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3710现货供应商 KIA3710 59A/100V KIA3710 PDF文件下载-KIA 官网

信息来源:本站 日期:2018-01-31 

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KIA3710参数

功率MOSFET的设计采用沟(gou)槽布局(ju)为基础(chu)的工艺(yi)。与不同(tong)来源的标准(zhun)零(ling)件相比,提高了(le)性能。MOSFET在开(kai)关稳(wen)压(ya)器的(de)设计,应用开(kai)关变换器、电机、继电器高(gao)功率(lv)(lv)(lv)和低栅(zha)极驱(qu)动的(de)高(gao)功率(lv)(lv)(lv)双极开(kai)关晶体管驱(qu)动器和驱(qu)动器功率(lv)(lv)(lv)。



特征(zheng)

VDSS=100V,R DS(on) =18m?,I D =59A

超低电阻

动态分(fen)级

175°C工作温(wen)度

快速(su)切(qie)换

全额定雪崩


产品型号:KIA3710

工作方式:59A/100V

漏源电(dian)压(ya):100V

栅源电压(ya):±20V

脉(mai)冲漏极电(dian)流:240A

热电阻:62℃/W

漏源击穿电压(ya):100V

温(wen)度系数(shu):0.10V/℃

栅(zha)极阈值电压:2.0V

输(shu)入电容:2990 PF

输出电(dian)容:3000 PF

上(shang)升时间:60 ns

封装形式:TO-220、TO-263


KIA3710(59A/100V
产品编号(hao) KIA3710/B/Z/ZP
FET极(ji)性 N沟道MOSFET
产品工(gong)艺 功率MOSFET的设计(ji)采用沟槽布局(ju)为基础的工艺(yi)。与不同来(lai)源的标准零件相比,提高了性能。
产(chan)品特征

VDSS=100V,R DS(on) =18m?,I D =59A

超低电阻

动(dong)态分级

175°C工作温(wen)度

快速切(qie)换

全额定雪崩(beng)

适(shi)用(yong)范(fan)围

MOSFET在(zai)开(kai)关稳压(ya)器(qi)(qi)的(de)设(she)计,应用开(kai)关变换(huan)器(qi)(qi)、电(dian)机、继电(dian)器(qi)(qi)高功率(lv)和低栅(zha)极(ji)驱动(dong)的(de)高功率(lv)双极(ji)开(kai)关晶体管(guan)驱动(dong)器(qi)(qi)和驱动(dong)器(qi)(qi)功率(lv)。

封装形(xing)式(shi) TO-220、TO-263
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