login_汇丰娱乐「一家高质量的游戏平台」mos管防反接电路图及连接方法解析-mos管防反接电路具体用法-KIA MOS管

mos管防(fang)反(fan)接电路图及连接方法解(jie)析-mos管防(fang)反(fan)接电路具体(ti)用法-KIA MOS管

信息来(lai)源：本站　日期：2018-12-05　

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mos管防反接电路

1.mos管防反接电(dian)路通常情况下直流电(dian)源(yuan)输入防反接保护(hu)(hu)电(dian)路是运用二极(ji)管的单向导电(dian)性来完结防反接保护(hu)(hu)。如下图1示：

这种接法简(jian)略(lve)可靠，但当(dang)输入大(da)电(dian)流(liu)的情况(kuang)下功耗影响是非常大(da)的。以输入电(dian)流(liu)额定值抵达(da)2A,如选用Onsemi的快速恢复(fu)二极(ji)管 MUR3020PT，额定管压降为(wei)0.7V，那么功耗至少(shao)也要(yao)抵达(da)：Pd＝2A×0.7V＝1.4W，这样功率低，发热(re)量大(da)，要(yao)加(jia)散(san)热(re)器(qi)。

2.其(qi)他(ta)还(hai)可以用(yong)二极(ji)管桥对输入(ru)做整(zheng)流，这(zhei)(zhei)样电路就永久有(you)正确的极(ji)性(xing)(图2)。这(zhei)(zhei)些方案的缺点是，二极(ji)管上的压降会消耗能量。输入(ru)电流为2A时，图1中的电路功耗为1.4W，图2中电路的功耗为2.8W。

mos管防反接电路

图1是(shi)一只串联二极(ji)(ji)管保护系(xi)统不(bu)受(shou)反向极(ji)(ji)性影响(xiang)，二极(ji)(ji)管有0.7V的压降

mos管防反接电路

图(tu)2是(shi)(shi)一个桥式整流器，不(bu)论什么(me)极性都(dou)可以正(zheng)常作业，但是(shi)(shi)有(you)两个二极管导通，功耗是(shi)(shi)图(tu)1的两倍

MOS管防反接电路用法

MOS管(guan)防反(fan)接(jie)电(dian)路用法如下文：电(dian)源(yuan)反(fan)接(jie)，会给电(dian)路造成(cheng)损(sun)坏(huai)，不过，电(dian)源(yuan)反(fan)接(jie)是不可避(bi)免(mian)的(de)。所以(yi)，我么就需要给电(dian)路中加入保(bao)护电(dian)路，达到(dao)即使接(jie)反(fan)电(dian)源(yuan)，也不会损(sun)坏(huai)的(de)目的(de)。

一般可以使用(yong)在(zai)电源的(de)正极(ji)串(chuan)入一个二极(ji)管解(jie)决，不(bu)(bu)过，由(you)于二极(ji)管有压(ya)降，会给电路造成不(bu)(bu)必要的(de)损耗，尤其(qi)是(shi)电池供(gong)电场合，本来电池电压(ya)就(jiu)(jiu)3.7V，你就(jiu)(jiu)用(yong)二极(ji)管降了0.6V，使得电池使用(yong)时间大(da)减。

MOS管防(fang)反(fan)接，好处就是压降(jiang)小(xiao)，小(xiao)到几(ji)乎(hu)可以忽略不计。现在的MOS管可以做到几(ji)个(ge)毫欧的内阻(zu)，假设是6.5毫欧，通过的电(dian)流为1A（这(zhei)个(ge)电(dian)流已经(jing)很大了），在他上面的压降(jiang)只(zhi)有6.5毫伏。

由于MOS管(guan)越(yue)来越(yue)便宜，所(suo)以人们逐渐开始(shi)使用MOS管(guan)防电源(yuan)反接了。

NMOS管防止电源反接电路：

mos管防反接电路

正(zheng)确(que)连接(jie)时：刚上电，MOS管(guan)(guan)的(de)(de)寄(ji)生(sheng)二(er)(er)极管(guan)(guan)导(dao)通，所以(yi)(yi)S的(de)(de)电位(wei)大概就(jiu)(jiu)是0.6V，而G极的(de)(de)电位(wei)，是VBAT，VBAT-0.6V大于UGS的(de)(de)阀(fa)值(zhi)开启电压(ya)，MOS管(guan)(guan)的(de)(de)DS就(jiu)(jiu)会导(dao)通，由于内阻很小，所以(yi)(yi)就(jiu)(jiu)把寄(ji)生(sheng)二(er)(er)极管(guan)(guan)短路了，压(ya)降几乎为0。

电(dian)源接(jie)反时(shi)：UGS=0，MOS管(guan)不(bu)会导通，和(he)负载的(de)回路就是断的(de)，从而保证电(dian)路安全(quan)。

PMOS管防止电源反接电路：

mos管防反接电路

正确连接(jie)时：刚上电(dian)，MOS管的寄生二(er)(er)极(ji)管导(dao)通(tong)，电(dian)源(yuan)与负载形成回路，所以S极(ji)电(dian)位就是VBAT-0.6V，而G极(ji)电(dian)位是0V，PMOS管导(dao)通(tong)，从D流(liu)向S的电(dian)流(liu)把二(er)(er)极(ji)管短路。

电源(yuan)接(jie)反(fan)时：G极是高(gao)电平，PMOS管不(bu)导通(tong)。保(bao)护电路安(an)全(quan)。

连接技巧

NMOS管(guan)DS串(chuan)到(dao)负(fu)极，PMOS管(guan)DS串(chuan)到(dao)正极，让寄生二极管(guan)方(fang)向朝向正确(que)连接(jie)的电(dian)流方(fang)向。

感(gan)觉DS流向(xiang)是“反”的？

仔(zi)细(xi)观察发现(xian)，防反接电(dian)路中，DS的电(dian)流(liu)流(liu)向，和我们平时使用的电(dian)流(liu)方向是反的。

为什么要(yao)接成(cheng)反的？

利用(yong)寄生二极管的导通作用(yong)，在(zai)刚上电(dian)时，使得UGS满足阀值(zhi)要求。

为(wei)什么可以(yi)接成反(fan)的？

如果是(shi)(shi)三极(ji)管(guan)(guan)，NPN的(de)电流方向只(zhi)能(neng)是(shi)(shi)C到(dao)E，PNP的(de)电流方向只(zhi)能(neng)是(shi)(shi)E到(dao)C。不过(guo)，MOS管(guan)(guan)的(de)D和S是(shi)(shi)可以互换的(de)。这也是(shi)(shi)三极(ji)管(guan)(guan)和MOS管(guan)(guan)的(de)区别(bie)之一(yi)(yi)。（关(guan)于(yu)这个问题，咱们另(ling)开一(yi)(yi)篇文(wen)章讨论，这篇只(zhi)讨论MOS管(guan)(guan)的(de)防(fang)反接(jie)作用）。