12N65现货(huo)供应商 KIA12N65 12A/650V KIA12N65 PDF下载 -KIA官网(wang)
信息(xi)来源：本站 日期：2018-02-02
KIA12n65hN沟道增强型硅栅(zha)功率(lv)(lv)MOSFET是专为高(gao)电压，高(gao)速功率(lv)(lv)开关应用，如高(gao)效率(lv)(lv)开关电源，基于半桥拓扑结(jie)构(gou)的有源功率(lv)(lv)因数(shu)校(xiao)正(zheng)电子镇流(liu)器。
KIA12N65特征
RDS(on)=0.63?@ VGS = 10V
低栅极(ji)电(dian)荷（典型的52nc）
快速(su)切(qie)换的能力
雪崩(beng)能量
改进的dt／dt能力
产品型号：KIA12N65
工作方式：12A/650V
漏(lou)源(yuan)电压：650V
栅源电压：±30V
漏电流连(lian)续(xu)：12.0*A
脉冲漏极电流：48.0*A
雪崩能量：865mJ
耗散功率：54W
热电阻：62.5℃/W
漏源击穿电(dian)压：650V
温度系(xi)数：0.7V/℃
栅极阈值电压(ya)：2.0V
输入电容(rong)：1850 PF
输(shu)出电容(rong)：180 PF
上升时间：90 ns
封装形式：TO-220F
 |
KIA12N65（12A 650V） |
| 产品编号 | KIA12N65/HF |
| FET极性 | N沟道MOSFET |
| 产品工艺 |
KIA12n65hN沟道增(zeng)强(qiang)型硅栅(zha)功(gong)率(lv)MOSFET是专为(wei)高电压，高速功(gong)率(lv)开(kai)关应用(yong)，如(ru)高效率(lv)开(kai)关电源(yuan)，基于半(ban)桥拓扑结构的(de)有(you)源(yuan)功(gong)率(lv)因(yin)数校正电子镇流(liu)器(qi) |
| 产品特征 |
RDS(on) = 0.63?@ V GS = 10 V 低栅(zha)极电荷（典型的52nc） 快(kuai)速切换的能(neng)力 雪(xue)崩能量(liang) 改进的dt／dt能力(li) |
| 适用范围 | 适(shi)用于高速功率开(kai)关，开(kai)关电源等(deng) |
| 封装形式 | TO-220F |
| PDF文件 |
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| LOGO |
 |
| 厂家 | KIA原厂家 |
| 网址 | shkegan.com |
| PDF总页数 | 总5页 |
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