欧陆娱乐「游戏有保障,平台更省心」30N06现货供应商 KIA30N06 PDF文件下载 30N06参数资料-KIA官网

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信(xin)息来源：本站　日期：2018-01-25　

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KIA30N06参(can)数

kia30n06b性能(neng)最高(gao)的(de)N沟(gou)道(dao)MOSFET沟(gou)道(dao)具有极(ji)高(gao)的(de)细(xi)胞密度，为大多数(shu)的(de)同步(bu)降压(ya)转(zhuan)换器(qi)，优良(liang)的(de)导通电(dian)阻和(he)栅极(ji)电(dian)荷(he)应用，kia30n06b符合ROHS环保(bao)和(he)绿色产品(pin)的(de)要求，保(bao)证100% EAS全功能(neng)可靠性认证。

特点

RDS(on) =25m? @ VDS=60V

先进(jin)的(de)高密(mi)度沟槽技术

超低(di)端滑盖(gai)装(zhuang)

优良的CDV/dt效应递(di)减

100% EAS保证

绿色(se)的可(ke)用设备

应用

高频点同步降压变换(huan)器

网络化DC-DC电(dian)源(yuan)系统

负荷开关

产品型号(hao)：KIA30N06

工作方式：25A.60V

漏流电(dian)压(ya)：60V

栅源电压（连续）：±20V

连续(xu)漏电流(liu)：25A

脉冲漏极电流：50A

雪崩能量：22.6A

热(re)电阻：62℃/W

漏源击穿电压：60V

温度系数：0.063V/℃

栅(zha)极阈值电压：12V

输入电容：1345 PF

输(shu)出电(dian)容：72.5 PF

上升时(shi)间(jian)：14.2 ns

封装形式：TO-251、TO-252

	KIA30N06(25A /60V)
产(chan)品编号	KIA30N06BD/BU
FET极性(xing)	N沟(gou)道(dao)MOSFET
产品工艺	kia30n06b性能最高的(de)N沟道MOSFET沟道具有极(ji)高的(de)细胞密(mi)度，为(wei)大多数(shu)的(de)同(tong)步(bu)降压转换器，优(you)良的(de)导通电阻和(he)栅(zha)极(ji)电荷应用，kia30n06b符合ROHS环保(bao)和(he)绿(lv)色产品的(de)要(yao)求，保(bao)证(zheng)100% EAS全功能可靠性认证(zheng)。
产品(pin)特(te)征	RDS(on) =25m? @ VDS=60V 先进的高密度沟(gou)槽(cao)技术超低(di)端滑盖装优良的CDV/dt效应递减 100% EAS保证绿色(se)的可用设备
适用范围	主要适(shi)用(yong)于高频点同步降压变(bian)换器网络(luo)化DC-DC电(dian)源系(xi)统负荷开关等(deng)
封(feng)装形(xing)式	TO-251、TO-252
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网址(zhi)	shkegan.com
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