KCX9860A参数

这种高电(dian)压MOSFET采用先(xian)进的(de)终止方案，提供增强的(de)电(dian)压阻断。不随时(shi)间降低性能(neng)(neng)的(de)能(neng)(neng)力。此外，这种先(xian)进的(de)MOSFET的(de)设计在雪崩和换(huan)流模式下(xia)承受高能(neng)(neng)量。新的(de)节(jie)能(neng)(neng)设计也提供了一个具有(you)快速恢复(fu)时(shi)间流失源头二极管。专为高(gao)(gao)电(dian)(dian)压，高(gao)(gao)速开关(guan)在电(dian)(dian)源，转(zhuan)换(huan)器和(he)(he)PWM电(dian)(dian)机(ji)控制中的(de)(de)应(ying)用，这些设(she)备(bei)特别好。适用于桥式电(dian)(dian)路，二极管速度和(he)(he)整(zheng)流安(an)全操作区域至关(guan)重要。对(dui)意外电(dian)(dian)压瞬变的(de)(de)附(fu)加和(he)(he)安(an)全裕(yu)度。

KCX9860A特征

鲁棒(bang)高压端接(jie)

雪崩(beng)能量

源(yuan)漏(lou)二(er)极管恢(hui)复(fu)时(shi)间相当于分立快恢(hui)复(fu)二(er)极管

二(er)极(ji)管的特(te)点是用于桥式电(dian)路。

高(gao)温(wen)下(xia)指定的(de)智能决策支持系(xi)统

隔离(li)安(an)装(zhuang)孔减少安(an)装(zhuang)硬件

KCX9860A产品参数

产品型(xing)号：KCX9860A

工作(zuo)方式：47A/600V

漏电流连续(xu)：47A

耗散功率：417W

漏(lou)源击穿(chuan)电压(ya)：600V

栅极阈值电压(ya)：2V

输入(ru)电(dian)容：3119 PF

输出电容：2399.1 PF

上升时间：120.56ns

封装形式：TO-220F、TO-247

KCX9860A产品规格

	KCX9860A（47A 600V）
产品编号	KCX9860A/KCM9860A
产品工艺	这(zhei)种高电压MOSFET采用先(xian)进(jin)的终(zhong)止方案，提供(gong)(gong)增强的电压阻断。不(bu)随时(shi)(shi)间降低性能(neng)的能(neng)力。此外，这(zhei)种先(xian)进(jin)的MOSFET的设计在雪(xue)崩和换流模式下承受高能(neng)量。新的节能(neng)设计也提供(gong)(gong)了(le)一个具有快速恢复时(shi)(shi)间流失(shi)源头(tou)二极管。
产品特征	鲁棒高压端接雪崩能量源漏二极(ji)管(guan)恢复时间相当于分(fen)立(li)快恢复二极(ji)管(guan) 二(er)极管的特点是用于桥式电(dian)路。高(gao)温下指定的智能决策支持系(xi)统隔离安装孔减(jian)少(shao)安装硬(ying)件
适用范围	主要适用于升降机电(dian)源，逆变器。充电(dian)桩(zhuang)。光伏逆变等等
封装形式	TO-220F、TO-247
PDF文件	【直接在线预览】
LOGO
厂家	KIA原厂家
网址	shkegan.com
PDG页总数	总5页数