VMOS的串联

串联(SeriesConnection)是为理解决电压规格不够的问题，与VMOS的并联相似，我们这里所说的电压规格不够用，指的是即使是采用多管电路拓扑也难以满足需求时，如全桥、三相全桥等电路拓扑。与VMOS并联稍有不同的是，多电平变换应该优先于多管（模块）的串联应用。

在买(mai)践应用上，串(chuan)联与(yu)并联一样会明显(xian)降低功率开关的(de)外关速度，使之适用的(de)工作频率明显(xian)降低，以(yi)(yi)致(zhi)于降低到IGBT也可以(yi)(yi)足以(yi)(yi)顺应的(de)程(cheng)度；同(tong)时高电压(ya)规(gui)格的(de)VMOS的(de)饱和压(ya)降会明显(xian)升高，高于1000V时曾经与(yu)IGBT相差(cha)无几(ji)，到2000V左(zuo)右时，IGBT在本身功耗(hao)方面曾经有了优(you)势。

因而(er)，在工(gong)程(cheng)应用上，VMOS的(de)(de)串联应用并不多见，需求(qiu)更高(gao)的(de)(de)电(dian)压(ya)规格时(shi)，1GBT更有(you)优势(shi)，目前的(de)(de)单管产(chan)(chan)品，VMOS产(chan)(chan)品适用的(de)(de)最高(gao)电(dian)压(ya)根本上还(hai)彷(pang)徨在1000V左右，而(er)IGBT产(chan)(chan)品适用的(de)(de)最高(gao)电(dian)压(ya)规格，单管曾(ceng)经到(dao)达了2500～3300V，模块(kuai)产(chan)(chan)品曾(ceng)经到(dao)达了4500一6500V的(de)(de)程(cheng)度(du)。

除非(fei)是(shi)必(bi)需(xu)采用(yong)(yong)(yong)VMOS，同时(shi)(shi)又必(bi)需(xu)采用(yong)(yong)(yong)很高电(dian)(dian)源电(dian)(dian)压时(shi)(shi)，才(cai)会用(yong)(yong)(yong)到VMOS的(de)串(chuan)联，即使遇到这样的(de)问题，串(chuan)联也(ye)并不是(shi)首选的(de)计划(hua)，特别(bie)是(shi)用(yong)(yong)(yong)于工业化产品，首选的(de)计划(hua)应该是(shi)寻觅替代计划(hua)，如采用(yong)(yong)(yong)IGBT、基于VMOS的(de)多电(dian)(dian)平(ping)变(bian)换(huan)等等。

万(wan)不得已采用VMOS串联时，首(shou)要的(de)问题是驱(qu)动的(de)隔(ge)(ge)离，除了(le)信(xin)号(hao)通道需求隔(ge)(ge)离外，电源也需求隔(ge)(ge)离。

其(qi)次是均(jun)(jun)压(ya)，与VMOS并联时的(de)均(jun)(jun)流相(xiang)似(si)，均(jun)(jun)压(ya)是为(wei)了(le)让串(chuan)联的(de)每(mei)一个(ge)(ge)功(gong)率开(kai)关(guan)接受近似(si)相(xiang)等的(de)电(dian)(dian)压(ya)，假如(ru)误差比拟大，就需求增加串(chuan)联的(de)功(gong)率开(kai)关(guan)的(de)数量，增大电(dian)(dian)压(ya)耐受量的(de)裕量。换言之(zhi)，两个(ge)(ge)1000V电(dian)(dian)压(ya)规(gui)(gui)格的(de)VMOS串(chuan)联，理论上能够(gou)(gou)视为(wei)2000V电(dian)(dian)压(ya)规(gui)(gui)格的(de)VMOS，为(wei)了(le)保(bao)险起(qi)见，我们能够(gou)(gou)将其(qi)电(dian)(dian)压(ya)规(gui)(gui)格定为(wei)isoov以至更低(di)。这样(yang)做的(de)弊端(duan)是，串(chuan)联功(gong)率开(kai)关(guan)的(de)本身功(gong)耗将明显增加，缘由是我们为(wei)了(le)取得2000V电(dian)(dian)压(ya)规(gui)(gui)格的(de)功(gong)率开(kai)关(guan)，本来两个(ge)(ge)串(chuan)联就能够(gou)(gou)了(le)，如(ru)今(jin)为(wei)了(le)增加保(bao)险系(xi)数，就需求3个(ge)(ge)串(chuan)联。

串联需求思索的要素与并联大同小异，额外需求思索的要素是突波吸收电路的参数需求停止挑选，由于它们还同时担当着动态均压的任务。所谓动态均压，就是功率开关高速开关条件下的均压，与此相对应，功率开关出于稳定关断状态时的均压通常称为静态均压，普通用电阻来完成。

由(you)于VMOS的(de)串(chuan)联很少有实践(jian)应用，这里(li)只给出一个2管串(chuan)联的(de)表示图（图5.88）。至(zhi)于信号(hao)隔离(li)(li)器件的(de)选择(ze)，视(shi)开(kai)(kai)关(guan)速(su)(su)度(du)和隔离(li)(li)电(dian)压的(de)上下而定，光耦有利于进步开(kai)(kai)关(guan)速(su)(su)度(du)，变(bian)压器有利于进步隔离(li)(li)电(dian)压等级(ji)并且高压侧的(de)驱动局部能够自供(gong)电(dian)，但是(shi)主要适用于低(di)速(su)(su)应用。

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