KIA18N20 N沟道 MOSFET 18A /200V TO-220、TO-220F封装最(zui)新规格
信(xin)息来源：本站 日(ri)期：2018-02-08
RDS(ON)=0.12Ω (Max.) @VGS=10V
通过无铅认证
低(di)电阻
低栅极电荷
峰值(zhi)电流与脉宽曲线
应用
电视(shi)/显(xian)示器
其(qi)他应(ying)用
KIA18N20参数
产品型号：KIA18N20
工(gong)作(zuo)方(fang)式：18A/200V
漏源电压：200V
栅源电压：±30V
漏电流(liu)连续：18A
脉(mai)冲漏极(ji)电流(liu)：6A
雪崩电流：8A
雪崩能量：950mJ
耗散功率：156W
热电(dian)阻(zu)：62.5℃/W
漏源击(ji)穿电(dian)压：200V
温度系数：0.25V/℃
栅极阈值电压：2.0V
输(shu)入电容：1140PF
输出电容：80PF
上升时间：33 ns
封装形式：TO-220、TO-220F
 |
KIA18N20/AF/AP |
| 产品(pin)编号(hao) | KIA18N20（18A200V） |
| FET极性 | N沟道(dao)MOSFET |
| 产品特征 |
RDS(ON)=0.12Ω (Max.) @VGS=10V 通(tong)过无铅认证 低电(dian)阻 低栅(zha)极电(dian)荷(he) 峰值电流(liu)与(yu)脉宽(kuan)曲线 |
| 适用范围 |
主要(yao)适用(yong)于(yu)电视(shi)/显示器、其他应用(yong) |
| 封装形式 | TO-220、TO-220F |
| PDF文件 |
 【直(zhi)接(jie)在(zai)线预(yu)览(lan)】 |
| LOGO |
 |
| 厂家 | KIA原厂家 |
| 网址(zhi) | shkegan.com |
| PDF页总数 | 总6页 |
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