100N03A供应商 KIA100N03A PDF文件 100N03A参(can)数资料-KIA 官网
信(xin)息来(lai)源(yuan)：本站 日(ri)期：2018-01-23
KIA100N03A 是功率MOSFET采(cai)用起亚`平面(mian)条形DMOS工艺生产的先进。这先进的技(ji)术已(yi)特(te)别定制(zhi)，以尽量减少对的阻力，提供优越的。
开(kai)关(guan)性能，在雪崩和换相模式下承(cheng)受高能量脉冲(chong)。这些器件非常适(shi)用于(yu)高效率开(kai)关(guan)电源，有源功率因数校正。基于(yu)半桥拓扑。
特征：
RDS(on) =3.1m?@ VGS=10V
dv / dt的(de)能力提高
快(kuai)速开关
绿色(se)环保
参数：
漏(lou)源(yuan)电压(vdss):30V
栅源(yuan)电(dian)压（vgss)：±20V
连续(xu)漏电流：（ld）：90A
脉冲漏极电流：360A
雪崩电流：50A
雪崩能量：125mJ
耗散功(gong)率（pd）：88W
热(re)电阻：60℃/W
漏(lou)源(yuan)击穿电压：30V
栅极(ji)阈值电(dian)压(ya)（min）：1.2V
温度(du)系数：-5mV/℃
 |
KIA100N03A(90A 30V) |
| 产品编(bian)号 |
100N03A/AB/AD/AP/AU |
| 产(chan)品工艺(yi) |
KIA100N03A 是功(gong)率MOSFET采用起(qi)亚(ya)`平面条形DMOS工艺(yi)生产的(de)(de)先进(jin)。这先进(jin)的(de)(de)技术已特别定制，以尽量减少对的(de)(de)阻力(li)，提供优(you)越的(de)(de)。 |
| 产品特征 |
RDS(on) =3.1m?@ VGS=10V dv / dt的能力(li)提高 快(kuai)速(su)开(kai)关(guan) 绿色环(huan)保 |
| 适用范围 |
适用于高效率(lv)开(kai)关电源(yuan)，有源(yuan)功率(lv)因(yin)数校正、基于半桥拓扑 |
| 封装形式 | TO-251、TO-252、TO-263、TO-220 |
| PDF文(wen)件 |
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| LOGO |
 |
| 厂家(jia) | KIA原厂家 |
| 网址 | shkegan.com |
| PDF总(zong)页数 | 总5页 |
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