10N80现货供应商 KIA10N80 10A/800V KIA10N80 PDF下载(zai) -KIA官网
信息来源：本站 日期：2018-02-03
KIA10N80特点
RDS(on) =0.85? @ VGS =10V
低栅极电荷（典型(xing)的63nc）
高(gao)耐用(yong)性
快(kuai)速(su)切换的能(neng)力
雪崩能量
改进的(de)dt／dt能力
ESD能(neng)力提高(gao)
产品型号：KIA10N80
工作方式：10A/800V
漏源电压：800V
栅(zha)源(yuan)电(dian)压：±25V
漏电流连续：10A
脉冲漏(lou)极电(dian)流：40A
雪崩能量：350mJ
耗散功率(lv)：42W
热电阻：62.5℃/W
漏源击穿电压：800V
温(wen)度系数：0.8V/℃
栅极阈值(zhi)电压：2.0V
输入电容：2230 PF
输(shu)出电容：135 PF
上升时(shi)间：35 ns
封装形式：TO-220F、TO-3P
 |
KIA10N80（10N80） |
| 产品编号 | KIA10N80/HF/HH |
| FET极性 | N沟道MOSFET |
| 产品工艺 |
功率MOSFET采用先(xian)进的平面条(tiao)形DMOS工(gong)艺生产的起(qi)亚。这先(xian)进已特(te)别定(ding)制，以尽量减(jian)少对国家的阻力，提供优(you)越的开关。性能，在(zai)雪崩和换流模式下承受高能量脉冲(chong) |
| 产品特征 |
RDS(on) =0.85? @ VGS =10V 低栅(zha)极电荷（典型的(de)63nc） 高耐用性 快速切(qie)换的能力 雪崩(beng)能量(liang) 改(gai)进(jin)的dt／dt能力 ESD能力提高 |
| 适用范围 |
主要适合(he)于(yu)高效率开关(guan)电源(yuan)(yuan)，有源(yuan)(yuan)功率因数校正的基础上半桥拓扑 |
| 封装形式 |
TO-220F、TO-3P |
| PDF文件 |
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| LOGO |
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| 厂家 | KIA原厂家 |
| 网址 | shkegan.com |
| PDF总页数 | 总(zong)5页 |
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
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联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
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