DFN5*6 DFN3*3

MOS管封装形式

本文主(zhu)(zhu)要(yao)(yao)是讲述DFN5*6 DFN3*3 MOS管(guan)(guan)封装(zhuang)(zhuang)详情(qing)及型号，如有(you)需(xu)要(yao)(yao)请联系(xi)我们，我们将竭(jie)诚为您服务。MOSFET芯片(pian)在(zai)(zai)制作完成之后(hou),需(xu)要(yao)(yao)给(ji)MOSFET芯片(pian)加上(shang)一个外壳(qiao),即(ji)MOS管(guan)(guan)封装(zhuang)(zhuang)。MOSFET芯片(pian)的(de)外壳(qiao)具有(you)支(zhi)撑、保(bao)护、冷(leng)却的(de)作用,同时(shi)还为芯片(pian)提(ti)供(gong)电气连接和隔离,以便MOSFET器件与其它元件构成完整(zheng)的(de)电路。按照安装(zhuang)(zhuang)在(zai)(zai)PCB 方(fang)式(shi)来区分,MOS管(guan)(guan)封装(zhuang)(zhuang)主(zhu)(zhu)要(yao)(yao)有(you)两大类:插入式(shi)(Through Hole)和表面(mian)贴(tie)装(zhuang)(zhuang)式(shi)(Surface Mount)。插入式(shi)就是MOSFET的(de)管(guan)(guan)脚(jiao)穿(chuan)过PCB的(de)安装(zhuang)(zhuang)孔焊(han)接在(zai)(zai)PCB 上(shang)。表面(mian)贴(tie)裝则(ze)是MOSFET的(de)管(guan)(guan)脚(jiao)及散热法(fa)兰焊(han)接在(zai)(zai)PCB表面(mian)的(de)焊(han)盘上(shang)。

MOS管的作用是什么

MOS管对于整个供电系统而(er)言起着稳(wen)压的作(zuo)用(yong)(yong)。目前板卡上(shang)所(suo)采用(yong)(yong)的MOS管并不是(shi)(shi)太多,一(yi)(yi)般(ban)有10个左右,主(zhu)要原因是(shi)(shi)大部分MOS管被整合到IC芯片中去(qu)了(le)。由于MOS管主(zhu)要作(zuo)用(yong)(yong)是(shi)(shi)为配(pei)件(jian)提供稳(wen)定的电压,所(suo)以(yi)它一(yi)(yi)般(ban)使用(yong)(yong)在CPU、GPU 和插(cha)槽等附近。MOS管一(yi)(yi)般(ban)是(shi)(shi)以(yi)上(shang)下(xia)两个组成一(yi)(yi)组的形式出(chu)现板卡上(shang)。

DFN封装

DFN/QFN是一种最新的(de)的(de)电子封(feng)装工艺，ON Semiconductor公司的(de)各种元器件都(dou)采(cai)用了(le)先进(jin)的(de)双(shuang)边或方形扁平(ping)无铅封(feng)装（DFN/QFN）。

DFN/QFN平台是(shi)最新的(de)表面(mian)贴装(zhuang)封(feng)装(zhuang)技术。印刷电路板（PCB）的(de)安装(zhuang)垫、阻(zu)焊(han)层和模(mo)版样式设计以及组(zu)装(zhuang)过程，都(dou)需要遵循相应的(de)原则。 DFN/QFN封(feng)装(zhuang)概述 DFN/QFN平台具有多(duo)功能性(xing)，可(ke)以让一个或多(duo)个半(ban)导体器件在无铅封(feng)装(zhuang)内连接。下图(tu)就(jiu)展示出了这一封(feng)装(zhuang)的(de)灵(ling)活性(xing)。

DFN封装的制作方法

本实(shi)用新型(xing)涉及(ji)电子封装领域(yu)，更具体地说它涉及(ji)一种(zhong)DFN封装。

现(xian)阶段MOS管封(feng)(feng)装内阻相对(dui)较高，散热差(cha)。利用(yong)新型的超薄DFN封(feng)(feng)装结构(gou)可以大大降低内阻，散热性能得到大幅度提升，应(ying)用(yong)领域更为广(guang)泛。

目(mu)前，现有技(ji)术中(zhong)申请(qing)号为(wei)(wei)申请(qing)公(gong)布(bu)号为(wei)(wei) CN102842550A的中(zhong)国专利文件(jian)公(gong)开了一(yi)种(zhong)功率MOSFET芯(xin)片(pian)的DFN封装结构，其通过设(she)置散热区然后(hou)在散热区与(yu)芯(xin)片(pian)之间设(she)置软焊料层连接从(cong)而将芯(xin)片(pian)上热量导(dao)出(chu)散热。

该现有(you)技术主(zhu)要通过与外界的(de)环境接触(chu)进(jin)行散热(re)(re)，但是该现有(you)技术的(de)散热(re)(re)结(jie)构与外界接触(chu)的(de)面积有(you)限因(yin)此(ci)散热(re)(re)性能较(jiao)为一般。

DFN5*6封装尺寸外观图

DFN5*6封装型号

DFN3*3封装尺寸及外观图

DFN5*6与DFN3*3封装MOS管厂家

DFN5*6与DFN3*3封装MOS管厂家(jia)，KIA半导体开启(qi)了(le)前行之路(lu)，注册资金1000万(wan)，办(ban)公区(qu)域(yu)达(da)1200平(ping)方，已(yi)经(jing)拥有了(le)独立的(de)研(yan)(yan)发(fa)中心(xin)，研(yan)(yan)发(fa)人(ren)员以来(lai)自韩国(guo)(台湾(wan))超一流团队，可(ke)(ke)以快速根据客户应用领(ling)域(yu)的(de)个性(xing)(xing)来(lai)设计方案，同时(shi)引进多台国(guo)外先进设备，业(ye)务(wu)含括功率器件的(de)直流参(can)数检测(ce)、雪崩能量检测(ce)、可(ke)(ke)靠性(xing)(xing)实验、系统分(fen)析、失效(xiao)分(fen)析等领(ling)域(yu)。强大(da)的(de)研(yan)(yan)发(fa)平(ping)台，使得KIA在(zai)工艺制(zhi)造、产(chan)品设计方面拥有知(zhi)识产(chan)权35项(xiang)，并掌握(wo)多项(xiang)场效(xiao)应管核心(xin)制(zhi)造技术。自主研(yan)(yan)发(fa)已(yi)经(jing)成为了(le)企(qi)业(ye)的(de)核心(xin)竞争(zheng)力(li)。

强大的研发平(ping)台，使得KIA在(zai)工艺制(zhi)造、产(chan)品(pin)设计方面拥有知识产(chan)权(quan)35项，并掌握多项场效应管核心(xin)制(zhi)造技术。自主研发已经成为了(le)企(qi)业的核心(xin)竞争力。

KIA半(ban)导体的产品(pin)(pin)(pin)涵盖(gai)工(gong)业、新能源、交通运输、绿色照(zhao)明四(si)大领域，不仅包括光伏逆变及无人机、充电(dian)桩、这类新兴(xing)能源，也(ye)涉及汽车配(pei)件、LED照(zhao)明等家庭用(yong)品(pin)(pin)(pin)。KIA专注(zhu)于产品(pin)(pin)(pin)的精细化与革新，力求(qiu)为(wei)客(ke)户提供最(zui)具行业领先、品(pin)(pin)(pin)质上(shang)乘的科技产品(pin)(pin)(pin)。

从设计研发(fa)到制(zhi)造再(zai)到仓(cang)储物(wu)流，KIA半导(dao)体真(zhen)正实现了(le)一体化的(de)服务链，真(zhen)正做到了(le)服务细节全到位的(de)品牌内涵(han)，我们致力于成(cheng)为场效应管（MOSFET）功(gong)率器(qi)件(jian)领域的(de)领跑者，为了(le)这个(ge)目标，KIA半导(dao)体正在持(chi)续创(chuang)新，永不止步！

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