IRF730现货供应商 IRF730技(ji)术参数(shu)信(xin)息 IRF730中文资料 KIA官网
信息来源:本站 日期(qi):2018-01-22
IRF730属(shu)于Vishay的第三代(dai)Power MOSFETs。IRF730为设计者(zhe)提供了(le)转换快速、坚固耐(nai)用、低导通阻抗和高(gao)效(xiao)益的强(qiang)力组合(he)。
TO-220封装的(de)(de)(de)IRF730普遍(bian)适(shi)(shi)用(yong)于功(gong)耗在50W左右的(de)(de)(de)工(gong)商业应(ying)用(yong),低热阻和低成本的(de)(de)(de)TO-220封装,使IRF730得到业内(nei)的(de)(de)(de)普遍(bian)认可(ke)。SMD-220封装的(de)(de)(de)IRF730适(shi)(shi)用(yong)于贴(tie)(tie)片安装,比起现(xian)有的(de)(de)(de)任何其他贴(tie)(tie)片封装,可(ke)说是功(gong)率最高,导通阻抗最低。IRF730的(de)(de)(de)SMD-220封装可(ke)适(shi)(shi)应(ying)高强度电流的(de)(de)(de)应(ying)用(yong)。
2、特征(zheng)
动(dong)态dv/dt率
可恢复性雪崩测定
快速转(zhuan)换速率(lv)
并(bing)行简易(yi)
仅需简单驱动(dong)
无铅(qian)环保(bao)
3、IRF730产(chan)品参数
连续漏(lou)电流(liu)、电压:5.5a
连续漏电(dian)流、电(dian)压:3.5a
漏电(dian)流脉冲:22a
功(gong)耗:74w
线性降额因数:0.6 / w°C
源电压:±30
二极管恢复:4.6v/ns
工(gong)作温度:-55 + 150tstg
存储(chu)温度(du)范围
焊接温度,10 seconds300(1.6mm案例)°C
封装形式:TO-220, TO-263, TO-262
4、MOSFET选(xuan)型(xing)指(zhi)标
PartNumbe |
VDss(V) |
ID(A) |
Max RDS(ON) @60%ID(Ω) |
Typical RDS(ON) @60%ID(Ω) |
IRF840 |
500 |
8 |
0.85 |
63 |
IRF7811 |
30 |
14 |
14 |
17 |
IRF530 |
100 |
14 |
0.16 |
26 |
IRF530 |
100 |
17 |
90 |
24.7 |
IRF634 |
250 |
8.1 |
0.45 |
54 |
IRF7413 |
30 |
13 |
11 |
44 |
IRF3710 |
100 |
57 |
23 |
86.7 |
IRf1404 |
40 |
162 |
4 |
160 |
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联系电话:0755-83888366-8022
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