40N06现货(huo)供(gong)应商 KIA40N06 PDF文件(jian)下载(zai) 40N06参数(shu)资料(liao)-KIA官(guan)网
信息来源：本(ben)站 日期：2018-01-25
特点：
RDS(on) =18mΩ @ VDS=60V
先进的高(gao)密(mi)度沟槽技术
超级Low Gate Charge
优良的CDV / dt效应递减
100% EAS保证
绿(lv)色的可(ke)用设备
应用：
MB /铌/VGA负载同步(bu)Buck变换器高频点
网(wang)络(luo)化DC-DC电源系统(tong)
液(ye)晶/ LED背光(guang)灯
产品型号：KIA40N06
工作方式：38A、60V
漏流电压(ya)：60V
栅源(yuan)电压（连续）：±20V
连续漏电(dian)流：38A
脉冲漏极(ji)电流：80A
雪(xue)崩(beng)能量：28A
热(re)电阻：62℃/W
漏源击穿电压：60V
温度(du)系数：0.057
栅极阈值(zhi)电压：1.2V
输入电容：2423 PF
输出(chu)电容：145 PF
上升时(shi)间(jian)：2.2 ns
封装形式：TO-251、TO-252
 |
KIA 40N06(38A 60V) |
| 产品编号 | KIA40N06BD/BU |
| FET极性 | N沟道MOSFET |
| 产品工艺 |
kia40n06b最(zui)高性(xing)(xing)能(neng)的(de)沟道MOSFET与极端高细胞密度(du)，为大(da)多数(shu)的(de)同步(bu)降(jiang)压转换器，优良的(de)导通电阻和栅(zha)极电荷应(ying)用(yong)，kia40n06b符合(he)ROHS环保和绿(lv)色(se)产(chan)品(pin)的(de)要求，保证100% EAS全功(gong)能(neng)可靠(kao)性(xing)(xing)认证。 |
| 产品特征 |
RDS(on) =18mΩ @ VDS=60V 先进的高密(mi)度(du)沟槽技(ji)术 超级Low Gate Charge 优良的CDV / dt效应递(di)减 100% EAS保证 绿色的可(ke)用设备 |
| 适用范围 |
主要使用于MB /铌/VGA负载同步Buck变换器高频点 网络化DC-DC电源系统 液晶/ LED背光灯 |
| 封装形式 | TO-251、TO-252 |
| PDF文件 |
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| LOGO |
 |
| 厂家 | KIA 原厂家 |
| 网址 | www.kiaic.com |
| PDF总页数 | 总5页 |
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
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