IRF3205参数

功率金属氧化物半(ban)导(dao)体场效应晶体管，利用(yong)先(xian)进的处理技术达到每个(ge)硅片极低的导(dao)通阻(zu)抗。这(zhei)样有益于结合高速的开关和可靠(kao)使(shi)MOSFETS大量地(di)实(shi)用(yong)设备(bei)上，使(shi)设计师能够非常高效，可靠(kao)的应用(yong)在各个(ge)方面。

D2Pak表面封(feng)装(zhuang)的适合于(yu)小(xiao)功率(lv)大面积小(xiao)HEX-4。它(ta)能(neng)够提供最大的功率(lv)输出和最可能(neng)小(xiao)的导通阻抗在(zai)现有的贴片(pian)封(feng)装(zhuang)。

D2Pak适合与大电流应用(yong)场合，是(shi)(shi)因为它有(you)低(di)的内部(bu)连接阻抗和具有(you)2W的散热能力，是(shi)(shi)典型的贴片封装应用(yong)。

IRF3205特征

先进的(de)加工技术

极低(di)的导通(tong)阻抗

动态的dv/dt等级

175℃运行温度

充分的雪崩(beng)等级

IRF3205参(can)数(shu)

漏极电流（连续(xu)）：110 A

脉(mai)冲漏极电流：390A

功率消散：200W

线性额定(ding)降低(di)因数(shu) ：1.3 W/℃

门(men)极电压：±20

雪(xue)崩电流：62A

重复(fu)雪崩能量(liang)：20 mJ dv/dt

二极管恢复峰值(zhi)电压变化率：5.0 V/nS

工作节点温(wen)度和保存温(wen)度： -55（to） +175℃

焊接温度，在10秒(miao)内(nei)：300（假(jia)设为(wei)1.6mm）℃

MOSFET选型指标

PartNumbe	VDss(V)	ID（A）	Max RDS(ON) @60%ID(Ω)	Typical RDS(ON) @60%ID(Ω)
IRF840	500	8	0.85	63
IRF7811	30	14	14	17
IRF610	200	3.3	1.5	8.2
IRF530	100	17	90	24.7
IRF634	250	8.1	0.45	54
IRF7413	30	13	11	44
IRF3710	100	57	23	86.7
IRF024	55	162	4	160
IRF630	200	9.5	300	23.3
IRf1404	40	162	4	160