VMOS概述-VMOS场效应管的检测方法及注意事项解析

VMOS场效应管概述

VMOS场(chang)效(xiao)应(ying)管(guan)(guan)的(de)检测方法解析(xi)。VMOS管(guan)(guan)全称V-groove metal-oxide semiconductor，或功率场(chang)效(xiao)应(ying)管(guan)(guan)，其(qi)全称为V型槽MOS场(chang)效(xiao)应(ying)管(guan)(guan)。

它是继MOSFET之后新发(fa)展起来的。它不仅(jin)继承了(le)MOS场效应管输(shu)入阻抗(kang)高（≥108W）、驱动电(dian)流(liu)小（左右0.1μA左右）， 还具有耐(nai)压(ya)高（最高可(ke)耐(nai)压(ya)1200V）、工作(zuo)电(dian)流(liu)大(da)（1.5A～100A）、输(shu)出功率高（1～250W）、跨导的线(xian)性(xing)好、开(kai)关速度快等优良特性(xing)。

众所周知(zhi)，传(chuan)统的(de)MOS场效应管(guan)的(de)栅极(ji)、源极(ji)和漏极(ji)大(da)致处于(yu)同(tong)(tong)一水平(ping)面的(de)芯片上(shang)，其工作电流(liu)基本上(shang)是沿水平(ping)方向流(liu)动(dong)。VMOS管(guan)则不同(tong)(tong)，其两大(da)结构特点:

第一，金属栅极(ji)采用V型槽结构；

第二，具(ju)有垂直导(dao)电性。由于漏(lou)(lou)极(ji)是从芯片(pian)的背(bei)面引出，所(suo)以ID不是沿(yan)芯片(pian)水平流动，而(er)是自重掺(chan)杂(za)N+ 区（源极(ji)S）出发，经过P沟道流入轻掺(chan)杂(za)N-漂移区，最后垂直向下(xia)到达漏(lou)(lou)极(ji)D。

VMOS场效应管的检测方法解析

VMOS场效应管的检测方法(fa)步骤(zhou)如下：

（1）判定(ding)栅(zha)极G

将(jiang)万用(yong)表拨至R×1k档分别测量三个管脚之间的电(dian)阻。若(ruo)发现(xian)某(mou)脚与其(qi)它(ta)两脚的电(dian)阻均呈无(wu)穷大(da)，并且交(jiao)换表笔后仍为无(wu)穷大(da)，则证明此脚为G极，因(yin)为它(ta)和另外两个管脚是(shi)绝缘的。

（2）判定源极(ji)S、漏极(ji)D

在(zai)源-漏(lou)之间有一个PN结，因此根据PN结正、反(fan)向电阻存在(zai)差异，可识别S极(ji)与(yu)D极(ji)。用交换表(biao)笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的(de)一次为正向电阻，此时黑表(biao)笔的(de)是S极(ji)，红表(biao)笔接D极(ji)。

（3）测量漏-源(yuan)通态(tai)电阻(zu)RDS（on）

将G-S极(ji)短路，选择万用表(biao)的R×1档，黑表(biao)笔(bi)接(jie)S极(ji)，红表(biao)笔(bi)接(jie)D极(ji)，阻(zu)值应为(wei)几欧至(zhi)十(shi)几欧。

由(you)于(yu)测(ce)试条件不(bu)同(tong)，测(ce)出的RDS（on）值(zhi)比手册中给出的典型(xing)值(zhi)要高(gao)一些。例(li)如用500型(xing)万用表R×1档实(shi)测(ce)一只(zhi)IRFPC50型(xing)VMOS管，RDS（on）=3.2W，大于(yu)0.58W（典型(xing)值(zhi)）。

（4）检查跨导

将万(wan)用表置(zhi)于R×1k（或(huo)R×100）档，红(hong)表笔(bi)接S极，黑表笔(bi)接D极，手持螺(luo)丝刀去碰(peng)触栅极，表针应有明显偏转，偏转愈大(da)，管(guan)子的跨导愈高。

注意事项

介绍(shao)了(le)VMOS场效应管的(de)(de)检测方(fang)法之后，下面来看(kan)看(kan)它的(de)(de)注(zhu)意(yi)事项(xiang)：

（1）VMOS管亦(yi)分N沟(gou)道管与P沟(gou)道管，但绝大(da)多数(shu)产品属于N沟(gou)道管。对于P沟(gou)道管，测量时应交换表(biao)笔的(de)位(wei)置。

（2）有少(shao)数VMOS管在G-S之间并有保护二(er)极管，本检测(ce)方法中的1、2项不再(zai)适用(yong)。

（3）目(mu)前市场上(shang)还有一种VMOS管(guan)(guan)功率模块(kuai)，专供交流(liu)电机调速器(qi)、逆变器(qi)使用。例如美国IR公司生产的IRFT001型模块(kuai)，内部有N沟道、P沟道管(guan)(guan)各三只，构成三相桥式结构。

（4）现(xian)在市售VNF系列（N沟道）产(chan)品，是美国Supertex公司(si)生产(chan)的超高频(pin)功率场效应(ying)管，其(qi)最高工(gong)作频(pin)率fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源(yuan)小信(xin)号低频(pin)跨导gm=2000μS。适用于高速开关电路和广播、通信(xin)设(she)备中。

（5）使(shi)用VMOS管(guan)时必须加(jia)合(he)适的散热器后。以VNF306为例，该管(guan)子加(jia)装140×140×4（mm）的散热器后，最(zui)大功率才能达到30W。

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