电源转(zhuan)换器专用,400vmos管(guan),KNP6140S场效应管(guan)参数-KIA MOS管(guan)
信(xin)息来源(yuan)：本站 日期：2025-06-04
大功率场效应管(guan)KNP6140S漏(lou)源击穿电(dian)压(ya)400V，漏(lou)极电(dian)流11A，专为高(gao)压(ya)、高(gao)速功率开关(guan)应用设计(ji)；极低导通电(dian)阻(zu)RDS(on)=0.53Ω，低栅极电(dian)荷15.7nC，可最大限度地(di)减少导电(dian)损(sun)失(shi)，高(gao)效低耗；具有高(gao)坚固性、快速切换(huan)、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，性能稳(wen)定可靠；广泛应用于(yu)开关(guan)稳(wen)压(ya)器(qi)(qi)(qi)(qi)、开关(guan)转换(huan)器(qi)(qi)(qi)(qi)、螺线(xian)管(guan)、电(dian)机驱动器(qi)(qi)(qi)(qi)、继电(dian)器(qi)(qi)(qi)(qi)驱动器(qi)(qi)(qi)(qi)；封装(zhuang)形式：TO-220。
漏源电(dian)压：30V
漏极(ji)电流(liu)：50A
栅源(yuan)电压：±30V
阈(yu)值电(dian)压(ya)：2-4V
脉冲漏(lou)电流：44A
单脉冲(chong)雪崩能(neng)量：365MJ
功率耗散(san)：194.5W
总栅极电荷(he)：15.7nC
输入电(dian)容(rong)：980PF
输(shu)出(chu)电容：140PF
反向传输电(dian)容：2.6PF
开通延迟时(shi)间：33.5nS
关断(duan)延迟(chi)时间：83nS
上升时间(jian)：31.5ns
下降时间(jian)：56ns
联系方(fang)式(shi)：邹先生(sheng)
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