18N50现(xian)货供应商 KIA18N50 18A/500V KIA18N50 PDF下载 -KIA官(guan)网
信息来(lai)源：本(ben)站 日(ri)期：2018-02-02
功率MOSFET采用先(xian)进(jin)的(de)(de)(de)平面条形DMOS工艺生(sheng)产的(de)(de)(de)起亚。这先(xian)进(jin)的(de)(de)(de)技术已特(te)别定制，以尽量减少对国(guo)家(jia)的(de)(de)(de)阻力(li)，提(ti)供(gong)优越的(de)(de)(de)。开关性能，在雪崩和换相(xiang)模式下(xia)承受高能量脉(mai)冲(chong)。这些器(qi)件非(fei)常(chang)适用于(yu)高(gao)效(xiao)率开关电源，有源功率因数校正。基于(yu)半桥(qiao)拓(tuo)扑。
KIA18N50特(te)征(zheng)
RDS(on) =0.25? @ VGS=10V
低栅极电荷（典型的16nc）
高耐用性
快速切换
100%雪崩测试
改进(jin)的(de)dv / dt的(de)能(neng)力(li)
产(chan)品(pin)型号：KIA18N50
工作方式：18A/500V
漏(lou)源电压：500V
栅源电压：±30V
漏电流连(lian)续：18.0*A
脉冲漏极(ji)电流(liu)：72A
雪(xue)崩能量：990mJ
耗(hao)散功率：38.2W
热电阻(zu)：62.5℃/W
漏源(yuan)击穿(chuan)电压：500V
温度系数(shu)：0.6V/℃
栅极阈(yu)值(zhi)电(dian)压(ya)：3.0V
输入电(dian)容：2500 PF
输(shu)出(chu)电容：400 PF
上升(sheng)时间：190 ns
封装形式(shi)：TO-220F、TO-247
 |
KIA18N50（18A 500V） |
| 产(chan)品编(bian)号(hao) | KIA18N50/HF |
| FET极性 | N沟道MOSFET |
| 产品工艺 |
功率MOSFET采(cai)用先进(jin)的(de)平面条形(xing)DMOS工艺生产(chan)的(de)起亚(ya)。这(zhei)先进(jin)的(de)技术(shu)已特别定制，以尽量(liang)减少对国家的(de)阻力，提供优越的(de)。开关性能，在(zai)雪崩和换相模式下(xia)承受高能量(liang)脉冲(chong) |
| 产品特征(zheng) |
RDS(on) =0.25? @ VGS=10V 低(di)栅极电荷（典(dian)型的16nc） 高耐用性 快速切换 100%雪崩测试 改(gai)进(jin)的(de)(de)dv / dt的(de)(de)能力 |
| 适用范围(wei) |
产品(pin)主要适用于高(gao)效(xiao)率开(kai)关电(dian)源(yuan)，有源(yuan)功率因数(shu)校正。基于半桥(qiao)拓扑。 |
| 封(feng)装(zhuang)形式 | TO-220F、TO-247 |
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| LOGO |
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| 厂家 | KIA原(yuan)厂家 |
| 网址 | www.kiaic.com |
| PDF总页数 | 总5页(ye) |
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