8N60 MOS管参数

kia8n60是一(yi)种高(gao)(gao)电(dian)(dian)压MOSFET和(he)设计有(you)更好的特(te)性，如快速(su)开关时间，低门(men)电(dian)(dian)荷，低通态电(dian)(dian)阻，并具有(you)较高(gao)(gao)的坚固雪崩(beng)特(te)性。这种功率MOSFET通常(chang)用于高(gao)(gao)速(su)开关电(dian)(dian)源(yuan)，PWM电(dian)(dian)机，控制器(qi)，高(gao)(gao)效率的DC至DC转换器(qi)和(he)桥电(dian)(dian)路(lu)。

系列名称：MOSFET
沟道：N沟道
耗散功率（pd）：147

漏源反向(xiang)电压（Vds）：600

栅(zha)源反向电压（Vgs）：30

漏极电流（连续）（id）：7.5

静态(tai)漏源(yuan)电(dian)阻R DS(ON)，Yyp：0.98

总(zong)功耗（Tc）：25℃

热阻(zu)（RthCS）：05

热(re)阻结温（RthJC）：0.85

通态电阻（Rds），Typ：0.98

上升时间（tr）：VDD=300V,R G =25Ω,ID =7.5A(note4,5)

最高结温（Tj），℃：150

	8N60（7.5A，600V）
产品编号(hao)	KIA8N60/F/ HF/HI/P/PF
产(chan)品工艺	8N60该(gai)产品具有较低的(de)导(dao)通电阻，优(you)越(yue)的(de)开关性能(neng)很(hen)高(gao)的(de)雪崩、击(ji)穿耐量(liang)
特(te)征	1.超低栅极电荷（典型的29nc） 2.快速切换的能力 3.雪崩能量测试 4.提(ti)升的dt／dt能(neng)力
适用范围	该产品适用(yong)于高速开关电源(yuan)，PWM电机(ji)控制，高效率的(de)DC至(zhi)DC转换(huan)器和桥电路(lu)。
封(feng)装(zhuang)形式	TO-220、TO-220F等
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厂家	KIA原厂家
网址	shkegan.com
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