KNX3706A 50A/60V N沟道MOS管中文(wen)资料、封装(zhuang)、参(can)数(shu)-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2019-06-04
KIA半导体的(de)KNX3706A产品是一种高密(mi)度沟槽N-ch MOSFET，它提供了优良的(de)RDS(ON)和(he)大多数同步降(jiang)压变换器(qi)应(ying)用(yong)的(de)栅极电荷(he)。KNX3706A满足RoHS和(he)绿色产品的(de)要求，100%EAS保证(zheng)功能(neng)的(de)可靠性(xing)得到认可。
RDS(ON)，typ.=9mΩ@VGS=10V
氮气保护
超低栅极电(dian)荷
最佳Cdv/dt效应(ying)衰(shuai)减
高(gao)级高(gao)密度槽技术
电流(liu)：50A
电压：60V
漏源极电压(ya)：60V
栅源电压：±20V
脉冲(chong)漏电流(liu)：100A
单脉冲雪(xue)崩能：72.2MJ
雪崩电(dian)流：38A
接头(tou)和储存(cun)温(wen)度范围(wei)：-55℃至150℃
总(zong)功耗：42W
漏源击穿(chuan)电(dian)压:60V
输入电容：3220pF
输出电(dian)容：210pF
反向(xiang)转移电容(rong)：145pF
连续(xu)源电流:50A
脉(mai)冲源(yuan)电流:100A
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