KIA原厂家 KIA3414 N沟(gou)道 4.2A /20V PDF文件下载-KIA官网(wang)
信(xin)息来源:本站 日(ri)期:2018-03-13
KIA3414采用(yong)先进的(de)沟槽技术,提(ti)供优良的(de)RDS(on),低(di)栅极电(dian)荷(he)和低(di)闸(zha)极电(dian)压(ya)为1.8v.装置操作,适用(yong)作为负荷(he)开关或(huo)在PWM。标准KIA3414无铅产(chan)品。(符(fu)合ROHS)。KIA3414是(shi)一(yi)种(zhong)绿色产(chan)品订购选(xuan)项。KIA3414电(dian)相同。
VDS (V)=20V
ID=4.2A
RDS(on) <50mΩ(V GS =4.5V,I D =4.2A)
RDS(on) <63mΩ(V GS =2.5V,I D =3.7A)
产品型(xing)号:KIA3414
工(gong)作方式:4.2A/20V
漏源电压:20V
栅源电(dian)压:±12A
漏(lou)电流(liu)连(lian)续:4.2A
脉冲漏极电流:15A
耗散功率:1.4W
热电阻(zu):70℃/W
漏源击穿电压(ya):20V
栅极阈值电压:-0.4V
输入(ru)电容:436PF
输出电容:66PF
上(shang)升时间:6.3ns
封装形式(shi):SOT-23
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KIA3414 4.2A/20V |
产品编号 | KIA3414 N沟道MOSFET |
产品特征 |
VDS (V)=20V ID=4.2A RDS(on) <50mΩ(V GS =4.5V,I D =4.2A) RDS(on) <63mΩ(V GS =2.5V,I D =3.7A) |
适用范围 |
适用作为负荷开关或在PWM |
封装形式 | SOT-23 |
PDF文件 |
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LOGO |
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厂家 | KIA原厂家 |
网址 | ww.shkegan.com |
PDF总页数 | 总5页 |
联系方式:邹先生
联系电话:0755-83888366-8022
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