KIA原厂(chang)家(jia) KIA23P10A P沟道(dao) -23A /-100V PDF文(wen)件下载-KIA官网
信息来源：本站 日期：2018-03-12
KIA23P10A采(cai)用先进的沟槽MOSFET技术，提供优良(liang)的R DS（上）和(he)门在各种其他应用中使用的电荷。的kia23p10a符合ROHS和(he)格林100% EAS产品的要求，保证全功能可靠性的批准(zhun)
RDS（ON）= 78m?（典型值）@ V GS = 10v
100% EAS保(bao)障
绿色的可用设备
超低栅(zha)电荷
优(you)良(liang)的(de)CDV / dt效应递减
先进的高密度沟槽技术
产品型号：KIA23P10A
工(gong)作方式(shi)：-23A/-100V
漏源电压：-100V
栅源电压：±20V
漏电流连续：-23A
脉冲漏极(ji)电流：-75A
雪崩电流：18.9A
雪(xue)崩能量：157.2mJ
耗(hao)散功率：96W
热电阻：62℃/W
漏源击穿电压：-100V
温度系数：-0.022V/℃
栅极阈值电(dian)压：-1.2V
输入电(dian)容(rong)：3029PF
输(shu)出电容：129PF
上升时间(jian)：53.6ns
封装形(xing)式：TO-252
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KIA23P10A |
| 产品编号 | KIA23P10A -23A/-100V |
| 适用范围 |
主要用于在无线的其他应用程序的各种栅极电荷。kia23p10a符合ROHS环保和绿色产品的要求，保证100% EAS全功能可靠性的批准。 |
| 产品特征 |
RDS（ON）= 78m?（典型值）@ V GS = 10v 100% EAS保障(zhang) 绿色的可用设备 超低栅电荷 优良(liang)的CDV / dt效应递减(jian) 先进的高密度沟槽技术 |
| 封装形式 | TO-252 |
| PDF文件 |
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| LOGO |
 |
| 厂家 | KIA原厂家 |
| 网址 | shkegan.com |
| PDF总页数 | 总4页 |
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