3560A产品(pin)参数

这(zhei)种高电压(ya)MOSFET采(cai)用先(xian)(xian)进的(de)方案，提(ti)(ti)供增强(qiang)的(de)电压(ya)。不随时间(jian)降低性(xing)能(neng)的(de)阻塞(sai)能(neng)力。此外，这(zhei)种先(xian)(xian)进的(de)MOSFET是设计能(neng)够(gou)承受高能(neng)量(liang)的(de)雪(xue)崩模式。这(zhei)种新的(de)节能(neng)设计还(hai)提(ti)(ti)供了一个快速恢复(fu)时间(jian)二(er)极(ji)管源(yuan)漏(lou)。专为(wei)高电压(ya)、高速设计开关电源(yuan)，转换器和(he)PWM电机控制(zhi)中(zhong)的(de)应用程序，这(zhei)些设备特别适(shi)用于桥式电路，二(er)极(ji)管速度和(he)换向(xiang)安全操作区域。关键和(he)提(ti)(ti)供额外的(de)和(he)安全边际对意外电压(ya)瞬变。

3560A特征

鲁棒高压端接

雪崩能量

源漏二极管恢(hui)复时(shi)间相(xiang)当于分立快恢(hui)复二极管

二极管的特点(dian)是(shi)用于桥式(shi)电路(lu)。

高温下指定的智(zhi)能决策支持系统

隔离安(an)装(zhuang)孔减少安(an)装(zhuang)硬件(jian)

3560A产品参数

产品型(xing)号：KCX3560A

工作(zuo)方式：76A.600V

漏电流连(lian)续：76A

漏电流脉(mai)冲：225.9A

栅源(yuan)电压（连续）：±20V

耗散功率：595W

漏(lou)源击穿电压：600V

栅极阈值电压：2V

输入电容：6018 PF

输出电容：245 PF

上升时间：114.8ns

封(feng)装形式(shi)：TO-247

3560产品规格

	KCX3560A（70A/600V)）
产品编号	KCX3560A（N沟道MOSFET）
产品工艺	这(zhei)种高电(dian)压(ya)MOSFET采用(yong)先(xian)进的(de)方案，提供增强的(de)电(dian)压(ya)。不(bu)随(sui)时间降低性能的(de)阻(zu)塞能力。此外，这(zhei)种先(xian)进的(de)MOSFET是设计(ji)能够承受高能量(liang)的(de)雪崩模式。这(zhei)种新的(de)节能设计(ji)还提供了一(yi)个快速恢复时间二(er)极管源漏。
产品特征	鲁棒高压端接(jie) 雪崩能量源漏(lou)二(er)极管恢复时间相(xiang)当于分立快恢复二(er)极管二极管(guan)的特点是用于桥式电路。高温下指定(ding)的(de)智能决(jue)策(ce)支持系统隔离(li)安(an)装(zhuang)孔(kong)减少(shao)安(an)装(zhuang)硬(ying)件
适用范围	专(zhuan)为(wei)高电(dian)压(ya)、高速(su)设计开关(guan)电(dian)源，转换器(qi)和(he)PWM电(dian)机(ji)控(kong)制中的(de)应用程序，这些设备特别(bie)适用于桥式电(dian)路，二(er)极管速(su)度和(he)换向安(an)全(quan)操作区域。关(guan)键和(he)提供额外的(de)和(he)安(an)全(quan)边(bian)际对意外电(dian)压(ya)瞬变(bian)。
封装形式	TO-247等(deng)
PDF文件	【直接在线预览】
LOGO
厂家	KIA原厂家
网址	shkegan.com
PDF总页数	总5页(ye)