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信息来源：本站 日期(qi)：2018-01-13
描述
N沟道增(zeng)强型高压功率MOS场效应晶体(ti)管
KIA4N60该(gai)产(chan)(chan)品(pin)具有较低的导通电阻(zu)、优越的开(kai)关性能及很高的雪(xue)崩(beng)击穿耐量。 该(gai)产(chan)(chan)品(pin)可广(guang)泛应用于AC-DC开(kai)关电源(yuan)，DC-DC电源(yuan)转换器，高压H桥PWM马达(da)驱动。
特点
4A，600V，RDS(on)（典型值）=2.0 ?@VGS=10V
*低栅(zha)极电荷量
*低反向(xiang)传输电容
*开关速度快
*提(ti)升了dv/dt 能力
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4N60/H/HD/HF/HI/HU/P/PD |
| 描述 | 4.0A 600V N-CHANNEL MOSFET |
| PDF文件 | |
| LOGO |
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| 厂家 | KIA原厂家 |
| 网址 | shkegan.com |
| PDF页数 | 总6页数 |
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描述(shu)：
N沟道增强型高压(ya)功率MOS场效应(ying)晶体管
KIA4N60该(gai)产品具有(you)较低(di)的导(dao)通电(dian)阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 该(gai)产品可广泛应用(yong)于AC-DC开关电(dian)源，DC-DC电(dian)源转换(huan)器，高压H桥PWM马达驱(qu)动。
特点
4A，600V，RDS(on)（典型值）=2.0 ?@VGS=10V
*低栅极电荷量
*低反向传(chuan)输(shu)电容
*开(kai)关速度(du)快
*提升了dv/dt 能力
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4N60/H/HD/HF/HI/HU/P/PD |
| 描述 | 4.0A 600V N-CHANNEL MOSFET |
| PDF文件 | |
| LOGO |
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| 厂家 | KIA原厂家 |
| 网址 | shkegan.com |
| PDF页数 | 总6页 |
