mmbt5401参(can)数,引脚(jiao)图(tu),mmbt5401资(zi)料手册-KIA MOS管
信息(xi)来源：本站 日(ri)期：2025-06-04
MMBT5401高压PNP双(shuang)极晶体管，该(gai)器(qi)件设计为(wei)通(tong)用放大器(qi)和开关(guan)，用于需(xu)要高电压的应用。采用SOT-23封装，专为(wei)低功(gong)耗表面(mian)贴(tie)装应用而设计。
电压特性
集电极-发射极电压（VCEO）：150V
集电极-基(ji)极电压（VCBO）：160V
发(fa)射极-基(ji)极电(dian)压（VEBO）：5V
电流与功率
集电极(ji)电流（Ic）：500-600mA
功率耗散（Pc）：300-350mW
增益与频率
直流(liu)电流(liu)增益(yi)（hFE）：50（最(zui)小值(zhi)）至240（最(zui)大值(zhi)）。
跃迁频率（T）：100-300MHz。
封装类型(xing)：SOT-23（3引脚(jiao)）
尺寸：2.9×1.3×0.94mm（长(zhang)×宽×高）。
工(gong)作温度：-55℃至+150℃。
饱和压降：集电极(ji)(ji)-发射极(ji)(ji)（VCE(sat)）≤0.5V
截止电流(liu)（ICBO）：≤0.1μA
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