高频开关电源mos管,2a650v,2n65场效应管参数引(yin)脚(jiao)图-KIA MOS管
信(xin)息来源：本站 日期：2025-05-16
高(gao)(gao)效开(kai)关(guan)电源(yuan)(yuan)专用MOS管KIA2N65HD漏源(yuan)(yuan)击穿(chuan)电压60V，漏极电流230A；采(cai)用先进(jin)的(de)平面条(tiao)纹DMOS技术(shu)，低(di)导通(tong)电阻RDS(开(kai)启(qi)) 4.3Ω，低(di)栅极电荷6.5nC，最小化导通(tong)电阻，提供卓(zhuo)越的(de)开(kai)关(guan)性能；具(ju)有高(gao)(gao)输(shu)入阻抗、低(di)功(gong)耗、开(kai)关(guan)速度快(kuai)；100%雪(xue)崩(beng)(beng)测试(shi)、改进(jin)的(de)dv/dt能力、在雪(xue)崩(beng)(beng)和换(huan)向模式下承受高(gao)(gao)能量脉冲(chong)，坚固(gu)可靠；广泛(fan)应用于(yu)高(gao)(gao)效开(kai)关(guan)电源(yuan)(yuan)，基(ji)于(yu)半桥拓扑的(de)主动功(gong)率(lv)因数校正等(deng)，实现高(gao)(gao)效率(lv)的(de)能量转换(huan)；封(feng)装形式：TO-252。
漏源电压：650V
漏极电流(liu)：2A
栅源电(dian)压：±30V
脉冲漏电流：7.5A
单(dan)脉冲雪崩能(neng)量：100MJ
功率耗散：42W
阈值电压(ya)：2-4V
总栅(zha)极电荷：6.5nC
输入(ru)电容：275PF
输出电容：30PF
反向(xiang)传输电容：2PF
开通延迟时(shi)间：10nS
关断延迟时间：40nS
上升时间：30ns
下降时间：40ns
联系方式(shi)：邹先生
座(zuo)机：0755-83888366-8022
手机(ji)：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
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