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IRF730现货供应商 IRF730技(ji)术参数(shu)信(xin)息 IRF730中文资料 KIA官网

信息来源:本站 日期(qi):2018-01-22 

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IRF730产品参(can)数(shu)

IRF730属(shu)于Vishay的第三代(dai)Power MOSFETs。IRF730为设计者(zhe)提供了(le)转换快速、坚固耐(nai)用、低导通阻抗和高(gao)效(xiao)益的强(qiang)力组合(he)。

TO-220封装的(de)(de)(de)IRF730普遍(bian)适(shi)(shi)用(yong)于功(gong)耗在50W左右的(de)(de)(de)工(gong)商业应(ying)用(yong),低热阻和低成本的(de)(de)(de)TO-220封装,使IRF730得到业内(nei)的(de)(de)(de)普遍(bian)认可(ke)。SMD-220封装的(de)(de)(de)IRF730适(shi)(shi)用(yong)于贴(tie)(tie)片安装,比起现(xian)有的(de)(de)(de)任何其他贴(tie)(tie)片封装,可(ke)说是功(gong)率最高,导通阻抗最低。IRF730的(de)(de)(de)SMD-220封装可(ke)适(shi)(shi)应(ying)高强度电流的(de)(de)(de)应(ying)用(yong)。

2、特征(zheng)
动(dong)态dv/dt率

可恢复性雪崩测定

快速转(zhuan)换速率(lv)

并(bing)行简易(yi)

仅需简单驱动(dong)

无铅(qian)环保(bao)

3、IRF730产(chan)品参数

连续漏(lou)电流(liu)、电压:5.5a

连续漏电(dian)流、电(dian)压:3.5a

漏电(dian)流脉冲:22a

功(gong)耗:74w

线性降额因数:0.6 / w°C

源电压:±30

二极管恢复:4.6v/ns

工(gong)作温度:-55 + 150tstg

存储(chu)温度(du)范围

焊接温度,10 seconds300(1.6mm案例)°C

封装形式:TO-220, TO-263, TO-262

4、MOSFET选(xuan)型(xing)指(zhi)标

PartNumbe

VDss(V)

ID(A)

Max RDS(ON)

@60%ID(Ω)

Typical RDS(ON)

@60%ID(Ω)

IRF840

500

8

0.85

63

IRF7811

30

14

14

17

IRF530

100

14

0.16

26

IRF530

100

17

90

24.7

IRF634

250

8.1

0.45

54

IRF7413

30

13

11

44

IRF3710

100

57

23

86.7

IRf1404

40

162

4

160


联系(xi)方式:邹先(xian)生

联系电话:0755-83888366-8022

手机:18123972950

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