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mos管栅极电阻的作用
mos管栅极简介

在了(le)解(jie)mos管(guan)(guan)栅极(ji)(ji)电(dian)(dian)阻的(de)作用之前，我们先了(le)解(jie)一下(xia)mos管(guan)(guan)栅极(ji)(ji)及其他2个极(ji)(ji)的(de)基础知识。场效应管(guan)(guan)根据三极(ji)(ji)管(guan)(guan)的(de)原理开发出的(de)新一代放(fang)大元件，有3个极(ji)(ji)性，栅极(ji)(ji)，漏极(ji)(ji)，源极(ji)(ji)，它的(de)特点是(shi)栅极(ji)(ji)的(de)内(nei)阻极(ji)(ji)高(gao)，采用二(er)氧化硅材(cai)料(liao)的(de)可以达到几(ji)百兆(zhao)欧，属于(yu)电(dian)(dian)压(ya)控(kong)制(zhi)(zhi)型器件。场效应晶(jing)体(ti)管(guan)(guan)（FieldEffectTransistor缩写(FET)）简称(cheng)场效应管(guan)(guan)。由多数载流子参与导电(dian)(dian)，也称(cheng)为单(dan)极(ji)(ji)型晶(jing)体(ti)管(guan)(guan)。它属于(yu)电(dian)(dian)压(ya)控(kong)制(zhi)(zhi)型半导体(ti)器件。

MOS管三个极判断

1.判断(duan)栅极G

MOS驱动(dong)器主要起波形整形和加强驱动(dong)的(de)作(zuo)用(yong):假(jia)如MOS管(guan)(guan)的(de)G信号波形不够陡峭(qiao)，在点评(ping)切换阶段(duan)会造成(cheng)大(da)量电能损耗(hao)其副(fu)作(zuo)用(yong)是降低电路转换效率(lv)，MOS管(guan)(guan)发烧严峻(jun)，易(yi)热损坏MOS管(guan)(guan)GS间存在一(yi)定(ding)电容，假(jia)如G信号驱动(dong)能力不够，将严峻(jun)影响波形跳变的(de)时间.

将G-S极短路，选(xuan)择万(wan)用表的(de)R×1档，黑(hei)表笔接S极，红(hong)表笔接D极，阻值(zhi)应为(wei)几(ji)欧(ou)至十几(ji)欧(ou)。若发现某脚(jiao)与其字(zi)两(liang)脚(jiao)的(de)电阻均呈无限(xian)(xian)大(da)，并且交换表笔后仍为(wei)无限(xian)(xian)大(da)，则证(zheng)实此脚(jiao)为(wei)G极，由(you)于它和另外(wai)两(liang)个管脚(jiao)是绝缘的(de)。 

2.判断源极S、漏极D

将(jiang)万用(yong)表拨(bo)至(zhi)R×1k档分(fen)别丈量三个管脚之间的电(dian)(dian)(dian)阻。用(yong)交换表笔法测两(liang)次(ci)电(dian)(dian)(dian)阻，其(qi)中(zhong)电(dian)(dian)(dian)阻值(zhi)较低(di)（一般为(wei)(wei)几(ji)(ji)千(qian)欧(ou)(ou)至(zhi)十几(ji)(ji)千(qian)欧(ou)(ou)）的一次(ci)为(wei)(wei)正向(xiang)电(dian)(dian)(dian)阻，此时黑表笔的是S极，红表笔接D极。因(yin)为(wei)(wei)测试前提不同，测出的RDS（on）值(zhi)比手册中(zhong)给(ji)出的典型值(zhi)要(yao)高一些。

3.丈量漏-源通态电(dian)阻RDS（on）

在源-漏之间(jian)有一个(ge)PN结，因此(ci)根据PN结正、反向电阻存在差(cha)异，可识(shi)别S极(ji)与D极(ji)。例如(ru)用(yong)500型万用(yong)表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W,大于0.58W（典型值）。

mos管栅极电阻的作用详解

在此(ci)mos管电路中，在其栅(zha)极处连接了两个电阻(zu)，R38,R42。

mos管栅极电(dian)阻的作用(yong)-电(dian)阻R38：

1：减缓Rds从(cong)无穷大到Rds(on)(一(yi)般0.1欧(ou)姆(mu)或者更低)。

2：若不加R38电阻，高压情况下(xia)便会因为mos管(guan)开(kai)关速率(lv)(lv)(lv)过快而(er)(er)导(dao)(dao)致周围元器件(jian)被击穿(chuan)。但R38电阻过大则会导(dao)(dao)致MOS管(guan)的(de)开(kai)关速率(lv)(lv)(lv)变慢，Rds从(cong)无穷大到Rds（on）的(de)需要经过一段时间，高压下(xia)Rds会消耗大量的(de)功率(lv)(lv)(lv)，而(er)(er)导(dao)(dao)致mos管(guan)发热异常。

mos管栅(zha)极电阻的作用-R42电阻：

1：作为泄(xie)放电(dian)阻泄(xie)放掉(diao)G-S的(de)(de)(de)少量静电(dian)，防止mos管产(chan)生误(wu)动作，甚至击穿mos管（因为只要有少量的(de)(de)(de)静电(dian)便(bian)会使(shi)mos管的(de)(de)(de)G-S极(ji)间的(de)(de)(de)等(deng)效电(dian)容产(chan)生很高的(de)(de)(de)电(dian)压），起到了保(bao)护mos管的(de)(de)(de)作用。

2：为(wei)mos管提供偏(pian)置电压

电阻在MOS管电路中注意事项及参考选择方法

MOS管(guan)驱动电(dian)(dian)(dian)阻(zu)怎么选择，给定(ding)频率，MOS管(guan)的(de)(de)Qg和(he)上升沿怎么计算用多大电(dian)(dian)(dian)阻(zu)首先得(de)知道输入电(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)大小(xiao)和(he)驱动电(dian)(dian)(dian)压大小(xiao)，等(deng)效(xiao)为电(dian)(dian)(dian)阻(zu)和(he)电(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)串联电(dian)(dian)(dian)路(lu)，求出(chu)(chu)电(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)充电(dian)(dian)(dian)电(dian)(dian)(dian)压表达式(shi)，得(de)出(chu)(chu)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)和(he)电(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)电(dian)(dian)(dian)压关系图MOS管(guan)的(de)(de)开关时间要考虑的(de)(de)是(shi)(shi)Qg的(de)(de)，而不是(shi)(shi)有(you)Ciss，Coss决定(ding)，看下面的(de)(de)Data.

一个MOS可(ke)能(neng)有(you)(you)很大(da)的输(shu)入电(dian)容(rong)，但(dan)是并不代表其导(dao)通需要(yao)的电(dian)荷量Qg就大(da)，Ciss（输(shu)入电(dian)容(rong)）和Qg是有(you)(you)一定的关系，但(dan)是还要(yao)考虑MOS的跨(kua)导(dao)y.

泄(xie)放(fang)电(dian)阻和栅(zha)极(ji)电(dian)阻有(you)什么区别？

场效应管栅极与源极之间加一个电阻，这个电阻起到什(shen)么作用？

一(yi)是为场效应(ying)管(guan)提供偏置电(dian)压;二是起到(dao)泻(xie)放电(dian)阻的作用：保护(hu)栅(zha)极G-源极S;

第一个(ge)作(zuo)用好理(li)解，这(zhei)(zhei)里(li)解释一下(xia)第二(er)个(ge)作(zuo)用的(de)(de)(de)原理(li)——保护栅极(ji)G-源极(ji)S：场(chang)效(xiao)应管的(de)(de)(de)G-S极(ji)间的(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)阻值是很大的(de)(de)(de)，这(zhei)(zhei)样(yang)只要有少量(liang)的(de)(de)(de)静(jing)电(dian)(dian)(dian)就能(neng)使他的(de)(de)(de)G-S极(ji)间的(de)(de)(de)等效(xiao)电(dian)(dian)(dian)容(rong)两(liang)端产生很高的(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)压，如果不(bu)及时把这(zhei)(zhei)些少量(liang)的(de)(de)(de)静(jing)电(dian)(dian)(dian)泻放掉，他两(liang)端的(de)(de)(de)高压就有可能(neng)使场(chang)效(xiao)应管产生误动作(zuo)，甚至有可能(neng)击(ji)穿(chuan)其G-S极(ji);这(zhei)(zhei)时栅极(ji)与源极(ji)之间加的(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)阻就能(neng)把上述的(de)(de)(de)静(jing)电(dian)(dian)(dian)泻放掉，从而起到(dao)了保护场(chang)效(xiao)应管的(de)(de)(de)作(zuo)用。

看(kan)一个具体的(de)例子(zi)：MOS管(guan)在开关(guan)状态(tai)(tai)(tai)工作(zuo)时(shi)，Q1、Q2是(shi)轮流导通(tong)，MOS管(guan)栅(zha)(zha)极在反复充(chong)(chong)、放电(dian)(dian)(dian)状态(tai)(tai)(tai)，如果在此时(shi)关(guan)闭电(dian)(dian)(dian)源，MOS管(guan)的(de)栅(zha)(zha)极就有(you)两(liang)种(zhong)状态(tai)(tai)(tai)：一种(zhong)是(shi)放电(dian)(dian)(dian)状态(tai)(tai)(tai)，栅(zha)(zha)极等(deng)效电(dian)(dian)(dian)容没有(you)电(dian)(dian)(dian)荷存储;另一个是(shi)充(chong)(chong)电(dian)(dian)(dian)状态(tai)(tai)(tai)，栅(zha)(zha)极等(deng)效电(dian)(dian)(dian)容正好处于(yu)电(dian)(dian)(dian)荷充(chong)(chong)满(man)状态(tai)(tai)(tai)，如下图(tu)a所示(shi)。虽然(ran)(ran)电(dian)(dian)(dian)源切断，此时(shi)Q1、Q2也都处于(yu)断开状态(tai)(tai)(tai)，电(dian)(dian)(dian)荷没有(you)释放的(de)回路，但(dan)MOS管(guan)栅(zha)(zha)极的(de)电(dian)(dian)(dian)场仍然(ran)(ran)存在（能(neng)保(bao)持(chi)很长时(shi)间），建立导电(dian)(dian)(dian)沟道的(de)条件并没有(you)消失(shi)。

这样在(zai)再次开机瞬间，由(you)于激励信(xin)号(hao)还没有建立，而开机瞬间MOS管的(de)漏(lou)极电(dian)(dian)源(yuan)（V1）随机提供，在(zai)导电(dian)(dian)沟道(dao)的(de)作用下，MOS管立刻产生不受控的(de)巨大(da)漏(lou)极电(dian)(dian)流(liu)Id，引起MOS管烧坏。为了避(bi)免(mian)此现象产生，在(zai)MOS管的(de)栅极对源(yuan)极并接一(yi)(yi)只泄放电(dian)(dian)阻R1，如下图b所示，关机后栅极存储的(de)电(dian)(dian)荷(he)通过(guo)R1迅(xun)速(su)(su)释(shi)放，此电(dian)(dian)阻的(de)阻值不可(ke)太大(da)，以保证电(dian)(dian)荷(he)的(de)迅(xun)速(su)(su)释(shi)放，一(yi)(yi)般在(zai)五千欧(ou)至数十千欧(ou)左右。

灌流(liu)电路(lu)主要是针对(dui)MOS管在作(zuo)(zuo)为(wei)开关(guan)营运(yun)用时(shi)其容(rong)性的输(shu)入特性，引起“开”、“关(guan)”动作(zuo)(zuo)滞(zhi)后而设置的电路(lu)，当(dang)MOS管作(zuo)(zuo)为(wei)其他(ta)用途，例(li)如线(xian)性放大等应(ying)用时(shi)，就没有必要设置灌流(liu)电路(lu)。

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