利盈娱乐(中国)创新平台有限公司

广东利盈娱乐半导体科技有限公司

国家高新企业

cn

新闻中心

电(dian)源(yuan)(yuan)mos-电(dian)源(yuan)(yuan)mos管驱(qu)动电(dian)路如何选用-详解分析(xi)-KIA MOS管

信息(xi)来源:本站 日期(qi):2018-01-10 

分享到:

介绍(shao)几个模块(kuai)电(dian)源中(zhong)常用(yong)的MOSFET驱(qu)动电(dian)路(lu)。


1、电源IC直接驱动MOSFET

电源mos

图 1 IC直接驱动MOSFET


电(dian)(dian)(dian)源IC直接驱动是(shi)我们最常用(yong)的(de)驱动方(fang)式,同时(shi)也(ye)是(shi)最简单的(de)驱动方(fang)式,使用(yong)这种驱动方(fang)式,应该注意几个(ge)参(can)数以及这些参(can)数的(de)影响。第一(yi),查看一(yi)下(xia)电(dian)(dian)(dian)源IC手(shou)册,其最大(da)驱动峰(feng)值(zhi)(zhi)(zhi)电(dian)(dian)(dian)流(liu),因为(wei)不同芯片,驱动能力很多时(shi)候是(shi)不一(yi)样的(de)。第二,了(le)解(jie)一(yi)下(xia)MOSFET的(de)寄生电(dian)(dian)(dian)容,如图1中(zhong)(zhong)C1、C2的(de)值(zhi)(zhi)(zhi)。如果(guo)C1、C2的(de)值(zhi)(zhi)(zhi)比较(jiao)大(da),MOS管(guan)导通的(de)需(xu)要的(de)能量(liang)就比较(jiao)大(da),如果(guo)电(dian)(dian)(dian)源IC没有比较(jiao)大(da)的(de)驱动峰(feng)值(zhi)(zhi)(zhi)电(dian)(dian)(dian)流(liu),那么管(guan)子导通的(de)速度就比较(jiao)慢。如果(guo)驱动能力不足,上升沿可能出现高频振荡,即(ji)使把图 1中(zhong)(zhong)Rg减小,也(ye)不能解(jie)决问(wen)题! IC驱动能力、MOS寄生电(dian)(dian)(dian)容大(da)小、MOS管(guan)开关(guan)速度等因素,都影响驱动电(dian)(dian)(dian)阻阻值(zhi)(zhi)(zhi)的(de)选择,所以Rg并(bing)不能无限减小。


2、电源IC驱动能力不足时

如果(guo)选择(ze)MOS管(guan)寄(ji)生电(dian)容比较大,电(dian)源(yuan)(yuan)IC内部的驱动能(neng)力(li)(li)又(you)不足时,需要在驱动电(dian)路上增强驱动能(neng)力(li)(li),常使用图(tu)腾柱(zhu)电(dian)路增加电(dian)源(yuan)(yuan)IC驱动能(neng)力(li)(li),其电(dian)路如图(tu) 2虚线框所示。


电源mos

图(tu) 2 图(tu)腾柱驱(qu)动(dong)MOS


这(zhei)种(zhong)驱(qu)动(dong)电(dian)路作用在于,提升电(dian)流提供能(neng)力,迅速(su)完成对于栅极输入电(dian)容(rong)电(dian)荷的(de)充电(dian)过程。这(zhei)种(zhong)拓(tuo)扑增加了(le)导通所需要的(de)时(shi)间(jian),但是减(jian)少了(le)关断时(shi)间(jian),开关管能(neng)快速(su)开通且(qie)避免上升沿的(de)高频(pin)振(zhen)荡(dang)。


3、驱动电路加速MOS管关断时间


电源mos

图 3 加速MOS关断


关断(duan)瞬间(jian)(jian)驱动电(dian)(dian)(dian)路能提供一个尽可(ke)能低阻(zu)抗的(de)通(tong)路供MOSFET栅源极(ji)间(jian)(jian)电(dian)(dian)(dian)容电(dian)(dian)(dian)压快(kuai)(kuai)速(su)泄放(fang),保证开关管能快(kuai)(kuai)速(su)关断(duan)。为使(shi)(shi)栅源极(ji)间(jian)(jian)电(dian)(dian)(dian)容电(dian)(dian)(dian)压的(de)快(kuai)(kuai)速(su)泄放(fang),常(chang)在驱动电(dian)(dian)(dian)阻(zu)上(shang)并联一个电(dian)(dian)(dian)阻(zu)和一个二(er)极(ji)管,如图(tu)3所示(shi),其中D1常(chang)用的(de)是快(kuai)(kuai)恢复二(er)极(ji)管。这使(shi)(shi)关断(duan)时(shi)间(jian)(jian)减小,同时(shi)减小关断(duan)时(shi)的(de)损耗。Rg2是防止关断(duan)的(de)时(shi)电(dian)(dian)(dian)流过大(da),把电(dian)(dian)(dian)源IC给烧掉(diao)。


电源mos

图 4 改进型加(jia)速MOS关断


在第(di)二点介绍的(de)(de)图腾柱电(dian)(dian)(dian)路也(ye)有(you)(you)加(jia)快关断作用(yong)。当电(dian)(dian)(dian)源(yuan)IC的(de)(de)驱(qu)动能力足(zu)够时(shi),对图2中(zhong)电(dian)(dian)(dian)路改进可以加(jia)速MOS管(guan)关断时(shi)间(jian),得到如图4所示电(dian)(dian)(dian)路。用(yong)三(san)极管(guan)来泄(xie)放栅源(yuan)极间(jian)电(dian)(dian)(dian)容电(dian)(dian)(dian)压(ya)是比(bi)较常(chang)见的(de)(de)。如果Q1的(de)(de)发射极没有(you)(you)电(dian)(dian)(dian)阻(zu),当PNP三(san)极管(guan)导通(tong)时(shi),栅源(yuan)极间(jian)电(dian)(dian)(dian)容短接,达(da)到最短时(shi)间(jian)内把电(dian)(dian)(dian)荷放完(wan),最大(da)限(xian)度减小关断时(shi)的(de)(de)交叉损耗。与图3拓扑(pu)相比(bi)较,还有(you)(you)一(yi)个好处,就是栅源(yuan)极间(jian)电(dian)(dian)(dian)容上的(de)(de)电(dian)(dian)(dian)荷泄(xie)放时(shi)电(dian)(dian)(dian)流不经(jing)过电(dian)(dian)(dian)源(yuan)IC,提(ti)高了可靠(kao)性。


4、驱动电路加速MOS管关断时间


电源mos

图 5 隔离驱(qu)动


为了满足如图 5所示高(gao)端MOS管的驱动,经常会采(cai)用变压器(qi)驱动,有时为了满足安(an)全隔离也(ye)使用变压器(qi)驱动。其中R1目(mu)的是抑制PCB板上寄(ji)生的电感与C1形(xing)成LC振荡(dang),C1的目(mu)的是隔开(kai)直流,通过交流,同时也(ye)能防止磁芯饱和。


5、当源极输出为高电压时的驱动

当源极输出为高电(dian)(dian)压的情况(kuang)时,我们(men)(men)需要(yao)采用偏置(zhi)电(dian)(dian)路达到电(dian)(dian)路工(gong)作的目的,既我们(men)(men)以源极为参考点,搭建偏置(zhi)电(dian)(dian)路,驱动(dong)电(dian)(dian)压在两个电(dian)(dian)压之间波动(dong),驱动(dong)电(dian)(dian)压偏差(cha)由低电(dian)(dian)压提供,如下图6所(suo)示。


电源mos

图6 源(yuan)极输出为高电压时的驱动电路


除(chu)了以上驱(qu)动电(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)之(zhi)外,还有(you)(you)很多其(qi)它形式的(de)驱(qu)动电(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)。对(dui)于各(ge)种各(ge)样的(de)驱(qu)动电(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)并(bing)没(mei)有(you)(you)一种驱(qu)动电(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)是最好的(de),只有(you)(you)结合具体(ti)应用,选(xuan)择(ze)最合适的(de)驱(qu)动。


下面介绍一些关于开关电源经典回答。



1)开关电源变压器如果用铜带取代漆包线,其允许通过的电流怎么算?比如说厚度为0.1mm的铜带,允许通过的电流怎么算?


专家解答(da):如(ru)果开关(guan)电(dian)源变压器用铜(tong)(tong)带(dai)取(qu)代漆包(bao)线(xian),铜(tong)(tong)带(dai)(漆包(bao)线(xian))的(de)涡(wo)流(liu)损耗(hao)可以(yi)(yi)(yi)大大将小,工作(zuo)频率可以(yi)(yi)(yi)相(xiang)应提高,但直流(liu)损耗(hao)几(ji)乎不变,铜(tong)(tong)带(dai)允(yun)许通过的(de)电(dian)流(liu)密度一(yi)般还是不要超(chao)过4.5A/平方(fang)毫米。电(dian)流(liu)密度等于(yu)电(dian)流(liu)除与以(yi)(yi)(yi)导体的(de)截面(mian)积,导体的(de)截面(mian)积等于(yu)厚(0.1mm)乘以(yi)(yi)(yi)宽(kuan)(kuan)(铜(tong)(tong)带(dai)的(de)宽(kuan)(kuan)度)。


2)电源开关交流回路和整流器的交流回路是最容易产生电磁干扰的吗?


专家解答:开关(guan)(guan)电(dian)(dian)源产生(sheng)电(dian)(dian)磁干(gan)(gan)(gan)扰(rao)最严重的(de)地方(fang)(fang)是(shi)开关(guan)(guan)变压器的(de)初、次级线(xian)圈组成(cheng)的(de)电(dian)(dian)路,但(dan)它的(de)干(gan)(gan)(gan)扰(rao)会(hui)通过感应(ying)对其(qi)它电(dian)(dian)路产生(sheng)辐射和(he)传导(dao)干(gan)(gan)(gan)扰(rao),传导(dao)干(gan)(gan)(gan)扰(rao)和(he)辐射干(gan)(gan)(gan)扰(rao)最严重的(de)地方(fang)(fang)是(shi)电(dian)(dian)源线(xian),因(yin)为(wei)电(dian)(dian)源线(xian)很容易成(cheng)为(wei)辐射源的(de)半波振子(zi)天线(xian),另外(wai)它又与外(wai)线(xian)路进行连接,很容易把干(gan)(gan)(gan)扰(rao)信号传输(shu)给其(qi)它设备。所以(yi)在开关(guan)(guan)电(dian)(dian)源的(de)输(shu)入端一定(ding)要对电(dian)(dian)源线(xian)进行有效隔离。


3)降低变压器的温升有什么具体方法?


专(zhuan)家解答:降(jiang)低(di)(di)变压(ya)温升的(de)(de)(de)(de)方法一个(ge)是降(jiang)低(di)(di)变压(ya)器磁(ci)(ci)芯(xin)的(de)(de)(de)(de)最大磁(ci)(ci)通增(zeng)量(Bm)的(de)(de)(de)(de)取值,因为(wei)变压(ya)器磁(ci)(ci)芯(xin)的(de)(de)(de)(de)损(sun)(sun)耗(hao)(hao)(hao)(磁(ci)(ci)滞损(sun)(sun)耗(hao)(hao)(hao)和(he)涡(wo)(wo)流(liu)(liu)损(sun)(sun)耗(hao)(hao)(hao))与(yu)(yu)磁(ci)(ci)通密度的(de)(de)(de)(de)平(ping)方成(cheng)正(zheng)比;另一个(ge)是降(jiang)低(di)(di)开关电(dian)源的(de)(de)(de)(de)工作(zuo)频率,因为(wei)变压(ya)器磁(ci)(ci)芯(xin)的(de)(de)(de)(de)损(sun)(sun)耗(hao)(hao)(hao)(磁(ci)(ci)滞损(sun)(sun)耗(hao)(hao)(hao)和(he)涡(wo)(wo)流(liu)(liu)损(sun)(sun)耗(hao)(hao)(hao))与(yu)(yu)工作(zuo)频率成(cheng)正(zheng)比;再一个(ge)是降(jiang)低(di)(di)线(xian)(xian)圈的(de)(de)(de)(de)损(sun)(sun)耗(hao)(hao)(hao),线(xian)(xian)圈的(de)(de)(de)(de)损(sun)(sun)耗(hao)(hao)(hao)(主要是涡(wo)(wo)流(liu)(liu)损(sun)(sun)耗(hao)(hao)(hao)),线(xian)(xian)圈的(de)(de)(de)(de)涡(wo)(wo)流(liu)(liu)损(sun)(sun)耗(hao)(hao)(hao)与(yu)(yu)集肤效应损(sun)(sun)耗(hao)(hao)(hao)也与(yu)(yu)工作(zuo)频率成(cheng)正(zheng)比,降(jiang)低(di)(di)线(xian)(xian)圈的(de)(de)(de)(de)直流(liu)(liu)损(sun)(sun)耗(hao)(hao)(hao)必须(xu)降(jiang)低(di)(di)导线(xian)(xian)的(de)(de)(de)(de)电(dian)流(liu)(liu)密度,一般漆(qi)包(bao)线(xian)(xian)的(de)(de)(de)(de)电(dian)流(liu)(liu)密度不能超过4.5A/平(ping)方毫米。


4)反激式开关电源的占空比是如何变化的?


专家(jia)解答:反(fan)激式开(kai)关(guan)电(dian)(dian)源(yuan)(yuan)的(de)占(zhan)(zhan)空比(bi)(bi)(bi)主(zhu)要(yao)由输(shu)(shu)入电(dian)(dian)压(ya)(ya)和开(kai)关(guan)电(dian)(dian)源(yuan)(yuan)管(guan)的(de)耐(nai)压(ya)(ya)来(lai)决定,当输(shu)(shu)入电(dian)(dian)压(ya)(ya)变化(hua)时占(zhan)(zhan)空比(bi)(bi)(bi)也要(yao)跟着变化(hua)。例如(ru)当输(shu)(shu)入电(dian)(dian)压(ya)(ya)为(wei)AC260V时,如(ru)果电(dian)(dian)源(yuan)(yuan)开(kai)关(guan)管(guan)的(de)耐(nai)压(ya)(ya)为(wei)650V,则占(zhan)(zhan)空比(bi)(bi)(bi)大(da)为(wei)0.306;当输(shu)(shu)入电(dian)(dian)压(ya)(ya)为(wei)AC170V时,占(zhan)(zhan)空比(bi)(bi)(bi)大(da)约为(wei)0.5;当输(shu)(shu)入电(dian)(dian)压(ya)(ya)低(di)于AC170V时,占(zhan)(zhan)空比(bi)(bi)(bi)大(da)于0.5。但不管(guan)输(shu)(shu)入电(dian)(dian)压(ya)(ya)这样变化(hua),开(kai)关(guan)电(dian)(dian)源(yuan)(yuan)都会通过改变占(zhan)(zhan)空比(bi)(bi)(bi)来(lai)大(da)到稳定(或改变)输(shu)(shu)出电(dian)(dian)压(ya)(ya)的(de)数值。


5)正激和反激的区别主要在哪?


专家解答(da):正激式(shi)开(kai)(kai)关(guan)(guan)电(dian)(dian)(dian)源(yuan)是电(dian)(dian)(dian)源(yuan)开(kai)(kai)关(guan)(guan)管导通(tong)的时(shi)(shi)候,电(dian)(dian)(dian)源(yuan)向负(fu)(fu)责提供(gong)功率输(shu)(shu)(shu)出(chu)(chu),而关(guan)(guan)断的时(shi)(shi)候没有功率输(shu)(shu)(shu)出(chu)(chu)。反激式(shi)开(kai)(kai)关(guan)(guan)电(dian)(dian)(dian)源(yuan)正好相反,电(dian)(dian)(dian)源(yuan)开(kai)(kai)关(guan)(guan)管导通(tong)时(shi)(shi)只向变压(ya)(ya)器(qi)存储能(neng)量,没有给负(fu)(fu)载(zai)提供(gong)功率输(shu)(shu)(shu)出(chu)(chu),仅在电(dian)(dian)(dian)源(yuan)开(kai)(kai)关(guan)(guan)管关(guan)(guan)断时(shi)(shi)才向负(fu)(fu)载(zai)提供(gong)输(shu)(shu)(shu)出(chu)(chu)。正激式(shi)开(kai)(kai)关(guan)(guan)电(dian)(dian)(dian)源(yuan)输(shu)(shu)(shu)出(chu)(chu)电(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)是取整(zheng)流(liu)输(shu)(shu)(shu)出(chu)(chu)电(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)的平均(jun)值,反激式(shi)开(kai)(kai)关(guan)(guan)电(dian)(dian)(dian)源(yuan)输(shu)(shu)(shu)出(chu)(chu)电(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)是取整(zheng)流(liu)输(shu)(shu)(shu)出(chu)(chu)电(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)的半波平均(jun)值,两种电(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)输(shu)(shu)(shu)出(chu)(chu)的相位正好相反。


6)能具体讲讲环路设计吗?


专(zhuan)家解答:反馈(kui)环(huan)路(lu)的增(zeng)益,既不(bu)(bu)(bu)是越(yue)大(da)越(yue)好(hao),也(ye)不(bu)(bu)(bu)是越(yue)小越(yue)好(hao)。当反馈(kui)环(huan)路(lu)的增(zeng)益过高时(shi),输(shu)(shu)出(chu)电(dian)(dian)压会围绕着平均值(zhi)来回(hui)跟踪,输(shu)(shu)出(chu)电(dian)(dian)压上下波动(dong)很(hen)厉害(hai),增(zeng)益越(yue)高,波动(dong)的幅度就越(yue)大(da),严重(zhong)时(shi)会出(chu)现振荡;当反馈(kui)环(huan)路(lu)的增(zeng)益过低时(shi),输(shu)(shu)出(chu)电(dian)(dian)压又(you)会不(bu)(bu)(bu)稳定,因为电(dian)(dian)压跟踪不(bu)(bu)(bu)到位,会存(cun)在一个(ge)滞后误差(cha)。


为了使输出电(dian)压稳定(ding)(ding)(ding),但又不(bu)发生振(zhen)荡,一(yi)般都把反馈环(huan)路(lu)分成三个回(hui)(hui)路(lu)来(lai)组成,一(yi)个回(hui)(hui)路(lu)用来(lai)决定(ding)(ding)(ding)微分增益(yi)(yi)(yi)的(de)(de)大(da)(da)(da)小(xiao)(xiao),另一(yi)个回(hui)(hui)路(lu)用来(lai)决定(ding)(ding)(ding)积分增益(yi)(yi)(yi)的(de)(de)大(da)(da)(da)小(xiao)(xiao),还有一(yi)个是(shi)决定(ding)(ding)(ding)直(zhi)流增益(yi)(yi)(yi)的(de)(de)大(da)(da)(da)小(xiao)(xiao)。这样(yang)做的(de)(de)目的(de)(de)是(shi),在(zai)(zai)误差(cha)信号很小(xiao)(xiao)的(de)(de)时候,环(huan)路(lu)增益(yi)(yi)(yi)很大(da)(da)(da),而在(zai)(zai)误差(cha)小(xiao)(xiao)号很大(da)(da)(da)的(de)(de)时候环(huan)路(lu)增益(yi)(yi)(yi)又会变小(xiao)(xiao),即误差(cha)放大(da)(da)(da)器的(de)(de)增益(yi)(yi)(yi)是(shi)动态的(de)(de)。仔细调节这三个反馈环(huan)路(lu)的(de)(de)增益(yi)(yi)(yi),就(jiu)可以(yi)实现(xian)开关电(dian)源既稳定(ding)(ding)(ding),又不(bu)出现(xian)振(zhen)荡。


7)反激电源开关MOS如何降到最低?特别是在硬开关条件下。


专家解答:降(jiang)低占空(kong)(kong)比(bi),但占空(kong)(kong)比(bi)太(tai)低,电源的工(gong)作(zuo)效率大(da)大(da)降(jiang)低,电压调整范围也会减小。


8)铜箔损耗占电源损耗比例约为多少?


专(zhuan)家解答(da):非常(chang)小(xiao),如(ru)果(guo)铜箔损(sun)耗大,铜箔的(de)(de)(de)温(wen)升(sheng)会很高,如(ru)果(guo)超(chao)过(guo)80度,铜箔的(de)(de)(de)油漆会发黄。但(dan)也(ye)只相当于一(yi)个1~3瓦左右(you)的(de)(de)(de)金(jin)属膜(mo)电阻在同样温(wen)升(sheng)时的(de)(de)(de)损(sun)耗。


9)驱动波形大小波问题是什么原因引起的??我有款电源,在低压AC85-120V的时候输出驱动都很正常,,当电压变为120-150V的时候,驱动出现大小波,输出电流明显下降。当电压再次提升到150V-265V的时候,驱动波形的频率完全不对头了,输出也不对了。


专家解答:如果(guo)你的(de)驱(qu)动(dong)电路采用电容或变压(ya)器输出(chu)(chu),会出(chu)(chu)现这种情况(kuang),因为(wei)电容或变压(ya)器传输波形(xing)(xing)(信(xin)号(hao)时),信(xin)号(hao)中不(bu)能含有直流(liu)分量,如果(guo)含有直流(liu)分量,输出(chu)(chu)波形(xing)(xing)将出(chu)(chu)现严重(zhong)失(shi)(shi)(shi)真(zhen),只有驱(qu)动(dong)电路的(de)输出(chu)(chu)波形(xing)(xing),其占空比(bi)为(wei)0.5时,输出(chu)(chu)波形(xing)(xing)才不(bu)会产生失(shi)(shi)(shi)真(zhen),而占空比(bi)过(guo)大或过(guo)小,都会出(chu)(chu)现失(shi)(shi)(shi)真(zhen)。


10)想问下关于整流桥的选择,不同的功率选怎么样的整流桥?还有就是我做了一款30W的电源,用了3A700V的整流桥,发现整流桥很烫,没几分钟温度就大约有60多度了。这个引起整流桥发烫的原因有哪些?


专家解(jie)答:整(zheng)流(liu)二(er)极(ji)(ji)管(guan)(guan)的(de)选(xuan)择主(zhu)要是根据流(liu)过(guo)(guo)整(zheng)流(liu)二(er)极(ji)(ji)管(guan)(guan)的(de)电(dian)流(liu)大小和耐压(ya)(ya)还(hai)有工作(zuo)频(pin)率这(zhei)三个参数(shu)来决定(ding),进行电(dian)路(lu)参数(shu)设计时,流(liu)过(guo)(guo)整(zheng)流(liu)二(er)极(ji)(ji)管(guan)(guan)的(de)电(dian)流(liu)一(yi)般只能取标称(cheng)值(25℃时)的(de)三分之一(yi),因为流(liu)过(guo)(guo)整(zheng)流(liu)二(er)极(ji)(ji)管(guan)(guan)的(de)工作(zuo)温(wen)度(du)可能会上升(sheng)到(dao)80℃以上。如果整(zheng)流(liu)二(er)极(ji)(ji)管(guan)(guan)的(de)导(dao)通(tong)和关断(duan)速度(du)很低(di),它在电(dian)压(ya)(ya)反向(xiang)的(de)情况下还(hai)会导(dao)通(tong)一(yi)段时间,即反向(xiang)电(dian)流(liu)非常大,这(zhei)样(yang)整(zheng)流(liu)二(er)极(ji)(ji)管(guan)(guan)也会发(fa)热(re)。你的(de)整(zheng)流(liu)桥(qiao)发(fa)热(re)可能属于后一(yi)种情况。


11)反馈环路设计 以及 补偿 如何入手?还望老师耐心解答。


专家(jia)解(jie)答(da):反(fan)馈(kui)环(huan)路的(de)(de)(de)(de)增(zeng)(zeng)益(yi)(yi)(yi),既(ji)不是(shi)越(yue)(yue)大(da)(da)越(yue)(yue)好,也不是(shi)越(yue)(yue)小(xiao)越(yue)(yue)好。当反(fan)馈(kui)环(huan)路的(de)(de)(de)(de)增(zeng)(zeng)益(yi)(yi)(yi)过高时(shi),输(shu)(shu)出(chu)(chu)电压(ya)(ya)会围绕着平(ping)均值上下(xia)波动(dong),增(zeng)(zeng)益(yi)(yi)(yi)越(yue)(yue)高,波动(dong)的(de)(de)(de)(de)幅度就越(yue)(yue)大(da)(da),严重时(shi)会出(chu)(chu)现(xian)振荡(dang);当反(fan)馈(kui)环(huan)路的(de)(de)(de)(de)增(zeng)(zeng)益(yi)(yi)(yi)过低时(shi),输(shu)(shu)出(chu)(chu)电压(ya)(ya)又会不稳定(ding)。为了使(shi)输(shu)(shu)出(chu)(chu)电压(ya)(ya)稳定(ding),但又不发生振荡(dang),一般都(dou)把反(fan)馈(kui)环(huan)路分(fen)成三个(ge)回(hui)路来组成,一个(ge)回(hui)路用来决定(ding)微分(fen)增(zeng)(zeng)益(yi)(yi)(yi)的(de)(de)(de)(de)大(da)(da)小(xiao),另一个(ge)回(hui)路用来决定(ding)积分(fen)增(zeng)(zeng)益(yi)(yi)(yi)的(de)(de)(de)(de)大(da)(da)小(xiao),还有(you)一个(ge)是(shi)决定(ding)直流增(zeng)(zeng)益(yi)(yi)(yi)的(de)(de)(de)(de)大(da)(da)小(xiao)。仔细调节这三个(ge)反(fan)馈(kui)环(huan)路的(de)(de)(de)(de)增(zeng)(zeng)益(yi)(yi)(yi),就可以实现(xian)开关电源既(ji)稳定(ding),又不出(chu)(chu)现(xian)振荡(dang)。


12)最近在做DC TO DC效率有点低,怎样解决呢?


专家(jia)解答:把(ba)工作频(pin)率降(jiang)(jiang)低(di),或把(ba)电(dian)源开(kai)(kai)关管(guan)换成一个(ge)高速开(kai)(kai)关管(guan),另外还(hai)可以把(ba)变压器的(de)(de)体积加(jia)大,把(ba)最大磁通密度(Bm)的(de)(de)取值降(jiang)(jiang)低(di),即把(ba)开(kai)(kai)关变压器初级线圈(quan)的(de)(de)匝数(shu)增(zeng)加(jia),因(yin)为开(kai)(kai)关变压器的(de)(de)磁滞损耗(hao)和(he)涡流损耗(hao)与工作频(pin)率成正(zheng)比(bi)(bi),与最大磁通密度增(zeng)量的(de)(de)平方成正(zheng)比(bi)(bi)。


13)老师您好,您是怎么计算最小直流电压的?我看了好几个版本一直找不到最合适的。


专家解答:这里我(wo)不太明白你说的(de)“最(zui)小直流电(dian)压(ya)(ya)(ya)”是指哪方(fang)面?如(ru)果是开关(guan)电(dian)源的(de)最(zui)小输入(ru)(ru)直流电(dian)压(ya)(ya)(ya),一般可根据最(zui)低(di)输入(ru)(ru)交(jiao)流电(dian)压(ya)(ya)(ya)换算得来,比如(ru),最(zui)低(di)输入(ru)(ru)交(jiao)流电(dian)压(ya)(ya)(ya)为AC100V(有(you)效值(zhi)),则换算为最(zui)低(di)直流输入(ru)(ru)电(dian)压(ya)(ya)(ya)大(da)约为120V(取平(ping)(ping)均值(zhi)),因为整流滤波后最(zui)大(da)值(zhi)为140V,最(zui)低(di)值(zhi)为100V,取平(ping)(ping)均值(zhi)就是120V。


如果最小直流(liu)电(dian)(dian)压(ya)为晶体(ti)管自激式开关(guan)电(dian)(dian)源的正反馈电(dian)(dian)压(ya),则此(ci)电(dian)(dian)压(ya)最好(hao)(hao)选(xuan)为晶管导通时工(gong)作电(dian)(dian)压(ya)的2倍,而留(liu)1倍作为可(ke)调(diao)整的余量用。如果最小直流(liu)电(dian)(dian)压(ya)为场效应管驱动电(dian)(dian)路的最小工(gong)作电(dian)(dian)压(ya),则此(ci)工(gong)作电(dian)(dian)压(ya)最低不(bu)能小于(yu)16V,因为,大功率场效应管深度(du)饱和(he)需要的驱动电(dian)(dian)压(ya)都在12V以上(最好(hao)(hao)为20V)。


14)老师您好,我做的反激式变压器电源输出侧有毛刺,且毛刺的频率和原边开关频率一样,怎么消除毛刺呢?


专家解答:在次级整流与(yu)滤波电容之间串(chuan)了(le)一个小电感,但电感流过直流时(shi)不能饱和(he),这种电感的(de)磁(ci)回(hui)路不能用封闭(bi)式(shi)的(de),必须要留有很大的(de)气(qi)隙。


15)反激式电源开关频率如何优化选择? VOR反激电压如何优化设置,在什么情况下最合适?谢谢!匝比如何 最优化计算?谢谢。


专家解答:反激式(shi)开(kai)(kai)关(guan)(guan)电(dian)源(yuan)工(gong)作(zuo)频率的(de)选择主(zhu)要(yao)与(yu)开(kai)(kai)关(guan)(guan)电(dian)源(yuan)的(de)工(gong)作(zuo)效(xiao)率和(he)体积大小(xiao)有关(guan)(guan),而开(kai)(kai)关(guan)(guan)电(dian)源(yuan)的(de)工(gong)作(zuo)效(xiao)率又主(zhu)要(yao)与(yu)开(kai)(kai)关(guan)(guan)电(dian)源(yuan)管、开(kai)(kai)关(guan)(guan)变压器的(de)损(sun)(sun)耗(hao)(磁滞损(sun)(sun)耗(hao)和(he)涡流损(sun)(sun)耗(hao))有关(guan)(guan),这(zhei)两者的(de)损(sun)(sun)耗(hao)均与(yu)频率成正比。开(kai)(kai)关(guan)(guan)电(dian)源(yuan)管的(de)损(sun)(sun)耗(hao)主(zhu)要(yao)由开(kai)(kai)通损(sun)(sun)耗(hao)(导通时(shi)间损(sun)(sun)耗(hao))和(he)关(guan)(guan)断损(sun)(sun)耗(hao)(关(guan)(guan)断时(shi)间损(sun)(sun)耗(hao))组(zu)成,开(kai)(kai)关(guan)(guan)电(dian)源(yuan)管的(de)导通时(shi)间和(he)关(guan)(guan)断时(shi)间越(yue)长(zhang),这(zhei)两个损(sun)(sun)耗(hao)就越(yue)大。


一般(ban)大功率(lv)开关电源管的导通时(shi)间(jian)(jian)(jian)和(he)关断时(shi)间(jian)(jian)(jian)都(dou)(dou)比小功率(lv)开关电源管的导通时(shi)间(jian)(jian)(jian)和(he)关断时(shi)间(jian)(jian)(jian)长很(hen)多(duo),所以(yi)大功率(lv)开关电源的工(gong)作频率(lv)一般(ban)都(dou)(dou)取得比较低。


在(zai)考(kao)虑开(kai)关(guan)(guan)电(dian)源的(de)工(gong)作(zuo)效(xiao)率时,如果从开(kai)关(guan)(guan)电(dian)源的(de)体积和成本等(deng)方(fang)面考(kao)虑,最好选工(gong)作(zuo)效(xiao)率为80%左右(you)较为合适,此时,开(kai)关(guan)(guan)电(dian)源管的(de)损(sun)耗(hao)大(da)(da)约(yue)占(zhan)总(zong)(zong)损(sun)耗(hao)的(de)50%,开(kai)关(guan)(guan)变压器的(de)损(sun)耗(hao)大(da)(da)约(yue)占(zhan)总(zong)(zong)损(sun)耗(hao)的(de)30%,其余电(dian)路(lu)的(de)损(sun)耗(hao)大(da)(da)约(yue)占(zhan)总(zong)(zong)损(sun)耗(hao)的(de)20%。开(kai)关(guan)(guan)变压器的(de)匝数(shu)比(bi)与输(shu)入输(shu)出(chu)电(dian)压的(de)比(bi)值有关(guan)(guan),与开(kai)关(guan)(guan)电(dian)源的(de)占(zhan)空比(bi)有关(guan)(guan)。



联系方式(shi):邹先生

手机(ji):18123972950

QQ:2880195519

联系地址(zhi):深圳市福田(tian)区(qu)车(che)公庙天安数码城天吉(ji)大(da)厦CD座5C1


关注(zhu)KIA半导体工程(cheng)专辑请搜微(wei)(wei)信号:“KIA半导体”或点击本文下方图片(pian)扫一扫进(jin)入官方微(wei)(wei)信“关注(zhu)”


长按二维码(ma)识别(bie)关注

相关资讯

login_利盈娱乐「一家用心的游戏平台」 沐鸣娱乐(中国)创新平台科技有限公司 鼎点耀世娱乐