小尺寸MOS器件(jian)模(mo)(mo)型/MOS器件(jian)模(mo)(mo)型KIA-MO管(guan)
信(xin)息来源(yuan)：本站 日(ri)期：2020-12-29
缩(suo)小(xiao)MOS器(qi)件的(de)尺寸是推进LSI技术发展(zhan)的(de)关(guan)键因(yin)素初期的(de)MOs器件都是大尺寸的(de)(10m左右),因而(er)习(xi)惯(guan)上有套适(shi)用(yong)它们的物理(li)模型和计算方法,所得的结果与大(da)尺(chi)寸器件的实测特性相(xiang)符(fu)合。
这种模型和计算方法叫做(zuo)逐次沟道(dao)近似(Gradual Channel Approximation),简称为GCA。但是,它(ta)对
vLS中(zhong)的小(xiao)尺寸器件不适用(yong),必须进行修正本章将阐明MOS小尺寸器件的各种(zhong)物(wu)理效应(包括一级(ji)和
级效应),并对GCA作相应的各项修正(zheng)。小尺寸MOs器件是(shi)VLSI中最基本(ben)的元件,必(bi)须了解其基本(ben)的
物(wu)理和(he)电学特(te)性,建立起符合实(shi)际且较简便的计算(suan)模型(xing)公式(shi),这(zhei)是正确进行(xing)计算(suan)机电路(lu)模拟的基础,
也是进行(xing)VLSI设计计算的基本工具。实(shi)际上,计算机电路模拟的精度(du)很大程度(du)上决(jue)定于器件模型的
精度(du)。因此,建立一个较(jiao)精确的、而(er)且便于计算的器件模型对VLSI设计是至关重(zhong)要的,这也是本(ben)书
首先介绍器件模型的原因(yin)同时,由(you)于目前国(guo)际上(shang)普遍(bian)使用美国(guo)加州大学伯(bo)克(ke)利(Berkele)分校(xiao)开发的、
SPICE电路模拟程(cheng)序,所以我们(men)也(ye)将结合它(ta)给出的小尺寸MOS器件模型进行(xing)一定的介绍(shao)及分析讨论,
并指(zhi)出它的(de)不足,以利(li)于那些用该程序的(de)VLSI设(she)计者对它有较正确的(de)认(ren)识。
联(lian)系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联(lian)系地址：深圳市福田(tian)区(qu)车公庙(miao)天(tian)安数码城(cheng)天(tian)吉大(da)厦CD座5C1
请搜微(wei)信公(gong)众号:“KIA半导体”或扫(sao)一扫(sao)下图“关注(zhu)”官方微(wei)信公(gong)众号
请“关注”官方微信公众(zhong)号:提供 MOS管 技术帮助
