1、KIA10N60描述

N沟道增强型硅(gui)栅功(gong)率MOSFET的设计用于(yu)高(gao)压、高(gao)速功(gong)率开关应用，如高(gao)效率开关电源，有源功(gong)率因数校(xiao)正电子镇流器(qi)基(ji)于(yu)半桥拓扑。

2、特征

RD= 0.6@ V GS = 10v

低栅极(ji)电(dian)荷（典(dian)型的44nc）

快(kuai)速(su)切换(huan)的能力

雪(xue)崩能量(liang)

改进的dt／dt能力(li)

漏源反向电(dian)压(ya)（vds)： 600

栅(zha)源反向(xiang)电压（vgs)：30

漏电流（连续）:TC=250C

总功耗:TC=25oC、PD=50 W

结温(wen):TJ+150oC

贮藏温度~ STG - 55 + 150oC

封装形(xing)式：TO-220F

3、KIA10N06产品规格

	10N60（9.5A 100V）
产品编(bian)号	KIA10N60H
产品工艺	10N60 N沟道增强型硅栅功(gong)(gong)率MOSFET的设计用于高(gao)压、高(gao)速功(gong)(gong)率开关(guan)应用，如高(gao)效率开关(guan)电(dian)源(yuan)，有(you)源(yuan)功(gong)(gong)率因(yin)数校(xiao)正电(dian)子镇流器基于半桥拓(tuo)扑
特征	RD= 0.6?@ V GS = 10v 低栅极电荷（典型的(de)44nc）快速(su)切(qie)换的能力(li) 雪崩能量改进的(de)dt／dt能力
适用(yong)范围	该产(chan)品适用于高速(su)开关(guan)电(dian)源，PWM电(dian)机控制，高效率的DC至DC转换(huan)器(qi)和(he)桥(qiao)电(dian)路
封(feng)装(zhuang)形式	TO-220F
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厂家	KIA 原(yuan)厂(chang)家(jia)
网址(zhi)	shkegan.com
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