场效应mos管结(jie)构与原(yuan)(yuan)理图(tu)详解(jie)-mos管发热原(yuan)(yuan)因、驱动等分析-KIA MOS管
信息来(lai)源：本(ben)站(zhan) 日(ri)期：2018-12-24
场(chang)(chang)效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简(jian)称场(chang)(chang)效应管。主要有两种类型(xing)（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导(dao)(dao)体场(chang)(chang)效应管（metal-oxide semiconductor FET，简(jian)称MOS-FET）。由多数载流子参与导(dao)(dao)电，也称为单极型(xing)晶体管。它属于电压控制(zhi)型(xing)半导(dao)(dao)体器件。具有输(shu)入(ru)电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功(gong)耗低(di)、动(dong)态范围大、易于集成(cheng)、没(mei)有二次击穿现象、安全(quan)工作区域(yu)宽(kuan)等优点，现已成(cheng)为双极型(xing)晶体管和功(gong)率晶体管的强大竞(jing)争(zheng)者。
场(chang)(chang)效(xiao)应(ying)管（FET）是利用(yong)控制输入回路(lu)的电场(chang)(chang)效(xiao)应(ying)来控制输出回路(lu)电流的一种半(ban)导体(ti)器件，并(bing)以此命名(ming)。
由于它仅靠(kao)半导体中的多(duo)数(shu)载流子(zi)导电，又称(cheng)单极型晶体管。FET 英(ying)文为Field Effect Transistor，简写成FET。
mos管是金属(shu)(metal)—氧化物(oxide)—半(ban)导(dao)体(semiconductor)场(chang)效应(ying)晶体管，或者称是金属(shu)—绝缘体(insulator)—半(ban)导(dao)体。MOS管的(de)source和drain是可以对(dui)调的(de)，他们都是在P型(xing)backgate中形成(cheng)的(de)N型(xing)区。在多数情况下，这个两个区是一样的(de)，即使两端(duan)对(dui)调也不会(hui)影(ying)响器件的(de)性能。这样的(de)器件被(bei)认为是对(dui)称的(de)。
N沟(gou)道MOS管结构示意图和符(fu)号
场效应mos管(guan)(guan)三极(ji)管(guan)(guan)分为(wei)：增强型（又有N沟(gou)道(dao)、P沟(gou)道(dao)之分）及耗尽型（分有N沟(gou)道(dao)、P沟(gou)道(dao)）。N沟(gou)道(dao)增强型MOSFET的(de)结构示(shi)意(yi)图和符号见上图。其(qi)中：电(dian)极(ji) D（Drain） 称(cheng)为(wei)漏极(ji)，相当双极(ji)型三极(ji)管(guan)(guan)的(de)集电(dian)极(ji)；
电极 G（Gate） 称为栅极，相当于的基极；
电极 S（Source）称为源极，相当于发(fa)射极。
场效应mos管N沟道增强型结(jie)构，在一(yi)块掺杂浓度较低的(de)(de)(de)P型硅衬(chen)底(di)上，制作两个高掺杂浓度的(de)(de)(de)N+区，并(bing)用(yong)金(jin)属铝引(yin)出(chu)(chu)两个电(dian)极(ji)，分别作漏(lou)极(ji)d和源极(ji)s。然后在半导体表面覆盖一(yi)层很薄的(de)(de)(de)二氧化硅(SiO2)绝(jue)缘层，在漏(lou)——源极(ji)间的(de)(de)(de)绝(jue)缘层上再装(zhuang)上一(yi)个铝电(dian)极(ji),作为栅极(ji)g。衬(chen)底(di)上也引(yin)出(chu)(chu)一(yi)个电(dian)极(ji)B，这就构成了一(yi)个N沟(gou)道增(zeng)强型MOS管。MOS管的(de)(de)(de)源极(ji)和衬(chen)底(di)通(tong)常是接在一(yi)起的(de)(de)(de)(大多(duo)数管子在出(chu)(chu)厂(chang)前已连接好)。它的(de)(de)(de)栅极(ji)与(yu)其它电(dian)极(ji)间是绝(jue)缘的(de)(de)(de)。
图(tu)(a)、(b)分(fen)别(bie)是它(ta)的结构示(shi)(shi)意图(tu)和代表符(fu)号(hao)。代表符(fu)号(hao)中的箭(jian)(jian)头(tou)方向(xiang)表示(shi)(shi)由P(衬底)指(zhi)向(xiang)N(沟道)。P沟道增强型(xing)MOS管的箭(jian)(jian)头(tou)方向(xiang)与(yu)上述相反，如图(tu)(c)所(suo)示(shi)(shi)。
（1）vGS对iD及(ji)沟道的控制作用
① vGS=0 的情(qing)况
从图1(a)可以看(kan)出，增强型MOS管的(de)漏极d和(he)源(yuan)极s之间有两个(ge)背靠(kao)背的(de)PN结。当栅(zha)——源(yuan)电压vGS=0时，即使加上漏——源(yuan)电压vDS，而且不(bu)论(lun)vDS的(de)极性如何，总(zong)有一个(ge)PN结处(chu)于反偏状态，漏——源(yuan)极间没有导电沟道，所以这时漏极电流iD≈0。
② vGS>0 的情况
若(ruo)vGS＞0，则栅极和衬底之(zhi)间的(de)SiO2绝缘(yuan)层(ceng)中便产(chan)生(sheng)一个电(dian)(dian)场。电(dian)(dian)场方向垂(chui)直于半导体表面的(de)由栅极指向衬底的(de)电(dian)(dian)场。这个电(dian)(dian)场能排斥空(kong)穴而吸引电(dian)(dian)子。
排(pai)斥空穴(xue)：使栅极附近的(de)P型衬底中的(de)空穴(xue)被(bei)排(pai)斥，剩下不能移动的(de)受(shou)主(zhu)离(li)子(负离(li)子)，形成耗尽层。吸引(yin)电子：将 P型衬底中的(de)电子（少子）被(bei)吸引(yin)到衬底表(biao)面。
（2）导电沟道的形成：
当vGS数值较(jiao)小，吸(xi)引电(dian)(dian)子(zi)的(de)能力不强时(shi)(shi)，漏——源极之间(jian)仍无导(dao)电(dian)(dian)沟(gou)道(dao)出现，如(ru)图1(b)所(suo)示。vGS增加时(shi)(shi)，吸(xi)引到(dao)P衬(chen)(chen)底表(biao)(biao)面(mian)层(ceng)的(de)电(dian)(dian)子(zi)就增多(duo)，当vGS达到(dao)某(mou)一数值时(shi)(shi)，这些电(dian)(dian)子(zi)在栅极附近的(de)P衬(chen)(chen)底表(biao)(biao)面(mian)便形成(cheng)一个N型薄层(ceng)，且与两个N+区(qu)相连通，在漏——源极间(jian)形成(cheng)N型导(dao)电(dian)(dian)沟(gou)道(dao)，其导(dao)电(dian)(dian)类型与P衬(chen)(chen)底相反，故又称为反型层(ceng)，如(ru)图1(c)所(suo)示。vGS越(yue)大，作用于半导(dao)体表(biao)(biao)面(mian)的(de)电(dian)(dian)场就越(yue)强，吸(xi)引到(dao)P衬(chen)(chen)底表(biao)(biao)面(mian)的(de)电(dian)(dian)子(zi)就越(yue)多(duo)，导(dao)电(dian)(dian)沟(gou)道(dao)越(yue)厚，沟(gou)道(dao)电(dian)(dian)阻越(yue)小。
开(kai)始形(xing)成沟(gou)道时的栅——源极(ji)电压称为开(kai)启电压，用VT表示。
上(shang)面讨论的N沟(gou)道MOS管(guan)(guan)在(zai)vGS＜VT时，不能形成(cheng)(cheng)导电沟(gou)道，管(guan)(guan)子(zi)处(chu)于(yu)截止(zhi)状态(tai)。只有当vGS≥VT时，才有沟(gou)道形成(cheng)(cheng)。这种必须在(zai)vGS≥VT时才能形成(cheng)(cheng)导电沟(gou)道的MOS管(guan)(guan)称为增(zeng)强型MOS管(guan)(guan)。沟(gou)道形成(cheng)(cheng)以(yi)后，在(zai)漏(lou)——源极(ji)间加上(shang)正向电压(ya)vDS，就有漏(lou)极(ji)电流产生(sheng)。
vDS对iD的影响
如图(tu)(a)所示(shi)，当vGS>VT且为一确(que)定值时，漏——源电压vDS对导(dao)电沟道及电流iD的影响与结型(xing)场(chang)效(xiao)应管(guan)相似。
漏极(ji)电流iD沿沟道(dao)产生的电压(ya)降使沟道(dao)内各(ge)点与栅(zha)极(ji)间的电压(ya)不再相等，靠近源极(ji)一端的电压(ya)最大，这(zhei)里沟道(dao)最厚(hou)，而(er)漏极(ji)一端电压(ya)最小(xiao)，其(qi)值(zhi)为VGD=vGS－vDS，因而(er)这(zhei)里沟道(dao)最薄。但当vDS较小(xiao)（vDS
随着(zhe)vDS的(de)增大，靠(kao)近(jin)漏(lou)(lou)极(ji)的(de)沟(gou)道(dao)越来越薄，当vDS增加(jia)到使VGD=vGS－vDS=VT(或(huo)vDS=vGS－VT)时，沟(gou)道(dao)在漏(lou)(lou)极(ji)一端出现预夹(jia)断，如图2(b)所(suo)示(shi)。再继(ji)续(xu)增大vDS，夹(jia)断点(dian)将(jiang)向源极(ji)方向移动，如图2(c)所(suo)示(shi)。由于vDS的(de)增加(jia)部(bu)分几乎全部(bu)降落在夹(jia)断区，故iD几
乎不(bu)随vDS增(zeng)大而增(zeng)加，管子进入饱和区，iD几乎仅(jin)由vGS决定。
（1）结构(gou)：
N沟道耗尽型(xing)MOS管与N沟道增强型(xing)MOS管基本相似。
（2）区别：
耗尽型MOS管在vGS=0时(shi)，漏——源极间已有导电沟(gou)道(dao)产生，而增(zeng)强型MOS管要在vGS≥VT时(shi)才出现导电沟(gou)道(dao)。
（3）原因(yin)：
制造N沟(gou)(gou)道(dao)耗尽(jin)型MOS管时(shi)，在SiO2绝缘层中掺入了大(da)量(liang)的(de)碱金属正离子Na+或K+(制造P沟(gou)(gou)道(dao)耗尽(jin)型MOS管时(shi)掺入负离子)，如图1(a)所示，因此(ci)即使vGS=0时(shi)，在这些正离子产生的(de)电(dian)(dian)场作用下，漏——源极间(jian)的(de)P型衬底表面(mian)也(ye)能感(gan)应(ying)生成N沟(gou)(gou)道(dao)(称为初始沟(gou)(gou)道(dao))，只(zhi)要(yao)加上正向电(dian)(dian)压vDS，就有电(dian)(dian)流iD。
如(ru)果(guo)加(jia)上(shang)正的vGS，栅极与(yu)N沟(gou)(gou)道(dao)(dao)(dao)间的电场将在(zai)沟(gou)(gou)道(dao)(dao)(dao)中吸引来更多的电子(zi)，沟(gou)(gou)道(dao)(dao)(dao)加(jia)宽，沟(gou)(gou)道(dao)(dao)(dao)电阻(zu)变小，iD增(zeng)大。反之vGS为(wei)(wei)负(fu)(fu)时，沟(gou)(gou)道(dao)(dao)(dao)中感应(ying)的电子(zi)减(jian)少，沟(gou)(gou)道(dao)(dao)(dao)变窄，沟(gou)(gou)道(dao)(dao)(dao)电阻(zu)变大，iD减(jian)小。当(dang)vGS负(fu)(fu)向增(zeng)加(jia)到某一(yi)数值(zhi)时，导(dao)电沟(gou)(gou)道(dao)(dao)(dao)消(xiao)失，iD趋于零，管子(zi)截(jie)止，故称为(wei)(wei)耗尽型(xing)(xing)。沟(gou)(gou)道(dao)(dao)(dao)消(xiao)失时的栅－源电压称为(wei)(wei)夹断(duan)电压，仍用(yong)VP表示。与(yu)N沟(gou)(gou)道(dao)(dao)(dao)结型(xing)(xing)场效应(ying)管相同(tong)，N沟(gou)(gou)道(dao)(dao)(dao)耗尽型(xing)(xing)MOS管的夹断(duan)电压VP也为(wei)(wei)负(fu)(fu)值(zhi)，但是(shi)，前者只(zhi)能(neng)在(zai)vGS<0的情况(kuang)下工作。而后者在(zai)vGS=0，vGS>0。
P沟道MOSFET的工作(zuo)原理与N沟道MOSFET完全相(xiang)同，只(zhi)不(bu)过导电(dian)的载流子(zi)不(bu)同，供电(dian)电(dian)压极(ji)性(xing)不(bu)同而已。这如同双极(ji)型三极(ji)管有(you)NPN型和PNP型一样。
场效应mos管，做(zuo)电源设(she)计，或者做(zuo)驱动(dong)方面的(de)电路，难免要用到MOS管。MOS管有很(hen)多(duo)种类(lei)，也有很(hen)多(duo)作用。做(zuo)电源或者驱动(dong)的(de)使用，当(dang)然就是用它的(de)开关作用。
无论(lun)N型或者(zhe)P型MOS管(guan)，其工作原理本质(zhi)是(shi)(shi)一样的(de)(de)(de)(de)。MOS管(guan)是(shi)(shi)由(you)加(jia)在(zai)(zai)输(shu)入端栅(zha)极(ji)的(de)(de)(de)(de)电压来控制输(shu)出端漏极(ji)的(de)(de)(de)(de)电流。MOS管(guan)是(shi)(shi)压控器(qi)件(jian)它通过加(jia)在(zai)(zai)栅(zha)极(ji)上的(de)(de)(de)(de)电压控制器(qi)件(jian)的(de)(de)(de)(de)特性(xing)，不会发生像三(san)极(ji)管(guan)做开关时(shi)的(de)(de)(de)(de)因基极(ji)电流引起的(de)(de)(de)(de)电荷(he)存储效应，因此(ci)在(zai)(zai)开关应用中，MOS管(guan)的(de)(de)(de)(de)开关速度应该比三(san)极(ji)管(guan)快。其主要原理如图：
场效应mos管工作(zuo)原(yuan)理
在(zai)开(kai)关电源中(zhong)常用MOS管(guan)(guan)的漏(lou)(lou)极开(kai)路(lu)电路(lu)，如图(tu)2漏(lou)(lou)极原封(feng)不(bu)动地接负载(zai)，叫(jiao)开(kai)路(lu)漏(lou)(lou)极，开(kai)路(lu)漏(lou)(lou)极电路(lu)中(zhong)不(bu)管(guan)(guan)负载(zai)接多高(gao)的电压(ya)，都(dou)能够(gou)接通和关断负载(zai)电流。是(shi)理(li)(li)想的模拟开(kai)关器件。这(zhei)就是(shi)MOS管(guan)(guan)做(zuo)开(kai)关器件的原理(li)(li)。当(dang)然MOS管(guan)(guan)做(zuo)开(kai)关使用的电路(lu)形(xing)式比较多了。
NMOS管的开路漏极电路
在开关(guan)(guan)电源(yuan)应用方面(mian)，这(zhei)种(zhong)应用需要MOS管定期(qi)导(dao)通和关(guan)(guan)断。比如，DC-DC电源(yuan)中常(chang)用的(de)(de)基本降压转换器依赖(lai)两个MOS管来执行开关(guan)(guan)功能，这(zhei)些开关(guan)(guan)交替(ti)在电感里存储(chu)能量，然后(hou)把(ba)能量释放给负载(zai)。我们常(chang)选择数(shu)百kHz乃至(zhi)1MHz以(yi)上(shang)的(de)(de)频率，因为频率越高，磁(ci)性元件可以(yi)更(geng)小更(geng)轻。在正(zheng)常(chang)工作期(qi)间(jian)，MOS管只相当(dang)于一个导(dao)体。因此，我们电路或(huo)者电源(yuan)设(she)计人员最关(guan)(guan)心的(de)(de)是MOS的(de)(de)最小传(chuan)导(dao)损(sun)耗。
我们经(jing)常看MOS管(guan)的(de)(de)(de)PDF参(can)数(shu)，MOS管(guan)制造商采(cai)用(yong)RDS(ON)参(can)数(shu)来定(ding)义(yi)导通阻(zu)抗，对(dui)开关应用(yong)来说(shuo)，RDS(ON)也是(shi)最重(zhong)要的(de)(de)(de)器(qi)件(jian)特性。数(shu)据手册(ce)定(ding)义(yi)RDS(ON)与栅极(或驱(qu)动(dong))电(dian)压VGS以及流经(jing)开关的(de)(de)(de)电(dian)流有(you)关，但对(dui)于(yu)(yu)充分的(de)(de)(de)栅极驱(qu)动(dong)，RDS(ON)是(shi)一个相(xiang)对(dui)静态参(can)数(shu)。一直(zhi)处于(yu)(yu)导通的(de)(de)(de)MOS管(guan)很容(rong)易(yi)发热(re)(re)。另外，慢慢升高(gao)的(de)(de)(de)结(jie)(jie)温也会导致(zhi)RDS(ON)的(de)(de)(de)增加。MOS管(guan)数(shu)据手册(ce)规定(ding)了热(re)(re)阻(zu)抗参(can)数(shu)，其定(ding)义(yi)为MOS管(guan)封装的(de)(de)(de)半导体结(jie)(jie)散(san)热(re)(re)能(neng)力。RθJC的(de)(de)(de)最简(jian)单的(de)(de)(de)定(ding)义(yi)是(shi)结(jie)(jie)到管(guan)壳的(de)(de)(de)热(re)(re)阻(zu)抗。
1.电路设计(ji)的问题，就(jiu)是(shi)让MOS管(guan)工(gong)作在线(xian)性的工(gong)作状(zhuang)态，而(er)不(bu)是(shi)在开关状(zhuang)态。这(zhei)也是(shi)导致(zhi)MOS管(guan)发(fa)热的一(yi)个(ge)原(yuan)因(yin)。如果N-MOS做开关，G级(ji)电压(ya)要比电源(yuan)高几(ji)V，才能(neng)完(wan)全导通，P-MOS则相反。没有完(wan)全打开而(er)压(ya)降过(guo)大造成功率消耗，等(deng)效直(zhi)流阻(zu)抗比较大，压(ya)降增大，所以U*I也增大，损耗就(jiu)意味着发(fa)热。这(zhei)是(shi)设计(ji)电路的最忌讳的错误。
2.频率太高，主要是有时过(guo)分追求体积，导(dao)致频率提高，MOS管上(shang)的(de)损耗(hao)增大了，所(suo)以发(fa)热也加大了。
3.没有做(zuo)好(hao)足(zu)够(gou)的散(san)热设(she)计，电(dian)流(liu)太(tai)高，MOS管(guan)标称(cheng)的电(dian)流(liu)值，一般(ban)需要(yao)良好(hao)的散(san)热才能达到。所以ID小于最大电(dian)流(liu)，也(ye)可能发热严重，需要(yao)足(zu)够(gou)的辅助散(san)热片。
4.MOS管(guan)的选(xuan)型(xing)有(you)误，对功率判断有(you)误，MOS管(guan)内阻没有(you)充分考(kao)虑，导致开关阻抗增大。
导通(tong)的(de)意(yi)思是(shi)作为开关(guan)，相当于(yu)开关(guan)闭合。NMOS的(de)特性，Vgs大(da)于(yu)一定的(de)值就会导通(tong)，适(shi)合用(yong)于(yu)源极接地时(shi)的(de)情(qing)况(kuang)（低端(duan)驱(qu)动(dong)），只(zhi)要栅极电压达(da)到4V或10V就可以了。PMOS的(de)特性，Vgs小(xiao)于(yu)一定的(de)值就会导通(tong)，适(shi)合用(yong)于(yu)源极接VCC时(shi)的(de)情(qing)况(kuang)（高端(duan)驱(qu)动(dong)）。但(dan)是(shi)，虽(sui)然PMOS可以很方便地用(yong)作高端(duan)驱(qu)动(dong)，但(dan)由于(yu)导通(tong)电阻大(da)，价格贵，替换种(zhong)类少等原(yuan)因，在高端(duan)驱(qu)动(dong)中，通(tong)常还是(shi)使用(yong)NMOS。
不(bu)管是(shi)(shi)NMOS还是(shi)(shi)PMOS，导通后都有(you)导通电(dian)(dian)(dian)阻(zu)存(cun)在(zai)(zai)，这(zhei)样电(dian)(dian)(dian)流(liu)就会(hui)(hui)在(zai)(zai)这(zhei)个(ge)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)上消耗(hao)能(neng)(neng)量(liang)，这(zhei)部分消耗(hao)的(de)能(neng)(neng)量(liang)叫做导通损(sun)耗(hao)。选(xuan)择导通电(dian)(dian)(dian)阻(zu)小(xiao)(xiao)的(de)MOS管会(hui)(hui)减小(xiao)(xiao)导通损(sun)耗(hao)。现在(zai)(zai)的(de)小(xiao)(xiao)功率MOS管导通电(dian)(dian)(dian)阻(zu)一般在(zai)(zai)几(ji)(ji)十毫欧(ou)左右(you)，几(ji)(ji)毫欧(ou)的(de)也有(you)。MOS在(zai)(zai)导通和截止的(de)时候，一定不(bu)是(shi)(shi)在(zai)(zai)瞬(shun)间完成的(de)。MOS两端的(de)电(dian)(dian)(dian)压(ya)有(you)一个(ge)下降(jiang)的(de)过程(cheng)，流(liu)过的(de)电(dian)(dian)(dian)流(liu)有(you)一个(ge)上升(sheng)的(de)过程(cheng)，在(zai)(zai)这(zhei)段时间内，MOS管的(de)损(sun)失(shi)是(shi)(shi)电(dian)(dian)(dian)压(ya)和电(dian)(dian)(dian)流(liu)的(de)乘积(ji)，叫做开关损(sun)失(shi)。
通常开(kai)关(guan)损(sun)失(shi)比导通损(sun)失(shi)大得(de)多，而(er)且开(kai)关(guan)频(pin)(pin)率越(yue)快，损(sun)失(shi)也越(yue)大。导通瞬间(jian)电压和(he)电流的(de)乘积很大，造成的(de)损(sun)失(shi)也就很大。缩短开(kai)关(guan)时(shi)间(jian)，可以(yi)(yi)减(jian)小(xiao)每次导通时(shi)的(de)损(sun)失(shi)；降低开(kai)关(guan)频(pin)(pin)率，可以(yi)(yi)减(jian)小(xiao)单(dan)位(wei)时(shi)间(jian)内的(de)开(kai)关(guan)次数。这两种办法(fa)都可以(yi)(yi)减(jian)小(xiao)开(kai)关(guan)损(sun)失(shi)。
跟(gen)双(shuang)极(ji)性晶体管相比，一般(ban)认为使MOS管导通不需要(yao)电流(liu)，只要(yao)GS电压高于(yu)一定的值(zhi)，就可以了。这个很容易做到，但是(shi)，我们(men)还需要(yao)速度(du)。
在MOS管的(de)结构中可以(yi)(yi)看到，在GS，GD之间(jian)存在寄生(sheng)电(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)，而(er)MOS管的(de)驱动，实际上就是(shi)对电(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)的(de)充放电(dian)(dian)(dian)(dian)。对电(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)的(de)充电(dian)(dian)(dian)(dian)需要(yao)(yao)一(yi)个电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)，因为对电(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)充电(dian)(dian)(dian)(dian)瞬(shun)间(jian)可以(yi)(yi)把电(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)看成(cheng)短路，所以(yi)(yi)瞬(shun)间(jian)电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)会比较(jiao)大。选择/设计(ji)MOS管驱动时第一(yi)要(yao)(yao)注意的(de)是(shi)可提供瞬(shun)间(jian)短路电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)的(de)大小(xiao)。
第二注意的(de)(de)(de)(de)是(shi)(shi)，普遍用于高端驱(qu)(qu)动(dong)的(de)(de)(de)(de)NMOS，导通时需要是(shi)(shi)栅(zha)极(ji)(ji)电(dian)压大(da)于源极(ji)(ji)电(dian)压。而高端驱(qu)(qu)动(dong)的(de)(de)(de)(de)MOS管(guan)导通时源极(ji)(ji)电(dian)压与漏极(ji)(ji)电(dian)压（VCC）相同，所以(yi)这时栅(zha)极(ji)(ji)电(dian)压要比VCC大(da)4V或(huo)10V。如果(guo)在同一个(ge)系统(tong)里，要得到比VCC大(da)的(de)(de)(de)(de)电(dian)压，就要专门(men)的(de)(de)(de)(de)升压电(dian)路(lu)了(le)。很多马(ma)达驱(qu)(qu)动(dong)器都集成了(le)电(dian)荷(he)泵(beng)，要注意的(de)(de)(de)(de)是(shi)(shi)应该(gai)选择合适的(de)(de)(de)(de)外接电(dian)容，以(yi)得到足(zu)够(gou)的(de)(de)(de)(de)短路(lu)电(dian)流去驱(qu)(qu)动(dong)MOS管(guan)。
上(shang)边说的(de)4V或10V是常(chang)用的(de)MOS管的(de)导(dao)(dao)通电压，设计时(shi)当(dang)然需要(yao)有一(yi)定(ding)的(de)余量。而且电压越高，导(dao)(dao)通速度越快，导(dao)(dao)通电阻也越小。现在也有导(dao)(dao)通电压更小的(de)MOS管用在不同的(de)领域里，但在12V汽(qi)车(che)电子(zi)系(xi)统里，一(yi)般4V导(dao)(dao)通就(jiu)够用了。
联(lian)系(xi)方式：邹先生
联系(xi)电话(hua)：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联(lian)系地址：深圳市福田区车(che)公庙(miao)天(tian)安数(shu)码(ma)城天(tian)吉大(da)厦CD座5C1
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关(guan)注”官方微信公众号
请“关(guan)注”官(guan)方微信公众号:提(ti)供 MOS管 技(ji)术帮助
