简单场效应管功放

场应管偶次(ci)谐波丰厚，听感颇有电(dian)子(zi)管的风(feng)味。而(er)且(qie)其输出(chu)(chu)功率相比(bi)电(dian)子(zi)管能(neng)够做得很大，且(qie)本钱(qian)不高，所以(yi)前级配场效(xiao)应管功放，在发烧(shao)圈内很流(liu)行(xing)。 本电(dian)路输入局(ju)部(bu)较(jiao)为(wei)简沾(zhan)。采用一对性能(neng)指标完整分(fen)(fen)歧的音频低噪(zao)声(sheng)管C1815组(zu)成差(cha)分(fen)(fen)放大电(dian)路。由负载输出(chu)(chu)端的33kΩ电(dian)阻(zu)和(he)1kΩ电(dian)阻(zu)经(jing)分(fen)(fen)压反应到BG2的基极，自动均(jun)衡(heng)输出(chu)(chu)管的工作电(dian)压，省去调(diao)整中点电(dian)压的费事，实测<50mV。

BG3是一级(ji)恒流(liu)源(yuan)(yuan)，以(yi)改善(shan)差分放大(da)电路(lu)的共模抑(yi)止比。其基极电位(wei)是由发(fa)光二(er)极管提供，性能和信噪比优于(yu)稳压二(er)极管，使(shi)BG3的基极电位(wei)控制在(zai)1.8V左右。工作(zuo)时，该管还可起到指示灯的作(zuo)用。BG5是另一级(ji)恒流(liu)源(yuan)(yuan)，使(shi)BG4的电压增益(yi)有较大(da)进步(bu)。

BG6、BG7、BG8为中(zhong)(zhong)功(gong)率(lv)电压放大推进管(guan)(guan)。其中(zhong)(zhong)BG6起到调(diao)(diao)(diao)整(zheng)(zheng)(zheng)整(zheng)(zheng)(zheng)机(ji)静(jing)态电流(liu)的(de)作用，调(diao)(diao)(diao)整(zheng)(zheng)(zheng)元件只要带锁紧螺栓(shuan)的(de)VR一个。调(diao)(diao)(diao)试(shi)前，该可调(diao)(diao)(diao)电阻置于中(zhong)(zhong)间位置，用1A直流(liu)电流(liu)表串接(jie)在(zai)正(zheng)(zheng)电源和(he)二只功(gong)率(lv)管(guan)(guan)的(de)D极，微调(diao)(diao)(diao)VR，阻值(zhi)大则电流(liu)大，普通调(diao)(diao)(diao)整(zheng)(zheng)(zheng)在(zai)200mA左右，并锁紧可调(diao)(diao)(diao)电阻。由(you)于场效应(ying)管(guan)(guan)的(de)负温度特性，静(jing)态电流(liu)会自动减流(liu)。但不会影响(xiang)整(zheng)(zheng)(zheng)机(ji)的(de)正(zheng)(zheng)常工作。8只场敏(min)应(ying)管(guan)(guan)应(ying)尽最配对分(fen)歧，这(zhei)样可避免某(mou)管(guan)(guan)发(fa)热最大的(de)情况。K85l、K854等场效应(ying)管(guan)(guan)拆机(ji)品价钱非常低廉(lian)，性能稳定(ding)，音质(zhi)表现较好。

本机(ji)耦合电(dian)容(rong)(rong)器仪(yi)有输入端每声道(dao)一个(ge)，一定要采(cai)用CBB无感电(dian)容(rong)(rong)。笔者经(jing)过实验。任何电(dian)解电(dian)容(rong)(rong)（包(bao)括(kuo)极品），由(you)于存(cun)在一定的(de)漏(lou)电(dian)率(lv)。卷(juan)绕电(dian)感和转(zhuan)换速率(lv)低等缺(que)陷，在大音状态下都(dou)不能胜任。声音听感欠佳。

电(dian)(dian)源(yuan)采用100W以上变压器。次级(ji)交流电(dian)(dian)压为2x26V或(huo)2x28V。整流桥电(dian)(dian)流大于l0A。用4只6800μF/50VELNA高速电(dian)(dian)解电(dian)(dian)容作滤波(bo)。并(bing)且并(bing)联上lμFCBB电(dian)(dian)容作高频退耦。

扬(yang)声器维护电(dian)路(lu)装置完成后，可(ke)实验一(yi)下(xia)能否正常(chang)，办(ban)法是单独接通维护器电(dian)源，儿秒(miao)钟内继(ji)电(dian)器J虚吸合(he)。在(zai)10kΩ电(dian)阻上端(duan)与地(di)接1.5V干电(dian)池。继(ji)电(dian)器又马上断开(kai)(kai)。标明工(gong)作正常(chang)。 输入(ru)端(duan)电(dian)他器中(zhong)心点(dian)接头，由R、C和K组成超低(di)音提升电(dian)路(lu)。小(xiao)音最时按下(xia)开(kai)(kai)关后，低(di)音得到明显提升，觉(jue)得声浪阵阵而来，效果确实不错。

优点：

1、MOS 管功(gong)放(fang)具有鼓励功(gong)率小，输出(chu)(chu)功(gong)率大，输出(chu)(chu)漏极电(dian)流(liu)具有负(fu)温(wen)度系数，平安牢(lao)靠，且有工(gong)作频(pin)率高(gao)，偏置简(jian)单等优点。以运放(fang)的(de)(de)输出(chu)(chu)作为OCL 的(de)(de)输入，到达抑止零点漂移(yi)的(de)(de)效果。

2、中音厚，没有三(san)极管那么(me)大的交越失真。

电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)推(tui)进级(ji)(ji)通常由一(yi)(yi)(yi)至二级(ji)(ji)组成，为了降(jiang)低输出阻抗(kang)、增加阻尼系(xi)数，常采(cai)用二级(ji)(ji)电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)推(tui)进。为了防止电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)推(tui)进级(ji)(ji)产(chan)(chan)生开关(guan)(guan)(guan)失(shi)(shi)真(zhen)，较好的(de)(de)作法是、采(cai)用MOS管(guan)并增大本级(ji)(ji)的(de)(de)静(jing)态电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)，这样(yang)本级(ji)(ji)不会产(chan)(chan)生开关(guan)(guan)(guan)失(shi)(shi)真(zhen)，由于(yu)任(ren)何(he)状况下电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)推(tui)进级(ji)(ji)一(yi)(yi)(yi)直(zhi)处于(yu)放(fang)大区(qu)(qu)，所以(yi)电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)输出级(ji)(ji)也一(yi)(yi)(yi)直(zhi)处于(yu)放(fang)大区(qu)(qu)，因(yin)而输出级(ji)(ji)同样(yang)不会产(chan)(chan)生开关(guan)(guan)(guan)失(shi)(shi)真(zhen)和交(jiao)越失(shi)(shi)真(zhen)。

3、MOS管(guan)(guan)的线性比晶体(ti)管(guan)(guan)好。

缺点：

1、低频(pin)的(de)温和(he)度(du)(du)比晶体(ti)(ti)管(guan)(guan)功(gong)(gong)放差，MOSFET开关(guan)(guan)场(chang)(chang)(chang)(chang)(chang)效(xiao)(xiao)(xiao)应(ying)管(guan)(guan)容易被(bei)输出和(he)输入过(guo)载损(sun)坏(huai),MOSFET场(chang)(chang)(chang)(chang)(chang)效(xiao)(xiao)(xiao)应(ying)晶体(ti)(ti)管(guan)(guan)既具(ju)有(you)晶体(ti)(ti)管(guan)(guan)的(de)根本优点(dian)。但(dan)运用(yong)不久发现(xian)这种(zhong)功(gong)(gong)放的(de)牢靠性(xing)不高(gao)（无法(fa)外(wai)电路维(wei)护），开关(guan)(guan)速(su)度(du)(du)进(jin)步(bu)得不多和(he)最大(da)输出功(gong)(gong)率仅(jin)为(wei)150W/8Ω等。90年代(dai)初，MOSFET的(de)制造技术有(you)了很(hen)大(da)打(da)破，呈(cheng)现(xian)了一种(zhong)高(gao)速(su)MOSFET大(da)功(gong)(gong)率开关(guan)(guan)场(chang)(chang)(chang)(chang)(chang)效(xiao)(xiao)(xiao)应(ying)晶体(ti)(ti)管(guan)(guan)。西班牙艺格(ge)公司（ECLER）经多年研(yan)讨，攻(gong)克了非(fei)毁坏(huai)性(xing)维(wei)护系统的(de)SPM专利技术，推出了集(ji)电子管(guan)(guan)功(gong)(gong)放和(he)晶体(ti)(ti)管(guan)(guan)功(gong)(gong)放两者优点(dian)分离的(de)第3代(dai)功(gong)(gong)放产品，在(zai)欧洲(zhou)市(shi)场(chang)(chang)(chang)(chang)(chang)上取得了认可(ke)，并逐(zhu)渐在(zai)世(shi)界上得到了应(ying)用(yong)。第3代(dai)MOSFET功(gong)(gong)放的(de)中频(pin)和(he)高(gao)频(pin)音质接近电子管(guan)(guan)功(gong)(gong)放，但(dan)低频(pin)的(de)温和(he)度(du)(du)比晶体(ti)(ti)管(guan)(guan)功(gong)(gong)放差一些，此外(wai)MOSFET开关(guan)(guan)场(chang)(chang)(chang)(chang)(chang)效(xiao)(xiao)(xiao)应(ying)管(guan)(guan)容易被(bei)输出和(he)输入过(guo)载损(sun)坏(huai)。

2、开启电压太高(gao)。

3、偏流开很大，还(hai)是有一定的交(jiao)(jiao)越失(shi)真(zhen),没(mei)交(jiao)(jiao)越失(shi)真(zhen)，差不(bu)多能(neng)够赶上三(san)极管(guan)的甲类输(shu)出功耗。

4、MOS管不好(hao)配(pei)对在(zai)同一批次(ci)管，相对来说要(yao)好(hao)配(pei)对一点。

5、MOS管的低频下太硬(ying),用MOS功放听出所谓电子管音色(se)有(you)一个简单方(fang)法，把普通三(san)极(ji)管功放里(li)的电压推进三(san)极(ji)管换成JFET，JFET才真(zhen)正具有(you)电子管音色(se)。

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