4N65H参(can)数(shu)概述

这是功率MOSFET采(cai)用先进的平面条(tiao)形DMOS工艺生产(chan)的(de)(de)起亚。这先进的(de)(de)技术已特(te)别定制，以尽量减少对(dui)的(de)(de)阻力，提供优越(yue)的(de)(de)。

开关性能(neng)，在雪崩和换相(xiang)模式下承受高能(neng)量脉冲。这(zhei)些器件非常适用于高(gao)效(xiao)率开关电源，有源功(gong)率因(yin)数校(xiao)正、基(ji)于半(ban)桥拓扑。

特征：

RDS(on) =2.5?@ VGS=10V

低(di)栅极电荷（典型的16nc）

高耐用(yong)性

快速切换

100%雪崩测试

改进(jin)的dt／dt能力

参数：

产品型号：KIA4N65H

极性：N沟道MOSFET

漏(lou)源(yuan)电压(vdss):650V

栅源电压（vgss)：±30V

连续漏电流：（ld）：3.0A

脉冲漏极电(dian)流(liu)：12A

雪崩电流：210mJ

雪崩能量：5.8mJ

耗散功率(lv)（pd）：58W

热电阻：110℃/W

漏源(yuan)击穿电压：650V

温度系数：0.65V/℃

栅极阈值电压（min）：100nA

	4N65H（4A 650V）
产(chan)品(pin)编号	KIA4N65/H/HD/HF/HU
FET极性	N沟(gou)道
产品工艺(yi)	功(gong)率(lv)MOSFET采用(yong)先进的(de)平面条形DMOS工艺(yi)生产的(de)起亚。这先进的(de)技术已特别定制，以尽量(liang)减少对的(de)阻力，提供优越的(de)。
产(chan)品特(te)征	RDS(on) =2.5??@ V GS =10V 低栅极电荷（典型的16nc）高耐用性快速(su)切(qie)换(huan) 100%雪崩(beng)测试改进的dt／dt能力
适(shi)用(yong)范(fan)围	开关性能，在雪(xue)崩(beng)和换相模(mo)式下承受高能量脉冲。这些器件非常适用于高效率开关电(dian)源(yuan)，有源(yuan)功率因(yin)数校正、基于半桥(qiao)拓扑。
封装形式(shi)	TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F
PDF文件	【直接(jie)在线预览(lan)】
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厂(chang)家	KIA原厂家
网(wang)址	shkegan.com
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