17N10场(chang)效应管(guan),259a100v,KCX017N10N参数资(zi)料-KIA MOS管(guan)
信息来源(yuan)：本站 日期(qi)：2025-07-02
KCX017N10N场效应管(guan)漏(lou)源(yuan)击穿电压100V，漏(lou)极电流(liu)259A ，采(cai)用先(xian)进(jin)的MOS技术制造(zao)，极低(di)导通电阻RDS(开启) 2mΩ，卓越的QgxRDS（on）产品（FOM），减少开关损耗(hao)，提高效率；符合JEDEC标准(zhun)，100%DVDS测(ce)试(shi)、100%雪崩测(ce)试(shi)，确(que)保(bao)可靠性和稳定性，在电(dian)(dian)机控(kong)制和驱动、电(dian)(dian)池(chi)管理、不间断电(dian)(dian)源（UPS）中广泛应用(yong)；封(feng)装形式：TO-263、TOLL，散(san)热良好。
漏源(yuan)电(dian)压：100V
漏极(ji)电流(liu)：259A
栅源电压：±20V
脉冲漏(lou)电(dian)流(liu)：1036A
单脉冲雪(xue)崩能量：1365MJ
功(gong)率耗散：250W
阈(yu)值电压：3V
总栅(zha)极(ji)电(dian)荷：176nC
输(shu)入电容(rong)：10120PF
输出电容：1360PF
反(fan)向(xiang)传输电(dian)容：50PF
开通延迟(chi)时间：85nS
关断延迟时间：92nS
上升时间：137ns
下(xia)降时间：98ns
联(lian)系方(fang)式(shi)：邹先生(sheng)
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
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