3560A产品参数

这(zhei)(zhei)(zhei)种高(gao)电(dian)压MOSFET采(cai)用先(xian)进的方(fang)案，提(ti)供增(zeng)强的电(dian)压。不随时间降(jiang)低性能(neng)(neng)的阻塞能(neng)(neng)力(li)。此(ci)外(wai)，这(zhei)(zhei)(zhei)种先(xian)进的MOSFET是设(she)计能(neng)(neng)够承受高(gao)能(neng)(neng)量的雪(xue)崩模式。这(zhei)(zhei)(zhei)种新的节能(neng)(neng)设(she)计还提(ti)供了一个快速恢复时间二极管(guan)源(yuan)漏。专为高(gao)电(dian)压、高(gao)速设(she)计开(kai)关(guan)电(dian)源(yuan)，转换器和(he)PWM电(dian)机控制中的应用程(cheng)序(xu)，这(zhei)(zhei)(zhei)些(xie)设(she)备特别(bie)适用于(yu)桥式电(dian)路，二极管(guan)速度和(he)换向安全(quan)操作区域。关(guan)键和(he)提(ti)供额外(wai)的和(he)安全(quan)边(bian)际对意(yi)外(wai)电(dian)压瞬变。

3560A特征

鲁棒高压端接

雪崩能量

源(yuan)漏二极管恢复(fu)时间相当于分立快恢复(fu)二极管

二极(ji)管的特点是用于桥式电路。

高温(wen)下指定的智能决(jue)策(ce)支持系统

隔离安(an)(an)装孔减少(shao)安(an)(an)装硬件

3560A产品参数

产品型号：KCX3560A

工作方(fang)式：76A.600V

漏电流连续：76A

漏电(dian)流脉(mai)冲：225.9A

栅源(yuan)电(dian)压（连续(xu)）：±20V

耗散功率：595W

漏源击穿电(dian)压：600V

栅极阈值电压(ya)：2V

输入电容：6018 PF

输出电(dian)容：245 PF

上升时间(jian)：114.8ns

封装形式：TO-247

3560产品规格

	KCX3560A（70A/600V)）
产品编号	KCX3560A（N沟道MOSFET）
产品工艺	这种高(gao)电压MOSFET采用先(xian)进(jin)的(de)(de)方案，提供增(zeng)强的(de)(de)电压。不随时间(jian)降(jiang)低性能(neng)(neng)的(de)(de)阻(zu)塞能(neng)(neng)力。此(ci)外，这种先(xian)进(jin)的(de)(de)MOSFET是(shi)设计(ji)能(neng)(neng)够承受高(gao)能(neng)(neng)量的(de)(de)雪崩模式。这种新(xin)的(de)(de)节能(neng)(neng)设计(ji)还提供了一(yi)个(ge)快速恢复时间(jian)二极(ji)管源漏。
产品特征	鲁棒高压端接雪(xue)崩能(neng)量源漏(lou)二极(ji)管恢复(fu)时间相(xiang)当于分(fen)立快恢复(fu)二极(ji)管二极(ji)管(guan)的特(te)点是用于桥式电路。高温下指(zhi)定的智能决策(ce)支持系(xi)统隔离安装孔减少安装硬件(jian)
适用范围	专为高电(dian)(dian)压(ya)、高速(su)设计开关(guan)电(dian)(dian)源，转(zhuan)换器和PWM电(dian)(dian)机控制中的(de)应用程序，这些设备特(te)别适(shi)用于桥式(shi)电(dian)(dian)路(lu)，二(er)极管速(su)度和换向安全(quan)操作(zuo)区(qu)域。关(guan)键和提供额(e)外(wai)的(de)和安全(quan)边(bian)际对意外(wai)电(dian)(dian)压(ya)瞬变(bian)。
封装形式	TO-247等
PDF文件	【直接在线预览】
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厂家	KIA原厂家
网址	shkegan.com
PDF总页数	总(zong)5页(ye)