原装KIA品牌mos管 6410 KIA6410 15A/100V PDF文(wen)件下载-KIA 官网
信(xin)息(xi)来源：本站 日期(qi)：2018-02-14
特征
RDS（ON）典(dian)型(xing)值= 1.8mΩ@ VGS = 10v
低栅极电荷（典型的16nc）
高耐用性
快速切(qie)换(huan)
100%雪崩测试(shi)
改进的dt／dt能力
参数
产品型号(hao)：KIA6N70
工作(zuo)方式(shi)：15A/100V
漏源电压：100V
栅源电压：±20V
漏电流连续：15A
脉冲漏极(ji)电流：60V
耗散功率：50W
热电阻：62℃/W
漏源(yuan)击穿电(dian)压(ya)：100V
温(wen)度系(xi)数：0.05V/℃
栅极阈值电(dian)压(ya)：1.2V
输入电容：1480PF
输(shu)出电容：480PF
上升(sheng)时(shi)间：9.5ns
封(feng)装形式(shi)：TO-252、TO-251、TO-220
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KIA6410 |
| 产品编号 | KIA6410/AP/AU |
| FET极性(xing) | N沟道(dao)MOSFET |
| 产品工(gong)艺(yi) |
功率MOSFET采(cai)用起亚(ya)的(de)高级平面条形DMOS工艺(yi)生产。这(zhei)先进(jin)的(de)技术已特别(bie)定制，以(yi)尽量(liang)减(jian)少对国家的(de)阻力，提供优越的(de)。开关性能(neng)(neng)，在雪(xue)崩和换相模式下(xia)承(cheng)受高能(neng)(neng)量(liang)脉(mai)冲。 |
| 产(chan)品特征 |
RDS（ON）典型值(zhi)= 1.8mΩ@ VGS = 10v 低栅极电(dian)荷(he)（典型的(de)16nc） 高耐(nai)用性 快(kuai)速切换 100%雪崩(beng)测试 改进(jin)的(de)dt／dt能(neng)力 |
| 适用范(fan)围 |
主要适用(yong)于(yu)高效率(lv)开(kai)关电(dian)源(yuan)，有(you)源(yuan)功率(lv)因数校正(zheng)。基于(yu)半(ban)桥(qiao)拓扑。 |
| 封装形(xing)式 | TO-220、TO-251、TO-252 |
| PDF文(wen)件 |
 【直(zhi)接在线(xian)预览(lan)】 |
| LOGO |
 |
| 厂家 | KIA原厂家 |
| 网址 | shkegan.com |
| PDF文件 | 总(zong)5页 |
联(lian)系(xi)方式：邹先生
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