10N65现货供(gong)应商 KIA10N65 65A/600V KIA10N65 PDF文件-KIA 官网
信息来源(yuan)：本站 日期(qi)：2018-02-01
KIA10N65 N沟道增强(qiang)型硅栅功(gong)(gong)率(lv)MOSFET的设(she)计用于高(gao)压(ya)、高(gao)速功(gong)(gong)率(lv)开关(guan)应用，如高(gao)效(xiao)率(lv)开关(guan)电(dian)源用品，有(you)源功(gong)(gong)率(lv)因数(shu)校正电(dian)子镇流器基于半桥拓扑。
KIA10N65特征
RDS(on) =0.65? @ V GS =10V
低(di)栅极电荷（典型的48nc）
快速切换的能力
雪崩能量
改(gai)进的dt／dt能力(li)
产品型号：KIA10N65
工作方式：10A/650V
漏源电压：650V
栅源电压：±30V
漏电流连续：10A
脉(mai)冲(chong)漏极电流：40A
雪崩能量：709mJ
耗散功率(lv)：52W
热电阻(zu)：62.5℃/W
漏源击穿电压(ya)：650V
温度(du)系(xi)数：0.7V/℃
栅(zha)极阈值电压：2.0V
输入电(dian)容：1650 PF
输出电容(rong)：1665 PF
上升时间：70 ns
封装形式：TO-220F
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KIA10N65（10A 650V） |
| 产品编号 | KIA10N65/HF/HP |
| FET极性 | N沟道MOSFET |
| 产品工艺 |
KIA10N65 N沟道(dao)增强型硅栅功率MOSFET的设计用于高压、高速功(gong)(gong)率(lv)开关(guan)应用，如高效率(lv)开关(guan)电(dian)源(yuan)用品，有源(yuan)功(gong)(gong)率(lv)因数校正电(dian)子镇流(liu)器基于半桥(qiao)拓扑。 |
| 产品特征 |
RDS(on) =0.65? @ V GS =10V 低栅极电(dian)荷（典型的(de)48nc） 快(kuai)速切(qie)换的(de)能力 雪崩(beng)能(neng)量 改进的dt／dt能力(li) |
| 适用范围 |
适用于高(gao)(gao)压、高(gao)(gao)速(su)功率(lv)开(kai)关应用，如高(gao)(gao)效率(lv)开(kai)关电(dian)源用品，有源功率(lv)因数校正电(dian)子镇流器基于半桥拓(tuo)扑。 |
| 封装形式 | TO-220F |
| PDF文件 |
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| LOGO |
 |
| 厂家 | KIA原厂家 |
| 网址 | shkegan.com |
| PDF页总数 | 总5页 |
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