N沟道耗尽型mos管

金(jin)属-氧化物-半导(dao)体(ti)(ti)结构的晶(jing)体(ti)(ti)管(guan)简(jian)称MOS晶(jing)体(ti)(ti)管(guan)，有(you)P型MOS管(guan)和N型MOS管(guan)之分。MOS管(guan)构成(cheng)的集成(cheng)电(dian)(dian)路(lu)(lu)称为MOS集成(cheng)电(dian)(dian)路(lu)(lu)，而PMOS管(guan)和NMOS管(guan)共同构成(cheng)的互(hu)补型MOS集成(cheng)电(dian)(dian)路(lu)(lu)即(ji)为CMOS集成(cheng)电(dian)(dian)路(lu)(lu)。

由p型衬(chen)底(di)和两(liang)个高浓度n扩散区(qu)构成(cheng)的(de)MOS管(guan)叫作n沟(gou)(gou)(gou)(gou)道(dao)MOS管(guan)，该管(guan)导(dao)(dao)(dao)通时在(zai)两(liang)个高浓度n扩散区(qu)间构成(cheng)n型导(dao)(dao)(dao)电沟(gou)(gou)(gou)(gou)道(dao)。n沟(gou)(gou)(gou)(gou)道(dao)加(jia)强型MOS管(guan)必(bi)需在(zai)栅极上施(shi)加(jia)正向偏压，且只要栅源电压大于阈(yu)值电压时才有导(dao)(dao)(dao)电沟(gou)(gou)(gou)(gou)道(dao)产(chan)生的(de)n沟(gou)(gou)(gou)(gou)道(dao)MOS管(guan)。n沟(gou)(gou)(gou)(gou)道(dao)耗(hao)尽型MOS管(guan)是指在(zai)不加(jia)栅压（栅源电压为零(ling)）时，就有导(dao)(dao)(dao)电沟(gou)(gou)(gou)(gou)道(dao)产(chan)生的(de)n沟(gou)(gou)(gou)(gou)道(dao)MOS管(guan)。

从构造(zao)简单上看，N沟(gou)(gou)道(dao)(dao)耗(hao)尽(jin)型(xing)(xing)MOS管与N沟(gou)(gou)道(dao)(dao)加强型(xing)(xing)MOS管根本类(lei)似,其区别仅(jin)在于栅－源极(ji)间电压vGS=0时，耗(hao)尽(jin)型(xing)(xing)MOS管中(zhong)的漏－源极(ji)间已有导电沟(gou)(gou)道(dao)(dao)产生，而增(zeng)强型(xing)(xing)MOS管要在vGS≥VT时才呈(cheng)现(xian)导电沟(gou)(gou)道(dao)(dao)。

缘(yuan)由是制(zhi)造N沟(gou)(gou)道耗(hao)尽(jin)型MOS管(guan)(guan)时，在SiO2绝(jue)缘(yuan)层中(zhong)掺入了大量的(de)(de)碱(jian)金属正(zheng)离子(zi)Na+或K+(制(zhi)造P沟(gou)(gou)道耗(hao)尽(jin)型MOS管(guan)(guan)时掺入负离子(zi))，因而即便vGS=0时，在这(zhei)些正(zheng)离子(zi)产生(sheng)的(de)(de)电场作用(yong)下(xia)，漏－源(yuan)极间的(de)(de)P型衬底外表也(ye)能感(gan)应(ying)生(sheng)成(cheng)N沟(gou)(gou)道(称为初始沟(gou)(gou)道)，只需加上正(zheng)向电压vDS，就(jiu)有电流iD。假如(ru)加上正(zheng)的(de)(de)vGS，栅(zha)极与(yu)N沟(gou)(gou)道间的(de)(de)电场将在沟(gou)(gou)道中(zhong)吸收来更多的(de)(de)电子(zi)，沟(gou)(gou)道加宽，沟(gou)(gou)道电阻变(bian)小(xiao)，iD增大。反(fan)之vGS为负时，沟(gou)(gou)道中(zhong)感(gan)应(ying)的(de)(de)电子(zi)减(jian)少(shao)，沟(gou)(gou)道变(bian)窄(zhai)，沟(gou)(gou)道电阻变(bian)大，iD减(jian)小(xiao)。

当(dang)vGS负向增加到某一数(shu)值时(shi)，导电(dian)(dian)沟(gou)(gou)道消逝，iD趋于零(ling)，管(guan)子截(jie)止，故称(cheng)为(wei)耗(hao)尽型。沟(gou)(gou)道消逝时(shi)的栅-源电(dian)(dian)压称(cheng)为(wei)夹(jia)断电(dian)(dian)压，仍用VP表示。与(yu)N沟(gou)(gou)道结型场效应管(guan)相同，N沟(gou)(gou)道耗(hao)尽型MOS管(guan)的夹(jia)断电(dian)(dian)压VP也为(wei)负值，但是，前者只(zhi)能在vGS<0的状况下工作。

后者在vGS=0，vGS>0，VP

相关搜索：

耗尽型场效应管 增强型nmos管工作原理 n沟道增强型mos管

联系方式：邹(zou)先生