60v电动车控制器MOS管

MOS电流：60V -100V

MOS电压(ya)：80A-160A

60v电动车控制器MOS管选型

60V MOS管的系列

60V MOS管封装形式

TO-252、TO-92 、TO-2247、TO-3PF、TO-220、DFN5*6、DFN3*3、TO-220F、TO-263、TO-263-6L、TO-251、SOP-8、SOT-223、TSSSOP-8；

可(ke)申请样品及报价(jia)和有技(ji)术支持，有什么问题(ti)(ti)有技(ji)术员帮忙解(jie)决(jue)问题(ti)(ti)！有需要或想了(le)解(jie)下的(de)可(ke)以联(lian)系下方(fang)的(de)联(lian)系方(fang)式

MOS管应用于大多数电子设备，如家电、汽车电源、充电器、电动报警器MOS管、电(dian)动车MOS管耐压等。再者，它在这些设备中能够起到许多作用，比如放大电路、作为可变电阻、作为恒流源及作为电子开关使用。

1、MOS管在电动车控制器中的作用

正常运(yun)转时把电(dian)池(chi)里的(de)(de)(de)直流电(dian)转换为交流电(dian)，从而带动(dong)电(dian)机运(yun)转。刹(cha)车时将(jiang)电(dian)机回(hui)馈的(de)(de)(de)交流电(dian)转化为直流电(dian)返(fan)回(hui)电(dian)池(chi)。简单来说电(dian)机是(shi)靠(kao)MOS的(de)(de)(de)输(shu)(shu)出电(dian)流来驱动(dong)的(de)(de)(de)，输(shu)(shu)出电(dian)流越大（为了防止过流烧(shao)坏MOS管，控制器有限(xian)流保护），电(dian)机扭矩就强，加(jia)速就有力(li)，所以MOS管在(zai)使用中是(shi)起到了“心脏”的(de)(de)(de)作用。

2、MOS管在控制器电路中的工作状态

它共有(you)这几种状(zhuang)态。开通(tong)过程、导(dao)通(tong)状(zhuang)态、关断过程、截止(zhi)状(zhuang)态、击穿状(zhuang)态。MOS管(guan)主要(yao)损(sun)耗(hao)包括开关损(sun)耗(hao)（开通(tong)过程和(he)关断过程），导(dao)通(tong)损(sun)耗(hao)，截止(zhi)损(sun)耗(hao)（漏电流(liu)引起的，这个忽(hu)略不计），还有(you)雪崩能量(liang)损(sun)耗(hao)。只要(yao)把这些损(sun)耗(hao)控(kong)制在(zai)MOS管(guan)承(cheng)受规格之内，MOS管(guan)即(ji)会正常(chang)工(gong)作，超出承(cheng)受范(fan)围，即(ji)发生(sheng)损(sun)坏。

而开(kai)关损耗(hao)往往大(da)于导通状(zhuang)(zhuang)态损耗(hao)，尤其是PWM没(mei)完全(quan)打(da)开(kai)，处于脉宽调(diao)制状(zhuang)(zhuang)态时(shi)（对应电动车的起步加速状(zhuang)(zhuang)态），而最高(gao)急速状(zhuang)(zhuang)态往往是导通损耗(hao)为主(zhu)。

3、MOS在电动车控制器中的应用

我们电(dian)动车上(shang)用(yong)的(de)(de)(de)功(gong)率(lv)(lv)mos和(he)平(ping)常cmos集成电(dian)路(lu)中的(de)(de)(de)小(xiao)功(gong)率(lv)(lv)mos结构是(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)不一样的(de)(de)(de)。小(xiao)功(gong)率(lv)(lv)mos是(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)平(ping)面(mian)(mian)型结构。而(er)电(dian)动车上(shang)上(shang)用(yong)的(de)(de)(de)功(gong)率(lv)(lv)mos是(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)立体(ti)结构。平(ping)面(mian)(mian)型结构是(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)指，mos栅(zha)极，源(yuan)级(ji)(ji)(ji)和(he)漏级(ji)(ji)(ji)都(dou)在(zai)(zai)芯片表(biao)面(mian)(mian)（或者(zhe)说正(zheng)面(mian)(mian)），而(er)沟道也在(zai)(zai)芯片表(biao)面(mian)(mian)横向排列。（我们常见的(de)(de)(de)教科(ke)书(shu)的(de)(de)(de)介绍mos原理一般都(dou)是(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)拿(na)平(ping)面(mian)(mian)结构介绍）。而(er)功(gong)率(lv)(lv)mos的(de)(de)(de)立体(ti)结构（沟道是(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)深(shen)槽(cao)立体(ti)结构）是(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)栅(zha)极和(he)源(yuan)级(ji)(ji)(ji)引线(xian)从(cong)芯片正(zheng)面(mian)(mian)引出（其实(shi)栅(zha)极也不在(zai)(zai)表(biao)面(mian)(mian)而(er)是(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)内(nei)部，只是(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)比较靠近表(biao)面(mian)(mian)），而(er)漏级(ji)(ji)(ji)是(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)从(cong)芯片背(bei)(bei)面(mian)(mian)引出（其实(shi)整个芯片背(bei)(bei)面(mian)(mian)都(dou)是(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)漏级(ji)(ji)(ji)连接在(zai)(zai)一起的(de)(de)(de)，整个个漏级(ji)(ji)(ji)用(yong)焊接材料直接焊接在(zai)(zai)金(jin)属(shu)板(ban)(ban)上(shang)，就(jiu)(jiu)是(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)mos的(de)(de)(de)金(jin)属(shu)背(bei)(bei)板(ban)(ban)，一般是(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)铜镀锡(xi)的(de)(de)(de)），所以我们见到的(de)(de)(de)mos一般金(jin)属(shu)板(ban)(ban)和(he)中间引脚（就(jiu)(jiu)是(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)漏级(ji)(ji)(ji)）是(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)完全导通的(de)(de)(de)（有些特(te)殊的(de)(de)(de)封装是(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)可以做(zuo)到金(jin)属(shu)板(ban)(ban)和(he)中间脚绝缘的(de)(de)(de)）。

功率(lv)mos内(nei)部从漏级到源级是有(you)一个二极管的(de)，这(zhei)个二极管基本上(shang)所(suo)有(you)的(de)功率(lv)mos都具(ju)有(you)，和(he)它本身结(jie)构有(you)关系（不需要单独(du)制(zhi)造(zao)，设计(ji)本身就有(you)）。当然可以通过改变设计(ji)制(zhi)造(zao)工(gong)艺，不造(zao)出这(zhei)个二极管。但(dan)是这(zhei)会(hui)影(ying)响芯片功率(lv)密度，要做到同样(yang)耐(nai)压和(he)内(nei)阻，需要更大的(de)芯片面积（因(yin)为结(jie)构不同）。大家(jia)只是知(zhi)道这(zhei)回事就行了(le)。

我们所见(jian)的mos管(guan)(guan)，其实(shi)内(nei)部由(you)成(cheng)千上(shang)万个(ge)小(xiao)(xiao)mos管(guan)(guan)并联而成(cheng)（实(shi)际数(shu)量(liang)一(yi)般是上(shang)千万个(ge)，和(he)(he)芯片(pian)面积和(he)(he)工艺(yi)有(you)关）。如果在(zai)工作中，有(you)一(yi)个(ge)或几(ji)个(ge)小(xiao)(xiao)管(guan)(guan)短路，则整(zheng)个(ge)mos表现(xian)为短路，当然大(da)电流短路mos可能(neng)(neng)直接烧断(duan)了（有(you)时(shi)(shi)表现(xian)为金属板(ban)和(he)(he)黑色(se)塑(su)封间(jian)开(kai)裂），又表现(xian)为开(kai)路。大(da)家(jia)可能(neng)(neng)会(hui)想这上(shang)千万个(ge)小(xiao)(xiao)mos应该很容易出现(xian)一(yi)个(ge)或几(ji)个(ge)坏(huai)的吧，其实(shi)真(zhen)没(mei)那(nei)(nei)么(me)容易，目前(qian)的制造(zao)工艺(yi)基本保证了这些小(xiao)(xiao)单位(wei)各(ge)种参数(shu)高度一(yi)致(zhi)(zhi)性。它们的各(ge)种开(kai)关动作几(ji)乎(hu)完全一(yi)致(zhi)(zhi)，当然最(zui)终(zhong)烧坏(huai)时(shi)(shi)，肯(ken)定有(you)先(xian)承受(shou)不(bu)了的小(xiao)(xiao)管(guan)(guan)先(xian)坏(huai)。所以管(guan)(guan)子的稳定性和(he)(he)制造(zao)工艺(yi)密不(bu)可分，差的工艺(yi)可能(neng)(neng)导(dao)致(zhi)(zhi)这些小(xiao)(xiao)管(guan)(guan)的参数(shu)不(bu)那(nei)(nei)么(me)一(yi)致(zhi)(zhi)。有(you)时(shi)(shi)一(yi)点(dian)小(xiao)(xiao)的工艺(yi)缺(que)陷(xian)（比如一(yi)个(ge)1um甚至更小(xiao)(xiao)的颗(ke)粒如果在(zai)关键位(wei)置）往(wang)往(wang)会(hui)造(zao)成(cheng)整(zheng)个(ge)芯片(pian)（缺(que)陷(xian)所在(zai)的管(guan)(guan)芯）报废。

4、MOS管损坏主要原因

过流(liu)，大电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)引(yin)起的高温损坏(huai)（分持续大电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)和瞬间超大电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)脉冲导致结温超过承受值）；过压(ya)，源(yuan)漏级大于(yu)(yu)击(ji)穿(chuan)(chuan)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)而(er)击(ji)穿(chuan)(chuan)。栅极击(ji)穿(chuan)(chuan)，一(yi)般由(you)于(yu)(yu)栅极电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)受外界或(huo)驱动(dong)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路损坏(huai)超过允(yun)许最(zui)高电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)（栅极电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)一(yi)般需低于(yu)(yu)20v安(an)全）以及静(jing)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)损坏(huai)。

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