IRF730产品参数

IRF730属于Vishay的(de)第(di)三代Power MOSFETs。IRF730为设计者(zhe)提(ti)供了转换快速(su)、坚固耐用、低导通阻抗和高(gao)效(xiao)益的(de)强力组合。

TO-220封(feng)(feng)装(zhuang)(zhuang)的(de)(de)IRF730普(pu)遍(bian)(bian)适用于功耗在50W左右的(de)(de)工(gong)商业(ye)应(ying)(ying)用，低热阻(zu)和(he)低成本的(de)(de)TO-220封(feng)(feng)装(zhuang)(zhuang)，使(shi)IRF730得(de)到(dao)业(ye)内(nei)的(de)(de)普(pu)遍(bian)(bian)认(ren)可(ke)。SMD-220封(feng)(feng)装(zhuang)(zhuang)的(de)(de)IRF730适用于贴片(pian)(pian)安(an)装(zhuang)(zhuang)，比起现有的(de)(de)任何(he)其他贴片(pian)(pian)封(feng)(feng)装(zhuang)(zhuang)，可(ke)说是功率最高，导通阻(zu)抗最低。IRF730的(de)(de)SMD-220封(feng)(feng)装(zhuang)(zhuang)可(ke)适应(ying)(ying)高强度电流的(de)(de)应(ying)(ying)用。

2、特征
动(dong)态dv/dt率

可恢(hui)复(fu)性雪崩测定

快速转换速率(lv)

并(bing)行简易

仅需(xu)简单(dan)驱动

无铅环保

3、IRF730产品(pin)参数(shu)

连续(xu)漏电流(liu)、电压(ya)：5.5a

连续漏电(dian)流(liu)、电(dian)压：3.5a

漏电(dian)流脉(mai)冲(chong)：22a

功(gong)耗：74w

线性降额(e)因(yin)数：0.6 / w°C

源(yuan)电(dian)压：±30

二(er)极管恢(hui)复：4.6v/ns

工(gong)作(zuo)温度：-55 + 150tstg

存储(chu)温(wen)度范围

焊接温度，10 seconds300（1.6mm案例(li)）°C

封装(zhuang)形式(shi)：TO-220, TO-263, TO-262

4、MOSFET选型(xing)指标

PartNumbe	VDss(V)	ID（A）	Max RDS(ON) @60%ID(Ω)	Typical RDS(ON) @60%ID(Ω)
IRF840	500	8	0.85	63
IRF7811	30	14	14	17
IRF530	100	14	0.16	26
IRF530	100	17	90	24.7
IRF634	250	8.1	0.45	54
IRF7413	30	13	11	44
IRF3710	100	57	23	86.7
IRf1404	40	162	4	160