IRF740供(gong)应商(shang) IRF740技术(shu)参数信息(xi) IRF740中文资(zi)料 KIA 官网
信息来源(yuan):本站 日期:2018-01-21
新系列(lie)的低(di)电(dian)荷(he)(he)PowerMOSFETIRF740LC则(ze)具有比传统MOSFETs明显更低(di)的栅(zha)电(dian)荷(he)(he)。利用(yong)新型的LCDMOS技术,IRF740LC性能(neng)得(de)到增(zeng)强(qiang)且无需增(zeng)加(jia)额外(wai)的成本,简化了栅(zha)极动需求,从而节省了系统总体开销(xiao)。此外(wai),在(zai)大量的高(gao)频(pin)应用(yong)中,IRF740LC减(jian)少了转换损耗,效能(neng)得(de)到强(qiang)化。
TO-220封装的IRF740普遍(bian)适(shi)(shi)用(yong)于(yu)功(gong)耗在50W左右(you)的工商业应用(yong),低(di)热阻(zu)(zu)和低(di)成本(ben)的TO-220封装,使IRF740得到业内的普遍(bian)认可。SMD-220封装的IRF740适(shi)(shi)用(yong)于(yu)贴片安装,比起现(xian)有的任何其他贴片封装,可说是功(gong)率最高(gao),导通阻(zu)(zu)抗(kang)最低(di)。IRF740的SMD-220封装可适(shi)(shi)应高(gao)强(qiang)度(du)电流的应用(yong)。
2、IRF740特征
动(dong)态(tai)dv/dt率
可(ke)恢复性(xing)雪(xue)崩测(ce)定
快速(su)(su)转换速(su)(su)率
并行简易
仅需简单驱(qu)动(dong)
超低栅电荷 - IRF740LC
增强VGS等级 30 V - IRF740LC
极(ji)高工(gong)作(zuo)频率 - IRF740LC
无铅环保
3、产品参数
晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 最大值: 10A (at 25℃)
电(dian)压, Vgs 最大:20V
开态电阻, Rds(on): 典(dian)型值 0.48Ω
(Vgs=10V,Id=5.3A)
电压Vds 最(zui)高(gao):400V
功(gong)耗:2.5W
功率(lv)温度:25°C
4、IRF730产品参考
PartNumbe |
VDss(V) |
ID(A) |
MaxRDS(ON) @60%ID(Ω) |
Typical RD(ON)@60%ID(Ω) |
IRF630 |
200 |
9.5 |
300 |
23.3 |
IRF024 |
60 |
14 |
0.10 |
25 |
IRF634 |
250 |
8.1 |
0.45 |
41 |
IRF830 |
500 |
4.5 |
1.5 |
38 |
IRF840 |
500 |
8.0 |
0.85 |
63 |
IRF7811 |
30 |
14 |
14 |
17 |
IRF530 |
100 |
14 |
0.16 |
26 |
IRF7413 |
30 |
13 |
11 |
44 |
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