MOS管GS并联电阻的作用

MOS管(guan)GS并联电阻的(de)作(zuo)用(yong)，在MOS管的(de)驱(qu)动电路里,某些(xie)场合下,会看到这(zhei)(zhei)(zhei)个电阻(zu),在某些(xie)场合中(zhong),又没(mei)有(you)这(zhei)(zhei)(zhei)个电阻(zu).这(zhei)(zhei)(zhei)个电阻(zu)的(de)值比较常见的(de)为5k,10k.但是这(zhei)(zhei)(zhei)个电阻(zu)有(you)什么用(yong)呢?

在(zai)分析这个(ge)问题(ti)之间,可以做一(yi)个(ge)简(jian)单(dan)的实验:

找一个mos管(guan)(guan),MOS管(guan)(guan)GS击穿(chuan)让它(ta)的G悬(xuan)空,然(ran)后在DS上加(jia)电(dian)压,结果是(shi)怎样?结果是(shi)在输入电(dian)压才几十V的时候(hou),管(guan)(guan)子就烧(shao)掉(diao)了,因为(wei)管(guan)(guan)子导通了.

为(wei)什(shen)么mos管在没有加驱动信号（比如驱动芯片在没启动或者损坏的情况下芯片驱动脚为(wei)高(gao)阻态）的前提下会(hui)导(dao)通(tong),那是因为(wei)管子的DG,GS之(zhi)间(jian)分别有结(jie)电(dian)(dian)容,Cdg和Cgs.所以加在DS之(zhi)间(jian)电(dian)(dian)压(ya)会(hui)通(tong)过Cdg给Cgs充电(dian)(dian),这(zhei)样G极(ji)的电(dian)(dian)压(ya)就会(hui)抬高(gao)直(zhi)到mos管导(dao)通(tong).

所以(yi)在(zai)驱动电(dian)(dian)路(lu)没(mei)(mei)有工作,而且(qie)没(mei)(mei)有放电(dian)(dian)回路(lu)的(de)时(shi)候,mos管很(hen)容易被击穿.假(jia)如采用变(bian)压器驱动,变(bian)压器绕组可以(yi)起到放电(dian)(dian)作用,所以(yi)即使不加GS电(dian)(dian)阻,在(zai)驱动没(mei)(mei)有的(de)情况下,管子也不会自己导通(tong) 。

MOS管GS并联电阻的作用小结

1、防静电损坏MOS（看到个理由是这么(me)说的：由于结(jie)电容(rong)比较小根据公式U=Q/C，所(suo)以较小的Q也会导致(zhi)较大的电压(ya)，导致(zhi)mos管坏掉）

2、提供固定(ding)偏置，在前级电(dian)路(lu)开(kai)路(lu)时(shi)，这(zhei)个较小的(de)电(dian)阻可以保证(zheng)MOS有效的(de)关(guan)(guan)断（理由：G极(ji)开(kai)路(lu)，当电(dian)压(ya)加在DS端时(shi)候，会对Cgd充电(dian)，导致(zhi)G极(ji)电(dian)压(ya)升高(gao)，不能(neng)有效关(guan)(guan)断）

3、下(xia)面还有(you)就是(shi)对电阻大(da)(da)小的(de)解(jie)释(shi)，如果(guo)太小了，驱动电流就会(hui)大(da)(da)，驱动功率(lv)增加；如果(guo)太大(da)(da)，MOS的(de)关断时间会(hui)增大(da)(da)；

MOS管击穿的原因及解决方案详解

第一、MOS管(guan)本身的(de)输入电(dian)(dian)(dian)(dian)阻很高(gao)，而(er)栅(zha)源极间电(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)又非常小，所以极易(yi)受外界(jie)电(dian)(dian)(dian)(dian)磁场(chang)或(huo)(huo)静(jing)电(dian)(dian)(dian)(dian)的(de)感(gan)应而(er)带电(dian)(dian)(dian)(dian)，而(er)少(shao)量电(dian)(dian)(dian)(dian)荷就(jiu)可在(zai)(zai)极间电(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)上形成相(xiang)当高(gao)的(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)(U=Q/C)，将管(guan)子损坏。虽然MOS输入端有抗静(jing)电(dian)(dian)(dian)(dian)的(de)保护措施，但(dan)仍需(xu)小心对(dui)待，在(zai)(zai)存储和运输中(zhong)最(zui)好用金属容(rong)(rong)器或(huo)(huo)者导(dao)电(dian)(dian)(dian)(dian)材料包装，不要放在(zai)(zai)易(yi)产(chan)生静(jing)电(dian)(dian)(dian)(dian)高(gao)压(ya)的(de)化(hua)工(gong)材料或(huo)(huo)化(hua)纤(xian)织物中(zhong)。组(zu)装、调试时(shi)，工(gong)具(ju)、仪表、工(gong)作台等(deng)均应良好接地。要防止操作人员的(de)静(jing)电(dian)(dian)(dian)(dian)干扰造成的(de)损坏，如(ru)不宜(yi)穿(chuan)尼龙、化(hua)纤(xian)衣服，手或(huo)(huo)工(gong)具(ju)在(zai)(zai)接触集成块(kuai)前(qian)最(zui)好先接一下地。对(dui)器件引线矫(jiao)直弯曲或(huo)(huo)人工(gong)焊接时(shi)，使(shi)用的(de)设(she)备必须良好接地。

第二(er)、MOS电(dian)(dian)(dian)路输入端的(de)保(bao)护(hu)(hu)二(er)极管，其导(dao)通时电(dian)(dian)(dian)流(liu)容限一(yi)般为1mA，在(zai)可(ke)(ke)能(neng)出现(xian)过(guo)(guo)大瞬(shun)态(tai)输入电(dian)(dian)(dian)流(liu)(超过(guo)(guo)10mA)时，应(ying)串接(jie)输入保(bao)护(hu)(hu)电(dian)(dian)(dian)阻。因此应(ying)用时可(ke)(ke)选择一(yi)个内部有(you)保(bao)护(hu)(hu)电(dian)(dian)(dian)阻的(de)MOS管应(ying)。还有(you)由(you)于保(bao)护(hu)(hu)电(dian)(dian)(dian)路吸收的(de)瞬(shun)间能(neng)量(liang)有(you)限，太(tai)大的(de)瞬(shun)间信号(hao)和(he)过(guo)(guo)高的(de)静电(dian)(dian)(dian)电(dian)(dian)(dian)压将使(shi)保(bao)护(hu)(hu)电(dian)(dian)(dian)路失去作用。所以焊(han)接(jie)时电(dian)(dian)(dian)烙铁(tie)必(bi)须(xu)可(ke)(ke)靠(kao)接(jie)地，以防(fang)漏电(dian)(dian)(dian)击穿(chuan)器件输入端，一(yi)般使(shi)用时，可(ke)(ke)断(duan)电(dian)(dian)(dian)后(hou)利用电(dian)(dian)(dian)烙铁(tie)的(de)余热进行焊(han)接(jie)，并先焊(han)其接(jie)地管脚。

MOS是电(dian)(dian)(dian)压驱动元件，对电(dian)(dian)(dian)压很(hen)(hen)敏感(gan)，悬(xuan)空的(de)(de)(de)(de)G很(hen)(hen)容(rong)易接受外部干扰使MOS导通，外部干扰信号对G-S结电(dian)(dian)(dian)容(rong)充电(dian)(dian)(dian)，这个微小的(de)(de)(de)(de) 电(dian)(dian)(dian)荷可(ke)以(yi)储存很(hen)(hen)长时(shi)间(jian)(jian)。在(zai)试(shi)验中G悬(xuan)空很(hen)(hen)危险，很(hen)(hen)多就(jiu)(jiu)因(yin)为这样(yang)爆管(guan)(guan)(guan)(guan)，G接个下拉电(dian)(dian)(dian)阻对地，旁路干扰信号就(jiu)(jiu)不(bu)会(hui)直通了，一般可(ke)以(yi)10~20K。这个电(dian)(dian)(dian)阻称为栅(zha)极(ji)电(dian)(dian)(dian)阻，作(zuo)(zuo)用1：为场(chang)(chang)效(xiao)应(ying)管(guan)(guan)(guan)(guan)提供(gong)偏置电(dian)(dian)(dian)压;作(zuo)(zuo)用2：起(qi)到(dao)泻(xie)放(fang)(fang)电(dian)(dian)(dian)阻的(de)(de)(de)(de)作(zuo)(zuo)用(保护(hu)栅(zha)极(ji)G~源极(ji)S)。第(di)一个作(zuo)(zuo)用好(hao)理(li)解，这里解释一下第(di)二个作(zuo)(zuo)用的(de)(de)(de)(de)原理(li)：保护(hu)栅(zha)极(ji)G~源极(ji)S：场(chang)(chang)效(xiao)应(ying)管(guan)(guan)(guan)(guan)的(de)(de)(de)(de)G-S极(ji)间(jian)(jian)的(de)(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)阻值是很(hen)(hen)大的(de)(de)(de)(de)，这样(yang)只要有(you)少量的(de)(de)(de)(de)静电(dian)(dian)(dian)就(jiu)(jiu)能使他的(de)(de)(de)(de)G-S极(ji)间(jian)(jian)的(de)(de)(de)(de)等效(xiao)电(dian)(dian)(dian)容(rong)两端(duan)产生(sheng)很(hen)(hen)高(gao)的(de)(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)压，如果(guo)不(bu)及时(shi)把这些少量的(de)(de)(de)(de)静电(dian)(dian)(dian)泻(xie)放(fang)(fang)掉，他两端(duan)的(de)(de)(de)(de)高(gao)压就(jiu)(jiu)有(you)可(ke)能使场(chang)(chang)效(xiao)应(ying)管(guan)(guan)(guan)(guan)产生(sheng)误动作(zuo)(zuo)，甚(shen)至有(you)可(ke)能击穿其G-S极(ji);这时(shi)栅(zha)极(ji)与源极(ji)之间(jian)(jian)加的(de)(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)阻就(jiu)(jiu)能把上述的(de)(de)(de)(de)静电(dian)(dian)(dian)泻(xie)放(fang)(fang)掉，从而起(qi)到(dao)了保护(hu)场(chang)(chang)效(xiao)应(ying)管(guan)(guan)(guan)(guan)的(de)(de)(de)(de)作(zuo)(zuo)用。

mos管作用

1.可应(ying)用(yong)于放大(da)。由于场效应(ying)管(guan)放大(da)器的(de)输入阻抗很(hen)高，因(yin)此耦合电容(rong)(rong)可以容(rong)(rong)量较小，不(bu)必使用(yong)电解电容(rong)(rong)器。

2.很高的输入(ru)阻(zu)抗(kang)非(fei)常(chang)适合作阻(zu)抗(kang)变(bian)换(huan)。常(chang)用(yong)于多级放大器的输入(ru)级作阻(zu)抗(kang)变(bian)换(huan)。

3.可以用(yong)作(zuo)可变电阻。

4.可以方便地(di)用作恒流源(yuan)。

5.可以(yi)用作(zuo)电子(zi)开关(guan)。

6.在(zai)(zai)电路(lu)设计上的灵活性(xing)大。栅(zha)偏压(ya)可(ke)正可(ke)负(fu)可(ke)零(ling)，三极管只能(neng)在(zai)(zai)正向偏置下(xia)工作(zuo)，电子管只能(neng)在(zai)(zai)负(fu)偏压(ya)下(xia)工作(zuo)。另外输入阻(zu)抗(kang)高(gao)，可(ke)以减轻信号源(yuan)负(fu)载，易于跟(gen)前(qian)级匹配。

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