利盈娱乐(中国)创新平台有限公司

广东利盈娱乐半导体科技有限公司

国家高新企业

cn

新闻中心

50n06参(can)数中(zhong)文 KIA50N06 50A60V 中(zhong)文资(zi)料-KIA MOS管(guan)

信息(xi)来(lai)源(yuan):本站 日期:2020-09-27 

分享(xiang)到(dao):

50n06参数中文 KIA50N06 50A60内阻低 免费送样-KIA MOS管


一、KIA50N06参数中文

产品特征:

RDS(on) =10.5m@ VGS =10V

提供无(wu)铅绿色设备

低Rds开启,最大(da)限度地减少(shao)导电损

高雪崩电流




二、50n06参数中文

产品用(yong)应:

电源

不间(jian)断电源

电池管理(li)系统



50n06参数,50n06,50n06mos管


50n06参数,50n06,50n06mos管
50n06参数,50n06,50n06mos管




50n06参数,50n06,50n06mos管


50n06参数,50n06,50n06mos管

50n06参数,50n06,50n06mos管

Mosfet参(can)数含(han)义说明-50n06参(can)数中文

Vds:DS击穿(chuan)电压(ya)(ya).当Vgs=0V时,MOS的DS所能承受的最大电压(ya)(ya)

Rds(on):DS的(de)(de)导通电阻(zu).当Vgs=10V时(shi),MOS的(de)(de)DS之间(jian)的(de)(de)电阻(zu)

Id:最大(da)DS电流.会(hui)随(sui)温(wen)度(du)的升高而降(jiang)低

Vgs:最大GS电压.一般为:-20V~+20V

Idm:最大脉冲DS电流.会(hui)随温度(du)的(de)升高而降低(di),体现(xian)一(yi)个抗(kang)冲击(ji)能力,跟脉冲时(shi)间也有关系

Pd:最大耗散(san)功率

Tj:最大工作(zuo)结温,通常为150度和(he)175度

Tstg:最大存储温度

Iar:雪崩电流

Ear:重复(fu)雪崩击穿能量

Eas:单次脉冲雪(xue)崩击穿能量

BVdss:DS击穿(chuan)电压

Idss:饱和DS电(dian)(dian)流,uA级的电(dian)(dian)流

Igss:GS驱动(dong)电流,nA级(ji)的电流.

gfs:跨导
Qg:G总充电电量

Qgs:GS充电电量

Qgd:GD充电电量(liang)

Td(on):通延迟时(shi)间(jian)(jian),从有输入电压上升到(dao)10%开始到(dao)Vds下降(jiang)到(dao)其幅值90%的时(shi)间(jian)(jian)

Tr:上升时(shi)间(jian),输出电压VDS从90%下降(jiang)到其幅值10%的时(shi)间(jian)

Td(off):关断延迟时间(jian)(jian),输入电压下降到90%开始到VDS上升到其(qi)关断电压时10%的时间(jian)(jian)

Tf:下降时(shi)间(jian),输出电压VDS从10%上升到其幅值(zhi)90%的时(shi)间(jian)。

Ciss:输入电容,Ciss=Cgd+Cgs.

Coss:输出电容,Coss=Cds+Cgd.

Crss:反向传输电容,Crss=Cgc.


联系方式:邹(zou)先生

联系电话:0755-83888366-8022

手机:18123972950

QQ:2880195519

联系地址:深圳市福(fu)田区车公(gong)庙(miao)天(tian)安数码(ma)城天(tian)吉大厦CD座5C1


请搜微(wei)信(xin)公众(zhong)号:“KIA半导体”或扫一(yi)扫下图“关注”官方(fang)微(wei)信(xin)公众(zhong)号
请“关注”官方微(wei)信(xin)公众号(hao):提供  MOS管  技术帮助



login_利盈娱乐「一家用心的游戏平台」 沐鸣娱乐(中国)创新平台科技有限公司 鼎点耀世娱乐