5N60现货供应商 5N60参(can)数中文资料 5N60参(can)数配置对(dui)比
信息来源(yuan)：本站 日期(qi)：2018-01-13
N沟(gou)道增强型功(gong)率场效应晶体管是使(shi)用起亚的(de)。有平面的(de)DMOS工艺(yi)。这种先进技术特别适合(he)于最(zui)小化。在(zai)状态(tai)电阻方面，提供优越的(de)开关性能(neng)，并能(neng)承受高能(neng)量脉冲。雪(xue)崩换(huan)相(xiang)模式。这些器件非常适合(he)于高效率的(de)开关模式电源。基于半桥的电(dian)源和电(dian)子镇流(liu)器(qi)。
特(te)征(zheng)
4.5A，600V，RDS（ON）= 2Ω@ VGS = 10v
低反馈(kui)电(dian)容（典型值8.0pf）
低栅极(ji)电荷（典型值高(gao)= 16nc）
快速切换
100%雪崩测试
改(gai)进的dt／dt能力
符合RoHS
参数
产(chan)品编号：KIA 5N60
系列名称：MOSFET
沟道：N沟道
耗散(san)功率（pd）：100
漏源反向电压（Vds）：600
栅源反向电压（Vgs）：30
漏极电流（连续）（id）：5
最高(gao)结(jie)温（Tj），℃：150
上升时间(jian)（tr）：42
输(shu)出电容(rong)（Cd），PF：55
通态电阻（Rds），ohm：1.8
封(feng)装形(xing)式：TO-220、TO-220F等
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4N60 |
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描(miao)述 |
5.0A 600V N-CHANNEL .MOSFET |
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适(shi)用(yong)范围 |
开关电源、逆(ni)变器等(deng) |
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PDF文件
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LOGO |
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厂家 |
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网址(zhi) |
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联系方式：邹(zou)先生(sheng)（KIA MOS管）
手机(ji)：18123972950
QQ：2880195519
联系地(di)址：深(shen)圳市(shi)福田区车公庙(miao)天安数码(ma)城天吉(ji)大厦CD座(zuo)5C1
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