6N70原(yuan)厂供应商(shang) KIA6N70 PDF下载 6N70参(can)数配置对比-KIA 官网
信(xin)息来源：本站 日期(qi)：2018-01-26
特征
RDS（ON）典型值= 1.8?@ V GS = 10v
低栅极电荷（典型的16nc）
高耐用性
快速切(qie)换
100%雪崩测试(shi)
改进(jin)的dt／dt能力
产品型号：KIA6N70
工作方式：5.8A/700V
漏源电压：700V
栅源(yuan)电压：±30V
漏电流连续：5.8*A
脉(mai)冲(chong)漏极电流：150mJ
雪(xue)崩能量：4.8A
耗散功率：95W
热电阻：110℃/W
漏源击穿电压：700V
温度系数：0.7V/℃
栅极阈(yu)值电压：2.0V
输入(ru)电(dian)容：650 PF
输出电容：95 PF
上(shang)升时间(jian)：40 ns
封装形式：TO-251、TO-252、TO-220F
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KIA6N70（5.8A 700V） |
| 产品编号 | KIA6N70/HD/HF/HU/SU |
| FET极性 | N沟道MOSFET |
| 产品工艺 |
功率(lv)MOSFET采(cai)用起(qi)亚的高(gao)(gao)级平面条形DMOS工艺生产。这先进的技(ji)术已特(te)别定(ding)制，以尽量减少对(dui)国(guo)家的阻力(li)，提供优越的。开(kai)关性能，在雪(xue)崩(beng)和换(huan)相模式(shi)下承受高(gao)(gao)能量脉冲。 |
| 产品特征 |
RDS（ON）典型值= 1.8?@ V GS = 10v 低(di)栅极电荷（典(dian)型的(de)16nc） 高耐用性 快速切换 100%雪(xue)崩测试 改进的dt／dt能力 |
| 适用范围 |
主要适用于高效率开关电源，有源功率因数校正。基于半桥拓扑。 |
| 封装形式 | TO-251、TO-252、TO-220F |
| PDF文件 |
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| LOGO |
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| 厂家 | KIA原厂家 |
| 网址 | shkegan.com |
| PDF总页数 | 总5页数 |
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