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IRF740供(gong)应商(shang) IRF740技术(shu)参数信息(xi) IRF740中文资(zi)料 KIA 官网

信息来源(yuan):本站 日期:2018-01-21 

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IRF740参数指标

IRF740属于Vishay的第三代(dai)Power MOSFETs。IRF740为设计者提供了(le)转(zhuan)换快速、坚(jian)固耐(nai)用(yong)、低导(dao)通阻抗和高(gao)效益的强力组合。


新系列(lie)的低(di)电(dian)荷(he)(he)PowerMOSFETIRF740LC则(ze)具有比传统MOSFETs明显更低(di)的栅(zha)电(dian)荷(he)(he)。利用(yong)新型的LCDMOS技术,IRF740LC性能(neng)得(de)到增(zeng)强(qiang)且无需增(zeng)加(jia)额外(wai)的成本,简化了栅(zha)极动需求,从而节省了系统总体开销(xiao)。此外(wai),在(zai)大量的高(gao)频(pin)应用(yong)中,IRF740LC减(jian)少了转换损耗,效能(neng)得(de)到强(qiang)化。

TO-220封装的IRF740普遍(bian)适(shi)(shi)用(yong)于(yu)功(gong)耗在50W左右(you)的工商业应用(yong),低(di)热阻(zu)(zu)和低(di)成本(ben)的TO-220封装,使IRF740得到业内的普遍(bian)认可。SMD-220封装的IRF740适(shi)(shi)用(yong)于(yu)贴片安装,比起现(xian)有的任何其他贴片封装,可说是功(gong)率最高(gao),导通阻(zu)(zu)抗(kang)最低(di)。IRF740的SMD-220封装可适(shi)(shi)应高(gao)强(qiang)度(du)电流的应用(yong)。


2、IRF740特征

动(dong)态(tai)dv/dt率

可(ke)恢复性(xing)雪(xue)崩测(ce)定

快速(su)(su)转换速(su)(su)率

并行简易

仅需简单驱(qu)动(dong)

超低栅电荷 - IRF740LC

增强VGS等级 30 V - IRF740LC

极(ji)高工(gong)作(zuo)频率 - IRF740LC

无铅环保


3、产品参数

晶体管极性:N沟道

漏极电流, Id 最大值: 10A (at 25℃)

电(dian)压, Vgs 最大:20V

开态电阻, Rds(on): 典(dian)型值 0.48Ω

(Vgs=10V,Id=5.3A)

电压Vds 最(zui)高(gao):400V

功(gong)耗:2.5W

功率(lv)温度:25°C


4、IRF730产品参考

PartNumbe

VDss(V)

IDA

MaxRDS(ON)

@60%ID(Ω)

Typical RDON@60%IDΩ

IRF630

200

9.5

300

23.3

IRF024

60

14

0.10

25

IRF634

250

8.1

0.45

41

IRF830

500

4.5

1.5

38

IRF840

500

8.0

0.85

63

IRF7811

30

14

14

17

IRF530

100

14

0.16

26

IRF7413

30

13

11

44



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IRF740

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