24N50现货(huo)供应商 KIA24N50 24A/500V KIA24N50 PDF文件-KIA 官网
信息来(lai)源：本(ben)站 日期：2018-02-01
KIA10N65特征
RDS(ON) =0.16Ω@V GS =10 V
低栅(zha)极电荷（典型(xing)的90nc）
高耐用(yong)性(xing)
快速切换
100%雪崩测试(shi)
改进(jin)的dt／dt能力
产(chan)品型号：KIA24N50
工作(zuo)方式：24A/500V
漏源电压：500V
栅源电压：±30V
漏电流连续：24A
脉冲漏极电流(liu)：96A
雪崩能量：1150mJ
耗散功率(lv)：290W
热电阻：40℃/W
漏源击穿电压(ya)：500V
温度系(xi)数(shu)：0.5V/℃
栅极阈(yu)值电压：2.0V
输入电容：3500 PF
输出电(dian)容：520 PF
上升(sheng)时间：35 ns
封装(zhuang)形式：TO-3P
 |
KIA24N50（24A 500V） |
| 产(chan)品编号 | KIA24N50/HH |
| FET极性 | N沟道(dao)MOSFET |
| 产品工艺 |
功率MOSFET采用(yong)先进的平面条形(xing)DMOS工艺生产的起亚(ya)。这种先进的技术特别(bie)适合于(yu)最(zui)小化(hua)状态电阻，提供(gong)优越的开关(guan)性能，以及(ji)在(zai)雪崩(beng)和(he)换流模(mo)式下承受(shou)高能量脉冲(chong) |
| 产品特征 |
RDS(ON) =0.16Ω@V GS =10 V 低栅极电荷（典(dian)型的(de)90nc） 高耐用性 快(kuai)速切换 100%雪(xue)崩测试 改进的dt／dt能力 |
| 适用范围 |
主要适合(he)于高效率(lv)开(kai)关电源，基于半桥(qiao)拓扑的有(you)源功率(lv)因数校(xiao)正 |
| 封装(zhuang)形式 | TO-3P |
| PDF文件 |
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| LOGO |
 |
| 厂家 | KIA原厂家 |
| 网址(zhi) | shkegan.com |
| PDF总页数 | 总5页 |
联系方式：邹先生
联系电话(hua)：0755-83888366-8022
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