12N65现货(huo)供应商 KIA12N65 12A/650V KIA12N65 PDF下载 -KIA官(guan)网
信息(xi)来源：本站 日期：2018-02-02
KIA12n65hN沟(gou)道增强(qiang)型硅栅功率MOSFET是(shi)专为高(gao)(gao)电压，高(gao)(gao)速功率开关(guan)(guan)应用，如(ru)高(gao)(gao)效率开关(guan)(guan)电源，基(ji)于(yu)半桥拓(tuo)扑(pu)结(jie)构的有(you)源功率因数校正电子镇流(liu)器(qi)。
KIA12N65特征
RDS(on)=0.63?@ VGS = 10V
低栅极电(dian)荷（典(dian)型的52nc）
快(kuai)速切换的能力
雪崩能量
改进(jin)的dt／dt能力(li)
产品型号：KIA12N65
工作方式：12A/650V
漏源电压(ya)：650V
栅源电压(ya)：±30V
漏电(dian)流连续：12.0*A
脉冲漏极电流：48.0*A
雪崩能(neng)量：865mJ
耗散(san)功率：54W
热电阻(zu)：62.5℃/W
漏源击穿电(dian)压：650V
温(wen)度系(xi)数：0.7V/℃
栅极阈值电压：2.0V
输入电容：1850 PF
输出电(dian)容：180 PF
上升时间：90 ns
封装形式：TO-220F
 |
KIA12N65（12A 650V） |
| 产品编号 | KIA12N65/HF |
| FET极性 | N沟道MOSFET |
| 产品工艺 |
KIA12n65hN沟道(dao)增(zeng)强型(xing)硅(gui)栅(zha)功率(lv)MOSFET是专为高(gao)(gao)电(dian)(dian)压，高(gao)(gao)速功率(lv)开关应用，如(ru)高(gao)(gao)效率(lv)开关电(dian)(dian)源，基(ji)于半桥拓扑(pu)结(jie)构的有源功率(lv)因(yin)数校正电(dian)(dian)子镇(zhen)流器 |
| 产品特征 |
RDS(on) = 0.63?@ V GS = 10 V 低(di)栅极(ji)电荷(he)（典(dian)型的52nc） 快速切(qie)换的能(neng)力 雪崩能(neng)量 改进的dt／dt能力 |
| 适用范围 | 适用于(yu)高速功率开(kai)关，开(kai)关电源等 |
| 封装形式 | TO-220F |
| PDF文件 |
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| LOGO |
 |
| 厂家 | KIA原厂家 |
| 网址 | shkegan.com |
| PDF总页数 | 总5页 |
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