login_新博2「一家高质量的游戏平台」20N50现货供应商 KIA20N50 PDF 20N50参数详细资料-KIA 官网

20N50现货供(gong)应商 KIA20N50 PDF 20N50参数详细(xi)资料-KIA 官网

信息来源(yuan)：本站　日期：2018-01-19　

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1、20N50型(xing)号描述(shu)

KIA20n50h N沟道(dao)增强(qiang)型(xing)硅栅功率MOSFET是(shi)专为高(gao)电(dian)压(ya)，高(gao)速功率开关(guan)应(ying)用，如高(gao)效(xiao)率开关(guan)电(dian)源(yuan)，有(you)源(yuan)功率因(yin)数(shu)校(xiao)正。

2、20N50产品参数

产品型号：KIA 20N50

漏极至(zhi)源(yuan)极电(dian)压（VDSS）：500V

栅源(yuan)电压(ya)（VGSS）：±30V

漏(lou)极(ji)电流（连续）（lD）：20A

耗散功(gong)率（PD）：41W/0.33W/℃

工作温(wen)度：+150/℃

击穿电压温度：0.5V/℃

输入电容：VGS =0V,VDS=25V,f=1MHz

上升时(shi)间：VDD=250V，ID=20A，RG=25Ω

封装形式：TO-220F、TO-247、TO-3P

3、20N50产品特征

RDS（on）= 0.21Ω@ V GS = 10v

Lowgate charge ( typical 70nC)

快速切换的能(neng)力

雪崩能(neng)量

改进(jin)的dt／dt能力

4、20N50产品规格

	20N50（20A 500V）
产品编(bian)号	KIA20N50/C/HF/HH/HM
产品工艺(yi)	kia20n50h N沟道增强型硅栅(zha)功(gong)率(lv)MOSFET是专为高电压，高速功(gong)率(lv)开关(guan)应用，如高效率(lv)开关(guan)电源，有源功(gong)率(lv)因数(shu)校正(zheng)。
沟道	N沟道MOSFET
特征	RDS（on）= 0.21Ω@ V GS = 10v Lowgate charge ( typical 70nC) 快速切(qie)换(huan)的能(neng)力(li) 雪崩(beng)能(neng)量改进的dt／dt能(neng)力
适(shi)用(yong)范围	主(zhu)要适(shi)用于高电(dian)(dian)压，高速功率(lv)(lv)开关(guan)(guan)应(ying)用，如(ru)高效率(lv)(lv)开关(guan)(guan)电(dian)(dian)源(yuan)，有源(yuan)功率(lv)(lv)因数校正
封装形(xing)式	TO-220F、TO-247、TO-3P
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厂家	KIA 原厂家
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网址(zhi)	shkegan.com
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