MOS管三个极判断-MOS管G极串联小电阻的作用是什么

MOS管三个极

1.判断(duan)栅极(ji)G

MOS驱(qu)动(dong)器主(zhu)要起波形(xing)整形(xing)和加强驱(qu)动(dong)的(de)(de)作用:假如(ru)MOS管的(de)(de)G信号(hao)(hao)波形(xing)不(bu)够(gou)陡峭(qiao)，在(zai)点评切(qie)换阶段(duan)会造成大量电能损耗其(qi)副作用是(shi)降(jiang)低(di)电路转换效率，MOS管发烧严峻，易热损坏MOS管GS间(jian)存在(zai)一定电容，假如(ru)G信号(hao)(hao)驱(qu)动(dong)能力不(bu)够(gou)，将严峻影响(xiang)波形(xing)跳变的(de)(de)时间(jian).

将G-S极(ji)(ji)短路，选择(ze)万(wan)用表(biao)的(de)R×1档，黑表(biao)笔(bi)接S极(ji)(ji)，红表(biao)笔(bi)接D极(ji)(ji)，阻值应为(wei)几欧(ou)至十几欧(ou)。若发现某脚与其字两(liang)脚的(de)电(dian)阻均呈(cheng)无(wu)限(xian)大(da)，并(bing)且交换表(biao)笔(bi)后(hou)仍为(wei)无(wu)限(xian)大(da)，则证(zheng)实(shi)此脚为(wei)G极(ji)(ji)，由于它和另(ling)外两(liang)个管脚是绝缘(yuan)的(de)。

2.判断源(yuan)极S、漏极D

将(jiang)万用(yong)表拨至R×1k档分别(bie)丈量三个(ge)管脚之间的(de)电(dian)阻(zu)(zu)(zu)。用(yong)交换表笔(bi)法测两次电(dian)阻(zu)(zu)(zu)，其中电(dian)阻(zu)(zu)(zu)值较低（一(yi)般为(wei)几千欧至十几千欧）的(de)一(yi)次为(wei)正向电(dian)阻(zu)(zu)(zu)，此(ci)时黑表笔(bi)的(de)是S极，红表笔(bi)接D极。因(yin)为(wei)测试(shi)前提不同，测出(chu)(chu)的(de)RDS（on）值比手册中给(ji)出(chu)(chu)的(de)典型值要高一(yi)些(xie)。

3.丈量漏-源通态电阻RDS（on）

在(zai)源-漏之间有一个PN结(jie)，因此根(gen)据PN结(jie)正、反(fan)向电阻存在(zai)差异，可(ke)识别S极(ji)与(yu)D极(ji)。例如用500型(xing)万用表R×1档实(shi)测一只IRFPC50型(xing)VMOS管，RDS（on）=3.2W,大于(yu)0.58W（典型(xing)值）。

MOS管G极串联小电阻的作用

MOS管G极(ji)串(chuan)联小电(dian)阻(zu)的作用如下文，在电(dian)源(yuan)电(dian)路(lu)中，功率MOS管的G极(ji)经(jing)常会串(chuan)联一个(ge)小电(dian)阻(zu)，几欧姆到几十欧姆不等，那么这个(ge)电(dian)阻(zu)用什么作用呢(ni)？

如上(shang)图开关(guan)电(dian)(dian)源(yuan)，G串(chuan)联电(dian)(dian)阻R13。这个电(dian)(dian)阻的作(zuo)用有2个作(zuo)用：限制(zhi)G极(ji)电(dian)(dian)流(liu)，抑制(zhi)振荡。

限制G极电流

MOS管是(shi)由(you)电(dian)压驱动的(de)(de)，是(shi)以G级电(dian)流(liu)很(hen)小(xiao)，但是(shi)因为(wei)寄(ji)生电(dian)容的(de)(de)存在，在MOS管打开(kai)(kai)或(huo)关闭的(de)(de)时(shi)候(hou)，因为(wei)要(yao)对电(dian)容进行充电(dian)，所有(you)瞬(shun)间(jian)电(dian)流(liu)还是(shi)比较(jiao)大的(de)(de)。特别是(shi)在开(kai)(kai)关电(dian)源中，MOS管频繁(fan)的(de)(de)开(kai)(kai)启(qi)和(he)关闭，那么就要(yao)更要(yao)考虑(lv)这个(ge)带来的(de)(de)影(ying)响(xiang)了。

如上(shang)图(tu)，MOS管的寄生电容有三(san)个(ge)，Cgs，Cgd，Cds

一(yi)般在(zai)MOS管规格(ge)书中，一(yi)般会标下面三个参数(shu)：Ciss，Coss，Crss，他们与寄生电容的关系如下：

Ciss=Cgs+Cgd

Coss=Cds+Cgd

Crss=Cgd

如以MOS管FDS2582为例(li)：

Ciss=1290pF，可以(yi)看到，这个寄生电(dian)容是很(hen)可观的。

简单估算(suan)一(yi)下，假(jia)设(she)Vgs=10V，dt=Tr(上升时间)=20ns ，Ciss=1290pF，那么可得(de)G极(ji)在(zai)开关时的瞬间电流(liu)I=Ciss*dVgs/dt =0.6A。

在基极(ji)串(chuan)联一个电阻，与(yu)Ciss形成(cheng)一个RC充放电电路，可以减(jian)小瞬间电流值，不至(zhi)于损毁MOS管(guan)的驱动(dong)芯片(pian)。

因为(wei)增(zeng)加的这(zhei)(zhei)个电阻，会减缓(huan)MOS管的开启与通断时间，增(zeng)加损耗，所以不能接太大。这(zhei)(zhei)也是为(wei)什么电阻是几欧姆或(huo)者几十(shi)欧姆的原(yuan)因所在。

抑制振荡

MOS管接入(ru)电路(lu)(lu)，也会有引线产(chan)生(sheng)(sheng)的寄生(sheng)(sheng)电感(gan)的存(cun)在，与寄生(sheng)(sheng)电容一起，形成LC振荡(dang)电路(lu)(lu)。对于(yu)开关方波波形，是有很(hen)多频率成分存(cun)在的，那(nei)么很(hen)可能与谐(xie)振频率相(xiang)同或(huo)者相(xiang)近，形成串(chuan)联谐(xie)振电路(lu)(lu)。

串联(lian)一个电(dian)阻，可以减(jian)小振(zhen)(zhen)荡电(dian)路的Q值，是振(zhen)(zhen)荡快速衰减(jian)，不至于引起电(dian)路故(gu)障。

MOS管G极、S极、D极测试步骤

测(ce)试步骤：

MOS管的检测主(zhu)要是判断MOS管漏电、短(duan)路、断路、放大。

其(qi)步骤(zhou)如下：

假如有阻值没被测MOS管有漏电现象。

1、把(ba)连接栅(zha)极和源极的电阻(zu)移开，万用表红黑笔不(bu)变(bian)，假如(ru)移开电阻(zu)后表针慢慢逐步退回到高阻(zu)或无(wu)限大，则(ze)(ze)MOS管漏电，不(bu)变(bian)则(ze)(ze)完好

2、然(ran)后一根导线把MOS管的栅极和源极连接起来，假如指针立刻返回(hui)无限大，则MOS完好。

3、把红笔(bi)接到(dao)MOS的源(yuan)极S上，黑笔(bi)接到(dao)MOS管的漏(lou)极上，好(hao)的表(biao)针指示应该是(shi)无限(xian)大。

4、用一只100KΩ－200KΩ的(de)电(dian)阻连在栅极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)和(he)漏(lou)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)上，然后把红(hong)笔接到MOS的(de)源极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)S上，黑笔接到MOS管的(de)漏(lou)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)上，这时表(biao)针指示的(de)值一般(ban)是0，这时是下电(dian)荷通(tong)过这个电(dian)阻对MOS管的(de)栅极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)充电(dian)，产生(sheng)栅极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)电(dian)场，因为电(dian)场产生(sheng)导(dao)(dao)致导(dao)(dao)电(dian)沟道(dao)致使漏(lou)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)和(he)源极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)导(dao)(dao)通(tong)，故万用表(biao)指针偏转，偏转的(de)角度大，放电(dian)性越好。

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