KCX3250A参数

这(zhei)(zhei)种(zhong)高电压(ya)MOSFET采用(yong)先进的(de)终(zhong)止方案(an)，提(ti)供增强的(de)电压(ya)。不随时(shi)间降(jiang)低性能的(de)阻塞(sai)能力。此(ci)外，这(zhei)(zhei)种(zhong)先进的(de)MOSFET是设(she)计能够承受高能量的(de)雪崩和(he)减刑模(mo)式(shi)。新型节能设(she)计还提(ti)供了(le)一(yi)个快速(su)(su)恢复(fu)时(shi)间二极管(guan)源(yuan)漏(lou)。专为(wei)高电压(ya)、高速(su)(su)设(she)计开关电源(yuan)，转换器和(he)PWM电机控制(zhi)中的(de)应用(yong)程序，这(zhei)(zhei)些(xie)设(she)备特别适用(yong)于桥式(shi)电路，二极管(guan)速(su)(su)度和(he)换向安全操作区域(yu)。关键(jian)和(he)提(ti)供额外的(de)和(he)安全边(bian)际对意外电压(ya)瞬(shun)变(bian)。

特点

鲁棒高压端接

雪崩能量

源漏二极管恢复时间相当于分(fen)立快恢复二极管

二极管的特点是用于(yu)桥式(shi)电路。

高温下指定的智能(neng)决策支持系统

隔(ge)离安装孔减少(shao)安装硬件

产品型号(hao)：KCX3250A

工作方式：100A.500V

漏电流连续：100A

栅源电压（连续）：±20V

耗散功率：767W

漏源(yuan)击穿电压：500V

栅极阈(yu)值电压：2V

输入(ru)电容：6180 PF

输(shu)出电容：264 PF

上(shang)升时间：116 ns

封装(zhuang)形式：TO-247

	KCX3250A（100A/500V）
产品编号	KCX3250A（N沟道MOSFET）
产品工艺	这(zhei)(zhei)种(zhong)高(gao)电压MOSFET采用先进的(de)终止方案，提供增强的(de)电压。不(bu)随时间降低性(xing)能的(de)阻塞(sai)能力。此外(wai)，这(zhei)(zhei)种(zhong)先进的(de)MOSFET是(shi)设(she)计能够承受高(gao)能量的(de)雪崩和减刑(xing)模(mo)式。新(xin)型节能设(she)计还(hai)提供了(le)一个快速恢复(fu)时间二极管源漏(lou)。
产品特征	鲁棒高压端接雪崩能量源漏二(er)极(ji)(ji)管(guan)恢复(fu)时(shi)间相(xiang)当于分立快恢复(fu)二(er)极(ji)(ji)管(guan) 二极管(guan)的特点是用于桥式电路。高(gao)温下指(zhi)定的智能决策支(zhi)持系统隔离安装孔减少(shao)安装硬件
适用范围	专为(wei)高电压、高速设计开(kai)关(guan)电源，转换器和PWM电机控制中的(de)应用(yong)程序，这些设备特别适用(yong)于桥(qiao)式电路，二极管速度(du)和换向安(an)全操作区(qu)域。关(guan)键和提供额(e)外的(de)和安(an)全边际对(dui)意(yi)外电压瞬变。
封装形(xing)式	TO-247
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