相近(jin)的(de)(de)(de)地方(fang)，这就(jiu)(jiu)使得一(yi)些新(xin)手(shou)不断无(wu)法明白两(liang)者(zhe)之间(jian)的(de)(de)(de)区别，本(ben)篇文章就(jiu)(jiu)将(jiang)为大(da)家(jia)引(yin)见三极管(guan)(guan)和MOS管(guan)(guan)的(de)(de)(de)一(yi)些不同(tong)。

关于(yu)三极(ji)管和MOS管的区(qu)别，我们(men)简单总结了几句话便(bian)当(dang)大家理(li)解。

从性质上来说(shuo)：三极管用电(dian)流控(kong)制(zhi)，MOS管属于电(dian)压(ya)控(kong)制(zhi)。

从本钱上来说(shuo)：三极管低价，MOS管贵。

关于(yu)功耗(hao)问题：三极管损(sun)耗(hao)大。

驱动能力上(shang)的(de)的(de)不同：MOS管常(chang)用于电源(yuan)开关以(yi)及(ji)大电流地方开关电路。

理论上，就是三(san)极管(guan)(guan)操作便当且价钱(qian)(qian)低廉，经(jing)常用(yong)于数(shu)字(zi)电路的(de)开关控(kong)制当中。而MOS管(guan)(guan)用(yong)于高频高速电路，大电流场(chang)所(suo)，以(yi)及对基(ji)极或漏极控(kong)制电流比(bi)较(jiao)敏感的(de)中央。所(suo)以(yi)普通来说低本钱(qian)(qian)场(chang)所(suo)，普通应(ying)用(yong)的(de)先思索用(yong)三(san)极管(guan)(guan)，不行(xing)的(de)话建议用(yong)MOS管(guan)(guan)。

理论上(shang)说电(dian)流(liu)(liu)控制慢，电(dian)压(ya)(ya)控制快这(zhei)种理解是不对(dui)的(de)(de)。要真正(zheng)(zheng)(zheng)理解得了解双极晶(jing)体(ti)管(guan)和(he)mos晶(jing)体(ti)管(guan)的(de)(de)工作方式才干(gan)明白。三(san)极管(guan)是靠(kao)载流(liu)(liu)子(zi)(zi)的(de)(de)运动来(lai)工作的(de)(de)，以npn管(guan)射(she)极跟随器(qi)为例，当(dang)基(ji)极加不加电(dian)压(ya)(ya)时(shi)，基(ji)区(qu)(qu)(qu)(qu)和(he)发射(she)区(qu)(qu)(qu)(qu)组成(cheng)的(de)(de)pn结为阻止多(duo)子(zi)(zi)(基(ji)区(qu)(qu)(qu)(qu)为空(kong)穴，发射(she)区(qu)(qu)(qu)(qu)为电(dian)子(zi)(zi))的(de)(de)扩散运动，在此(ci)pn结处会感(gan)应出由(you)发射(she)区(qu)(qu)(qu)(qu)指向(xiang)(xiang)基(ji)区(qu)(qu)(qu)(qu)的(de)(de)静电(dian)场(即(ji)内建(jian)(jian)电(dian)场)，当(dang)基(ji)极外加正(zheng)(zheng)(zheng)电(dian)压(ya)(ya)的(de)(de)指向(xiang)(xiang)为基(ji)区(qu)(qu)(qu)(qu)指向(xiang)(xiang)发射(she)区(qu)(qu)(qu)(qu)，当(dang)基(ji)极外加电(dian)压(ya)(ya)产(chan)生的(de)(de)电(dian)场大(da)于(yu)内建(jian)(jian)电(dian)场时(shi)，基(ji)区(qu)(qu)(qu)(qu)的(de)(de)载流(liu)(liu)子(zi)(zi)(电(dian)子(zi)(zi))才有可能(neng)从(cong)基(ji)区(qu)(qu)(qu)(qu)流(liu)(liu)向(xiang)(xiang)发射(she)区(qu)(qu)(qu)(qu)，此(ci)电(dian)压(ya)(ya)的(de)(de)最(zui)小(xiao)值即(ji)pn结的(de)(de)正(zheng)(zheng)(zheng)导(dao)游通电(dian)压(ya)(ya)(工程上(shang)普通以为0.7v)。

但此(ci)时每个(ge)pn结(jie)(jie)的(de)(de)两侧都(dou)会有(you)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)荷存在，此(ci)时假设(she)集(ji)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)极(ji)-发射极(ji)加正电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)压，在电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)场作(zuo)(zuo)用(yong)下，发射区(qu)(qu)的(de)(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)往基(ji)区(qu)(qu)运(yun)动(dong)(理(li)论上都(dou)是电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)的(de)(de)反方向运(yun)动(dong))，由于基(ji)区(qu)(qu)宽(kuan)度很(hen)小(xiao)，电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)很(hen)容易(yi)越过(guo)基(ji)区(qu)(qu)抵达(da)集(ji)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)区(qu)(qu)，并与此(ci)处(chu)的(de)(de)PN的(de)(de)空穴(xue)复合(靠近(jin)集(ji)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)极(ji))，为维持平衡，在正电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)场的(de)(de)作(zuo)(zuo)用(yong)下集(ji)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)区(qu)(qu)的(de)(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)加速(su)外集(ji)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)极(ji)运(yun)动(dong)，而空穴(xue)则(ze)为pn结(jie)(jie)处(chu)运(yun)动(dong)，此(ci)过(guo)程类似(si)一个(ge)雪崩过(guo)程。

集电(dian)(dian)极(ji)(ji)的电(dian)(dian)子经过电(dian)(dian)源回到发(fa)射极(ji)(ji)，这(zhei)就是(shi)晶体管的工(gong)作原理(li)。三(san)极(ji)(ji)管工(gong)作时(shi)(shi)，两(liang)个(ge)pn结(jie)都会(hui)感应(ying)出电(dian)(dian)荷，当开关(guan)管处于导通状态时(shi)(shi)，三(san)极(ji)(ji)管处于饱和状态，假(jia)设这(zhei)时(shi)(shi)三(san)极(ji)(ji)管截至，pn结(jie)感应(ying)的电(dian)(dian)荷要恢复到平衡状态，这(zhei)个(ge)过程需求时(shi)(shi)间(jian)(jian)。而MOS与三(san)极(ji)(ji)管工(gong)作方式不同(tong)，没有(you)这(zhei)个(ge)恢复时(shi)(shi)间(jian)(jian)，因此可以用作高速(su)开关(guan)管。

下面针对一些电(dian)路设计当中会(hui)呈现的情况，列出了几种MOS管和三级(ji)管的选择规律：

(1)MOS管(guan)(guan)是(shi)电(dian)压控制(zhi)元件(jian)，而(er)三级管(guan)(guan)是(shi)电(dian)流(liu)控制(zhi)元件(jian)。在只(zhi)允许从(cong)信(xin)号源取较(jiao)少电(dian)流(liu)的情(qing)况下(xia)，应选用MOS管(guan)(guan);而(er)在信(xin)号电(dian)压较(jiao)低(di)，又允许从(cong)信(xin)号源取较(jiao)多电(dian)流(liu)的条件(jian)下(xia)，应选用三极管(guan)(guan)。

(2)电(dian)(dian)力电(dian)(dian)子(zi)技术中提及的单极(ji)器(qi)(qi)件(jian)是指(zhi)只(zhi)靠一(yi)种载(zai)流(liu)(liu)(liu)子(zi)导电(dian)(dian)的器(qi)(qi)件(jian)，双极(ji)器(qi)(qi)件(jian)是指(zhi)靠两种载(zai)流(liu)(liu)(liu)子(zi)导电(dian)(dian)的器(qi)(qi)件(jian)。MOS管是应用(yong)一(yi)种多数载(zai)流(liu)(liu)(liu)子(zi)导电(dian)(dian)，所以称之(zhi)为(wei)单极(ji)型器(qi)(qi)件(jian)，而三极(ji)管是既有多数载(zai)流(liu)(liu)(liu)子(zi)，也(ye)应用(yong)少数载(zai)流(liu)(liu)(liu)子(zi)导电(dian)(dian)。被称之(zhi)为(wei)双极(ji)型器(qi)(qi)件(jian)。

(3)有些MOS管(guan)的源极和漏极可以互换运(yun)用(yong)，栅压也可正可负，灵(ling)活(huo)性比三极管(guan)好。

(4)MOS管能(neng)在很小电流(liu)和很低(di)电压的(de)(de)条(tiao)件下工作，而且它的(de)(de)制造工艺可以(yi)很便当地把(ba)很多(duo)MOS管集成在一块硅片上，因(yin)此MOS管在大(da)范围集成电路中得到(dao)了普遍的(de)(de)应用(yong)。

(5)MOS管具有较(jiao)高(gao)输入阻抗和低噪(zao)声等优点，因(yin)而也被普(pu)遍应用于各种电子(zi)设备(bei)中。特别用MOS管做整个电子(zi)设备(bei)的(de)输入级，可以获得普(pu)通(tong)三(san)极(ji)管很(hen)难抵达的(de)性能。

(6)MOS管分红结型(xing)和(he)绝(jue)缘(yuan)栅型(xing)两大类，其控(kong)制原理(li)都是(shi)一样的(de)。
本篇(pian)文章与众(zhong)不同的(de)是(shi)，并没有(you)用(yong)(yong)过多(duo)的(de)篇(pian)幅对(dui)MOS管(guan)和三(san)极(ji)管(guan)在概念(nian)(nian)上的(de)区别进行对(dui)比。而是(shi)从实践出发(fa)，用(yong)(yong)实际发(fa)生的(de)情(qing)况和现象来对(dui)两者(zhe)进行区分，比单纯概念(nian)(nian)性上的(de)讲(jiang)解(jie)更加容易(yi)理解(jie)并方(fang)便记忆

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