login_鼎点娱乐「一家受欢迎的游戏平台」30N03现货供应商 KIA30N03 30A/30V KIA30N03 PDF文件下载KIA官网

30N03现货供应商 KIA30N03 30A/30V KIA30N03 PDF文件下载KIA官网(wang)

信息来源：本站　日期：2018-02-01　

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KIA30N03参数

kia30n03b性(xing)能最高的(de)N沟道MOSFET沟道与极端(duan)的(de)高密度，为大多数的(de)同步降压(ya)转换(huan)器应(ying)用(yong)优良的(de)导通电阻(zu)和(he)栅极电荷，kia30n03b符合ROHS环保(bao)和(he)绿色产品的(de)要求(qiu)，100% EAS保(bao)证全功能可(ke)靠(kao)性(xing)的(de)批准。

KIA30N03特征

RDS（ON）= 15m?@ V DS = 30v

先进的高密度沟槽(cao)技术(shu)

超级Low Gate Charge

优良的(de)CDV / dt效(xiao)应递减

100% EAS保(bao)证

绿色的可用(yong)设备

KIA30N03应用

MB /铌(ni)/注意/ VGA负载同步Buck变(bian)换器高频点

网络化DC-DC电源系统(tong)

负荷开关

产品型号：kia30n03

工作方式：30A/30V

漏(lou)源电压(ya)：30V

栅源(yuan)电压：±20V

漏电(dian)流连(lian)续：30A

脉冲漏极电流：60A

雪(xue)崩能(neng)量：72mJ

耗(hao)散功率：25W

热电阻：25℃/W

漏源(yuan)击穿电(dian)压：30V

温度系数：0.023V/℃

栅(zha)极(ji)阈值电压：1.0V

输入电容：572 PF

输出电容：81 PF

上升时间：9.8 ns

封装形式：TO-251、TO-252

	KIA30N03（30A 30V）
产品编号	KIA30N03/BD
FET极性	N沟(gou)道MOSFET
产品工艺	kia30n03b性能(neng)最高的(de)(de)N沟(gou)道MOSFET沟(gou)道与极端的(de)(de)高密度(du)，为大(da)多数的(de)(de)同步降压转换(huan)器应用优良的(de)(de)导通(tong)电阻和(he)栅极电荷，kia30n03b符合ROHS环保(bao)和(he)绿色(se)产品的(de)(de)要求(qiu)，100% EAS保(bao)证全功能(neng)可靠性的(de)(de)批准(zhun)。
适用范围	主要适用于MB /铌/注意/ VGA负载同步Buck变换器高频点网络(luo)化(hua)DC-DC电(dian)源系(xi)统负(fu)荷(he)开关
封装形式	TO-251、TO-252
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厂家	KIA原厂家
网址	shkegan.com
PDF总页数	总(zong)5页